Wolfspeed创始人：8吋SiC2024年全面达产

来源：第三代半导体风向

近日，德国媒体Elektroniknet发布了一篇采访Wolfspeed联合创始人John Palmour博士的文章。

报道称，John Palmour从一开始就致力于碳化硅二极管和MOSFET的开发，作为Wolfspeed的CTO，他认为平面栅SiC MOSFET的技术优势远未耗尽。

John Palmour（左）

问：Wolfspeed于 4 月下旬在莫霍克山谷开设了新的8英寸设施，一个8英寸的晶圆上有多少颗SiC MOSFET？

John Palmour：这么说吧，晶圆面积要大得多！面积多出80%到85%。但更重要的是，更大晶圆能够将SiC MOSFET的制造成本降低多达30%。

问：一个假设性的问题：我们会在10年、15年内看到在12英寸晶圆上制造SiC MOSFET的转变吗？

John Palmour：我认为这主要取决于届时SiC MOSFET 的市场规模。如果需求足够大，12英寸晶圆的生产也可能是有利可图的。转向12英寸晶圆，我预计不会有任何重大的技术限制。晶体生长将是时间和金钱的问题。对于设备制造，硅为生产12英寸晶圆的工艺和处理铺平了道路。同样，我认为如果需求情况合适，在10到15年的时间范围内切换到12英寸晶圆可能有助于 SiC MOSFET 的生产。

问：对于当前机器和系统制造商向8英寸晶圆的转换，您有什么经验？目前有多少家生产8英寸SiC的设备制造商？

John Palmour：我们大约与6家设备制造商进行合作。一些企业专门为我们的工艺开发了特殊机器。我想强调的是，我们拥有高度自动化的生产。起初，我们计划逐步为新工厂配备8英寸机器。然而，我们很快就放弃了这一策略，我们为自己能够在如此短的时间内实现高度自动化而感到自豪。鉴于设备的交货时间较长，我们预计工厂最早将在2024年达到全部生产能力，并且我们正在迅速采购工具以在未来几年内为工厂提供充足的产能。