【联盟动态】2022年3月热点资讯汇编｜聚焦第三代半导体前沿

【新品发布】

1.纳微半导体发布全球首款160W氮化镓充电器

西班牙巴塞罗那：2022 年 3 月 1 日讯 — 氮化镓 (GaN) 功率芯片的行业领导者纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布，当地时间本周一在西班牙巴塞罗那举办的MWC世界移动通讯大会上发布的realme GT Neo 3 智能手机系列标配充电器，正式采用了纳微半导体旗下的GaNFast 氮化镓功率芯片。

2.161mm！世界上最大的GaN籽晶诞生

3月15日，日本丰田合成宣布与日本大阪大学（OsakaUniversity）成功研制出尺寸超6英寸的GaN籽晶，有助于GaN功率器件的低成本化。据介绍，为制造超过6英寸的GaN 衬底，丰田合成与大阪大学采用了钠助熔剂法（Sodium Flux Method），该方法是在钠和镓的液态金属中生长 GaN 晶体。基于此，丰田合成开发出全球最大、超过6英寸的高质量GaN晶体。

3.英诺赛科推出基于GaN的140W电源

英诺赛科宣布推出一款新的高密度140W电源演示，使用该公司的高低压 GaN HEMT 器件，实现超过 95% 的效率（230VAC；5V/28A）。该电源尺寸为60x60x22mm，功率密度为1.76W/cm3 。通过在本设计中使用 GaN 开关的高电压和低电压功能，我们最大限度地提高了效率，这种针对USB PD3.1笔记本电脑和电动工具的设计比硅设计效率高出整整 2%。

4.全球首次用HVPE法在6英寸晶圆上成功制备氧化镓薄膜

氧化镓（β-Ga2O3）作为新一代半导体材料而备受瞩目，近日，在NEDO的战略性节能技术革新计划中，Novel Crystal Technology,Inc. （以下略称 Novel）与大阳日酸及东京农工大学共同开发了氧化镓（β-Ga2O3）的卤化物气相外延（HVPE）法。基于该成果，在开发能够制造大尺寸且多片外延片的β-Ga2O3批量生产成膜设备方面取得了很大进展，有助于实现β-Ga2O3外延片的大尺寸低成本化。如果β-Ga2O3功率器件广泛普及，则有望实现工业用电机控制的逆变器、住宅用太阳能发电系统的逆变器、新一代EV等的节能化。

【投资扩产】

1.晶湛半导体完成数亿元战略融资

近日，苏州晶湛半导体有限公司（“晶湛半导体”）宣布完成B+轮数亿元战略融资。本轮融资由歌尔微电子领投，高瓴创投、惠友资本、创新工场、禾创致远、共青城军合、无限基金、三七互娱、中信证券等跟投，老股东元禾控股、湖杉资本等继续加码。晶湛半导体由程凯博士于2012年3月回国创办，坐落于苏州市工业园区，拥有国际先进的氮化镓外延材料研发和产业化基地，致力于为电力电子、射频电子以及微显示等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案。

2.电装扩SiC逆变器产能到3倍的底气与决心

据近日，日本汽车零部件厂商电装宣布，到2025财年（截至2026年3月）将把纯电动汽车（EV）等使用的核心零部件逆变器的年产能提高到1000万台，达到现在的3倍。除了扩建日美中的现有工厂外，还考虑在欧洲、东南亚和印度等地新启动生产，以满足丰田等主要客户提高电动化目标的需求。电装从欧美汽车厂商接到的纯电动汽车用逆变器订单也越来越多。计划到2025财年，包括逆变器在内的电动化相关产品实现1万亿日元销售额。

3.SK siltron在美国投资6亿美元的新厂投产，SiC产量或达6万片

据消息，SK siltron在美国密歇根州贝城建设的碳化硅（SiC）半导体晶圆工厂正式投入运营，虽然工厂产能尚未得到证实，但韩媒表示年产量预计将在6万片晶圆左右，比其现有的奥本工厂产量还要大。

4.昭和电工宣布量产6英寸碳化硅晶圆片

3月28日，日本ShowaDenkoKK(SDK，昭和电工)宣布已开始量产直径6英寸(150mm)的碳化硅单晶晶片(SiC晶片)，其可满足迅速增长的第三代功率半导体，特别是用于xEV、轨道车辆和工业设备的市场。

