特邀报告简介1|第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议 - 公告通知中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

特邀报告-APCSCRM2022

宽禁带半导体行业材料、器件、应用等领域专家大咖出席本届国际会议。

APCSCRM 2022会议主题包括

半导体材料生长与外延技术

半导体器件及测试分析技术

半导体封装及应用

The Speakers

本届会议将邀请近30位专家作特邀报告，今天开始为大家陆续介绍。

Josef Lutz

资深教授

水原德健

总经理

Guo-Quan Lu

教授

01 Josef Lutz（开姆尼茨工业大学/资深教授）

报告题目：SiC器件的可靠性和可靠性测试

报告摘要：虽然SiC基功率器件与Si基器件相比具有一定的优势，但同时也面临着一些特殊的挑战。由于SiC基功率器件的沟道迁移率低，所以必须要考虑其栅氧化层的厚度。测试结果表明，SiC基器件的栅氧化质量比Si基器件低，MOS器件的阈值电压存在可逆和不可逆漂移现象。虽然双极性传导模式可能会导致器件的双极性退化，但目前双极性传导模式尚无法完全避免。此外，SiC基器件具有比Si基器件具有更高的机械刚度，这增加了封装界面在负载和温度波动下的应力。所以，在SiC器件大规模应用之前，需要了解上述影响因素，并选择合适的测试方法测试其可靠性。

02 水原德健（罗姆半导体（北京）有限公司技术中心/总经理）

报告题目：新一代SiC MOSFET助力“双碳”目标达成

报告提纲：

・“双碳”目标下SiC的强大市场驱动力

・ xEV上的SiC典型应用

・ROHM第4代SiC MOS

・如何选好、用好SiC器件

03 Guo-Quan Lu（弗吉尼亚理工大学/教授）

报告题目：提高碳化硅器件功率处理能力的先进封装方法

报告摘要：随着电动汽车市场的快速增长，牵引驱动领域亚千伏碳化硅器件的开发和应用进一步加速。中压碳化硅器件的最新研究，推动了其在电网领域应用的研究和预期。SiC器件在每个反向阻断电压下均具有较低的特定导通电阻，故SiC基器件的额定电流密度比硅基器件高，因此成本更低。由于SiC器件通常具有较高的热流密度，所以对其封装过程中的散热提出了重大的挑战。晶体管外形或焊接+引线键合法是封装功率器件的传统方法，这些方法会导致高结壳热阻和高杂散电感，限制了器件的功率处理和开关能力。过去20多年中，弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心一直致力于三维封装技术的开发，以使宽禁带功率器件能拥有更多的性能潜力。电力电子系统中心的器件封装研究主要集中在以下三个方面：（1）封装的双面冷却，以降低特定的结壳热阻和杂散电感；（2）烧结银器件的键合，通过将键合温度提高到200℃以上来提高其功率处理能力；（3）通过非线性电阻涂层在基板三点处进行电场分级，以在不使用过多绝缘材料的情况下来提高封装的局部放电起始电压。举两个例子来说明上述封装方法的具体应用：用于牵引驱动领域的双面冷却SiC模块的封装，使用前两种方法来进行封装；用于潜在电网应用的10kV SiC 全波二极管整流器，同时使用上述三种方法来进行封装。

参会联系

张女士: apcscrm@iawbs.com

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