【立项决议】宽禁带联盟第六批团体标准成功立项

2022年4月27日，根据中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）团体标准制定工作程序要求，联盟秘书处组织召开了宽禁带联盟2022年度第二次团体标准评审会。本次评审会采取线上评审的形式，分别对《碳化硅晶片边缘轮廓检验方法》等六项团体标准进行了研讨。

线上评审

评审会由宽禁带联盟秘书长刘祎晨主持，中国电子科技集团公司第四十六研究所首席专家林健研究员、中国科学院物理研究所王文军研究员、中国科学院半导体研究所金鹏研究员、中科院电工研究所宁圃奇研究员、北京天科合达半导体股份有限公司副总经理刘春俊研究员、厦门大学张峰教授、北京邮电大学李培刚教授、中科院微电子研究所许恒宇副研究员、中国科学院半导体研究所刘兴昉副研究员、国网智能电网研究院有限公司副总工杨霏高工、清华大学微电子学研究所刘志弘高工、株洲中车时代半导体有限公司研发中心李诚瞻副主任、芜湖启迪半导体有限公司技术总监钮应喜博士、深圳市重投天科半导体有限公司张新河总监、中科院电工所张瑾高工、工业和信息化部电子第四研究院闫美存高工、北京聚睿众邦科技有限公司总经理闫方亮博士、北京三平泰克科技有限责任公司郑红军高工等宽禁带联盟标准化委员会委员参加了本次会议。

会上，各牵头起草单位代表分别对团体标准立项及复审的主要内容进行了详细介绍及说明，与会专家针对立项提案从立项意义、可行性和国内外标准现行情况等进行研讨，此外，针对复审标准从标准适用性、规范性、时效性和协调性等方面进行了深度的协商与讨论，提出了很多宝贵意见，最后由联盟标准化委员会与会委员表决，形成如下决议：

1. 通过《碳化硅晶片边缘轮廓检验方法》（牵头单位：北京天科合达半导体股份有限公司）、《碳化硅外延层深能级缺陷的测试电容瞬态法》（牵头单位：中国科学院半导体研究所）、《碳化硅平面场效应晶体管阈值电压测试方法》（牵头单位：瑶芯微电子科技（上海）有限公司）三项立项申请；

2. 通过《T/IAWBS 005-2018 6英寸碳化硅单晶抛光片》、《T/IAWBS 006-2018 碳化硅混合模块测试方法》、《T/IAWBS 007-2018 4H碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法》三项标准复审工作报告，确定需进行必要修订。

下一步，各牵头立项单位需召开标准起草工作启动会，并同所有起草单位一起落实标准草案框架和工作计划，保证在规定时间内完成标准的创制工作。各复审标准工作组将根据专家审查意见对各项标准进一步修改完善，尽快形成修订稿，报送至联盟秘书处推进下一步修订工作。

随着我国宽禁带半导体产业发展，市场亟需一批高质量团体标准为行业的技术创新提供支撑，宽禁带联盟作为产业创新联盟，将发挥联盟的优势不断提升标准化水平，服务好政府和企业，做好产业发展桥梁作用。

第六批团标立项评审会会议决议.pdf