5.东芝扩产SiC和GaN，大幅提升功率半导体

东芝子公司将在 4 月开始的新财年增加资本支出，以在需求旺盛的情况下扩大其主要生产基地的功率半导体器件的产能。东芝电子器件与存储设备已为 2022 财年指定投资 1000 亿日元（8.39 亿美元），比 2021 财年 690 亿日元的估计高出约 45%。这笔资金将资助在石川县的生产子公司加贺东芝电子的场地建设一个新的制造设施，该设施计划于 2023 年春季开始。它还将包括在现有结构内安装一条新的生产线。此次升级预计将使东芝的功率半导体产能提高约 150%。

6.Wolfspeed购买AIXTRON外延设备，推进8英寸碳化硅产能爬坡

AIXTRON SE 于近日宣布， Wolfspeed 将在其生产设施中采用 AIXTRON 公司的 200 毫米行星式反应器（Planetary Reactor）技术，用于制造基于碳化硅 (SiC) 的 MOSFET 和肖特基二极管功率器件。半导体行业沉积设备领先制造商AIXTRON SE 总裁兼首席执行官 Felix Grawert 博士表示：“碳化硅是下一代电源管理关键技术之一。它使我们能够在半导体行业的发展中谱写激动人心的新篇章，并为支持可持续未来的节能技术做出重要贡献。Wolfspeed 处于 200 毫米碳化硅制造的最前沿，我们很自豪能与 Wolfspeed 合作，帮助将这一最新创新推向市场。”

【企业/科研院所动态】

1.鼎泰匠芯12英寸车规级功率半导体晶圆厂项目封顶

日前，上海鼎泰匠芯科技有限公司（以下简称“鼎泰匠芯”）12英寸车规级功率半导体自动化晶圆制造中心项目FAB主厂房封顶。据了解，该项目打造中国首座12英寸车规级功率半导体晶圆厂，位于上海临港新片区重装备产业园，占地198亩，总建筑面积达204059.7㎡。项目建成后预计月产能4.5万片，主要生产MOSFET、GaN FET、SiC FET等功率器件产品。

2.特斯拉柏林超级工厂获最终批准生产

据外媒报道，特斯拉在柏林近郊勃兰登堡州格伦黑德建设的超级工厂获得了最终的环保审批。包括年产能最高50万辆的电动汽车工厂、表面处理工厂、热生成和存储工厂，也包括了电池生产设施、运营废水处理工厂、消防设备用房、高架仓库、实验室和车间等设施。

3.II-VI宣布，SiC衬底产能增加6倍

半导体制造商II-VI Inc.宣布，将扩大其在北安普顿县和瑞典的晶圆制造能力，作为 10 年内 10 亿美元投资的一部分。II-VI 将大幅扩建其近 300,000 平方英尺的本地工厂。公司宽禁带电子技术执行副总裁 Sohail Khan提到，Easton 工厂将在未来五年内将 II-VI 的 SiC（碳化硅）衬底产量至少增加 6 倍，它还将成为 II-VI 最大的 200 毫米 SiC 外延片制造中心之一。

4.索尼与本田宣布合作开发电动汽车与移动技术服务

3 月 4 日，索尼集团和本田汽车有限公司联合宣布，两家公司达成了战略联盟协议，共同开创未来移动技术与服务的新时代。在发布会上两家公司还宣布，将共同成立一家合资企业。这家新公司计划在 2022 年成立，目标是通过新成立的合资公司在 2025 年共同开发并销售首款电动汽车。

5.罗姆半导体为Lucid提供碳化硅半导体

罗姆半导体公司（Rohm Semiconductor）宣布，Lucid Motors已成为该公司的客户。Lucid将在Lucid Air的车载充电器中使用罗姆的碳化硅半导体（SiC MOSFET）。罗姆的碳化硅半导体将安装在Lucid Air的中央车载充电单元Wunderbox中。Wunderbox集成了一个DC-DC转换器和双向车载充电器。罗姆的碳化硅芯片可以改善高频和高温下的性能，帮助Lucid缩小了Wunderbox的尺寸，减少了功率损耗，从而提高了充电效率。

