中镓半导体低位错密度氮化镓自支撑衬底产品量产

图1. 位错密度mapping

近期，中镓半导体成功地将2英寸氮化镓自支撑衬底产品的位错密度降低到了4×10⁵cm⁻2到7×10⁵cm⁻2范围，并且目前新产品已经开始量产销售。

中镓半导体有限公司成立于2009年1月，总注册资本1亿3千万元。公司总部位于广东省东莞市，厂房总占地面积1万7千平方米。

中镓半导体提供硅掺杂的2英寸高电导率氮化镓自支撑衬底，可用于制备半导体蓝绿光激光器和垂直型氮化镓功率器件。此外，公司还提供碳掺杂的2英寸半绝缘氮化镓自支撑衬底，可用于制备高性能微波射频器件。

中镓半导体连续10年持续投入自支撑衬底及HVPE装备的研发，目前公司已有两个系列的HVPE设备以及可稳定量产氮化镓自支撑衬底的工艺制程。

中镓半导体希望通过研发投入不断提高氮化镓自支撑衬底的质量并降低制造成本，助力基于氮化镓自支撑衬底的光电器件、功率器件、微波射频器件和下一代Micro-LED器件的研发和应用推广。

图1为使用阴极萤光扫描电子显微镜实拍的2英寸氮化镓自支撑衬底产品的位错密度mapping，产品所有区域的位错密度均在4×10⁵cm⁻2至7×10⁵cm⁻2范围。

图2. 表面粗糙度mapping

图2为使用原子力显微镜测试的2英寸氮化镓自支撑衬底的表面粗糙度mapping。每个未知的测试区域均为1μm×1μm大小，所有区域表面粗糙度(RA)均小于0.2nm。

使用高精度X射线衍射仪测试了产品的晶体质量，整面衬底的C晶向偏M晶向角度和C偏A镜像角度分别在0.35±0.01°和0.00±0.01°范围。(0002)晶面和(102)晶面摇摆曲线半峰宽均在30弧秒以内。

表1 不同位置晶向偏角和晶体质量测试

来源：化合物半导体