特邀报告简介4|第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议 - 公告通知中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

特邀报告-APCSCRM2022

宽禁带半导体行业材料、器件、应用等领域专家大咖出席本届国际会议。

APCSCRM 2022会议主题包括

半导体材料生长与外延技术

半导体器件及测试分析技术

半导体封装及应用

The Speakers

本届会议将邀请近30位专家作特邀报告，今天继续为大家介绍。

雷光寅--复旦大学--研究员

报告题目：高玻璃化转变温度环氧塑封料的开发及性能表征

报告摘要：以碳化硅（SiC）为代表的宽禁带半导体因其耐高压、耐高温、高效率的特性，在新能源汽车、光伏逆变器等应用得到了广泛应用。为充分发挥碳化硅的材料特性，进一步提升器件的通流能力，对其封装材料的耐高温能力提出了更高要求。本文针对高温环氧塑封料，以芳香烃树脂和多官能团树脂为基体材料，通过酸酐类固化剂与环氧树脂进行交联反应，在其他添加剂（无机填料、偶联剂、脱模剂等）掺入的条件下，制备了玻璃化转变温度（Tg）在225 ℃以上的环氧模塑料（EMC）。通过热重分析仪（TGA）、相对湿度实验、动态力学分析（DMA）实验等测试方法，对所制备的新型环氧模塑料（EMC）的玻璃化温度Tg、吸水率、模量等性能作出表征。测试结果表明，该环氧塑封料（EMC）非常适合于碳化硅芯片的封装，能最大程度的发挥碳化硅（SiC）功率器件的高温性能。

钮应喜--安徽长飞先进半导体有限公司--教授级高工

报告题目：碳化硅外延及相关技术进展

报告摘要：碳化硅具有耐高压、耐高温、高效率等特点，在新能源汽车、轨道交通、新型电力系统等方面前景广阔，可助力“碳达峰、碳中和”的实现。碳化硅外延作为器件制备过程中的关键环节，对器件的性能有着重要影响。本报告重点从国内外碳化硅外延设备、关键工艺、外延产品性能等方面的技术进展做汇报。

郭清--浙江大学电气工程学院--副教授

报告题目：碳化硅超级结功率器件的研究进展

报告摘要：碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表。以碳化硅MOSFET等为代表的器件性能不断提升，开发了一系列正向导通特性优良的器件，但是未从根本上打破SiC单极型器件理论一维极限的限制。超级结技术毫无疑问是降低漂移区比导通电阻的最有效手段。“碳化硅超级结功率器件的研究进展”将在对碳化硅电力电子器件研发和产业化技术调研分析的基础上，极少碳化硅超结技术的前景和目前主要技术路线的研究进展情况。

apcscrm@iawbs.com

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