6.三安和理想汽车正式成立合资公司

3月23日，苏州斯科半导体有限公司成立，注册资本3亿元人民币，由车和家和三安半导体共同持股，经营范围包含：电力电子元器件制造；电力电子元器件销售；半导体分立器件制造；半导体分立器件销售；电子元器件制造。近两年来，在全球“缺芯”及SiC日益受到新能源汽车行业重视的背景下，国内外车企纷纷寻求与SiC供应链厂商深度绑定，以保障原材料供给，获得更大的主动权。比如国内方面，上汽和小鹏汽车战略投资SiC衬底龙头天岳先进、长城汽车入股已启动IPO的SiC衬底厂商同光股份等等。理想汽车与三安半导体此举也符合这一趋势，合资公司的成立也标志着双方正式“捆绑”。

7.蔚来ET7首批量产车正式下线，搭载SiC高效电驱平台

蔚来ET7首批量产车辆在合肥江淮蔚来先进制造基地正式下线，这是SiC功率半导体又一次成功搭载上车。据悉，该车型采用双电机智能四驱系统，搭载新一代SiC高效电驱平台，百公里加速3.9s，整车电控系统功率、性能、NVH等均得到了提升，但系统体积并没有因此增加。SiC功率模块应用于ET7 180kW永磁电机控制器中，相比传统硅基IGBT优势明显，电流提升30%，综合功率效率≧91.5%。

8.恩智浦X日立，SiC MOSFET将加速上车

据外媒报道，恩智浦（NXP Semiconductors）已宣布与日立（Hitachi Energy）达成合作，双方将推动SiC MOSFET功率半导体模块加速“上车”。据悉，本次合作的项目旨在为汽车动力总成逆变器开发更高效、更可靠且功能更安全的SiC MOSFET解决方案，包括恩智浦的GD3160单通道隔离式高压栅极驱动器以及日立的RoadPak车用SiC MOSFET功率模块。

9.环球晶圆：已取得英飞凌等大厂SiC衬底订单

据报道，环球晶已陆续取得意法半导体、英飞凌等欧洲车用半导体大厂SiC基板订单。据悉，环球晶目前 6 英寸SiC基板月产能约2000片，今年6英寸SiC基板月产能可望扩增至 5000 片，明年底可望达到1万片/月。

10.微电子所在氮化镓—金刚石异质集成方面取得新进展

近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与日本东京大学盐见淳一郎团队合作，在氮化镓（GaN）—金刚石晶圆键合技术领域取得了新进展。该项研究创新地使用了表面活化键合法（SAB），以纳米非晶硅为介质在室温下达成了氮化镓—金刚石键合，系统揭示了退火中键合结构的界面行为及其影响热导和热应力的机理，发现了纳米非晶硅层在退火中再结晶从而降低界面热阻的现象，展现了该键合技术在热导、热应力控制及可靠性方面的明显优势。

【政策】

1.工信部释放集成电路产业利好信号

在国新办举行的新闻发布会上，工信部释放集成电路产业利好信号：将继续提供良好的政策、市场环境，欢迎全球集成电路产业加大在华投资。我国是全球规模最大、增速最快的集成电路市场，同时也是集成电路重要的生产国和提供者。集成电路产业高速发展背后，离不开国家顶层战略的指导，和配套政策的大力支持。

2.北京:积极推广新能源汽车，加快基础设施建设

北京市人民政府办公厅印发《北京市深入打好污染防治攻坚战2022年行动计划》，其中在《大气污染防治2022年行动计划》中指出，要积极推广新能源汽车，今年6月底前，由北京市新能源汽车联席会议办公室牵头，对标“十四五”末全市力争累计推广新能源汽车200万辆的任务要求，制定本市“十四五”时期新能源汽车推广应用工作方案，明确目标措施。按照“时间近半、任务近半”的原则，确定2022年年度目标，并组织实施。按照早实施、早见效的原则，年底前组织相关部门力争实现配套措施、鼓励政策应出尽出。

3.广东省半导体与集成电路产业知识产权协同运营中心正式成立

3月10日，广东省重点产业园区知识产权协同运营体系建设现场推进会暨广东省半导体与集成电路产业知识产权协同运营中心揭牌仪式在广州中新知识城隆重举行。揭牌仪式现场发布了广东省半导体与集成电路产业科技金融专项支持计划，相关金融产品将通过推动“知产”变“资产”，为中小企业拓宽在资金、资本市场的融资渠道。同时还发布了广东省半导体与集成电路产业专利导航报告成果、广东省半导体与集成电路产业转化运营促进计划。

4.北京邮电大学集成电路学院将成立