【APCSCRM 2019--分会一邀请报告】第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2019 ...

2019年7月18日，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、SEMI（国际半导体产业协会）、中国科学院物理研究所和中国晶体学会主办，北京天科合达半导体股份有限公司承办的第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2019）在北京顺利召开。分会场一主题围绕宽禁带半导体材料生长与外延技术展开，共分为2019年7月18日下午和7月19日上午两场。分别由来自中国科学院物理研究所的王文军研究员、北京天科合达半导体股份有限公司刘春俊研究员、中国科学院物理研究所郭建刚博士和日本关西学院Noboru OHTANI教授共同主持。

分会邀请了北京邮电大学唐为华教授、北京天科合达半导体股份有限公司刘春俊研究员、日本昭和電工设备解决方案部部长Hiroshi KANAZAWA、苏州纳维科技有限公司徐科教授、中国科学院半导体研究所孙国胜教授、韩国东义大学先进材料工程系Won-Jae LEE教授、日本关西学院Noboru OHTANI教授、广西大学冯哲川教授、南京电子器件研究所李忠辉教授、日本产业技术综合研究所沈旭强教授作邀请报告。邀请专家分别在报告中详细分享了各自在第三代半导体器件领域的最新学术研究进展和成果，并与参会的专家、学者和企业家进行了良好的互动交流。

北京邮电大学唐为华教授作报告

报告题目：氧化镓外延薄膜生长与日盲紫外光电探测器件

报告摘要：氧化镓是一种新型的宽禁带半导体材料，具有诸多优异的物理特性(如：禁带宽度大，~4.9 eV；击穿电场强度大，~8 MV/cm等)，展现出巨大的应用前景。近年来特别是高质量2英寸氧化镓单晶的成功获得以来，氧化镓材料受到各国科研人员的高度关注，已经形成看禁带半导体研究的新热点。报告首先简要综述氧化镓材料与器件的研究进展，重点关注氧化镓外延薄膜生长与日盲光电探测器中的最新研究进展。

北京天科合达半导体股份有限公司刘春俊研究员作报告

报告题目：碳化硅单晶生长研究及产业化进展

报告摘要：碳化硅(SiC)作为一种性能优异的宽禁带半导体材料，已被广泛用于制造大功率、高温电子器件。天科合达公司成立于2006年，一直致力于碳化硅单晶的生长和衬底制造，目前已实现了高质量的4英寸、6英寸n型和半绝缘碳化硅衬底的批量生产。通过持续的技术研发，目前批量生产的碳化硅衬底微管密度小于0.5 cm-2，导电型SiC晶片的电阻率小于0.02 Ω·cm，半绝缘型产品电阻率高于1E8 Ω·cm；同时公司已经开发出了先进的衬底加工技术来控制晶片的形貌和厚度，使其能够满足后续外延所要求；公司产品已实现客户的批量生产验证。后续我们将稳步推进SiC单晶生长和晶片加工技术的进步和产业化规模，使我们逐步成为全球有影响力的碳化硅晶片产品生产商。

日本昭和電工设备解决方案部部长Hiroshi KANAZAWA作报告

报告题目：电力器件用SiC外延片研究进展

报告摘要：碳化硅(SiC)是电力传输等高压应用半导体材料的有力候选材料。然而，在SiC外延片的质量和测试(包括缺陷表征)方面需要改进提高。通过对我们的epi晶圆最新技术更新的回顾，特别是对我们的最高级epi[高等级epi]的回顾，展示了我们的epi晶圆的开发和批量生产的现状。

苏州纳维科技有限公司徐科教授作报告

报告题目：氮化镓单晶材料的生长研究与应用进展

中国科学院半导体研究所孙国胜教授作报告

报告题目：4H-SiC晶片划痕及其对外延生长的影响

报告摘要：宽禁带4H-SiC因其优异的材料性能，在电力电子领域得到越来越多的应用，在从4英寸到6英寸的技术转变中，高良率SiC器件制造的主要挑战是缺陷控制。4H-SiC衬底中，目前还存在各种类型的衬底缺陷，如结晶缺陷或结构缺陷、晶型包裹体和碳包裹体、以及化学机械抛光（CMP）遗留下的各种划痕和亚表面损伤，在4H-SiC外延过程中，这些衬底缺陷因影响到偏晶向4H-SiC外延表面台阶流动，而对外延层缺陷及表面形貌产生重要影响，进而影响到4H-SiC功率器件的成品率、性能及可靠性。SiC晶片表面上的划痕是一种浅而细沟槽，虽然可观察的重划痕在CMP抛光中被有效去除，然而那些不易用光学方法观测的尺度极小的隐含划痕却依然存在。本报告通过分析SiC晶片表面划痕及其性质，阐述其对后续外延生长的影响，其中包括外延层表面形貌缺陷、结晶缺陷和表面形貌。

韩国东义大学先进材料工程系Won-Jae LEE教授作报告

报告题目：高品质4H-SiC晶体生长的改进工艺参数

日本关西学院Noboru OHTANI教授作报告

报告题目：解析4H-SiC晶体物理气相传输过程中的位错形成过程

广西大学冯哲川教授作报告

报告题目：碳化硅和蓝宝石上4H-碳化硅外延厚膜及氮化铝薄膜的光学研究

南京电子器件研究所罗伟科教授作报告

报告题目：高铝组分AlGaN材料的MOCVD外延生长研究进展

日本产业技术综合研究所沈旭强教授作报告

报告题目：无氨高温金属有机气相外延（AFHT-MOVPE）：高品质AlN生长的新方法

报告摘要：III族氮化物半导体由于其在光学和电子器件领域中的潜在应用而备受关注。其中，由于AlN在室温下具有6.2eV的直接宽带隙和高导热性，使其有希望成为UV光学器件和大功率电子器件应用中的重要材料。如果能在器件结构生长中获得高质量的AlN衬底或模板，则器件的性能是可以期待的。我们提出了一种新的生长技术，无氨高温MOVPE（AFHT-MOVPE），用于高质量的AlN生长[1]。在生长过程中，采用氮气代替在常规的MOVPE生长中氨作为氮源。同时，生长温度可以提高到1500℃以上，这优于高质量的AlN生长。我们期望新的生长技术可以为高性能器件结构增长提供高质量的AlN模板。在本报告中，我们报告了AlN在AFHT-MOVPE中的生长行为，并对AlN外延层的结构质量进行了表征。研究发现AlN生长速率取决于生长期间N2和H2的气体流量，这意味着生长期间气体之间具有复杂反应过程。由HRXRD表征的结构质量显示（002）和（102）衍射的FWHM值分别小于300和400弧秒。实验结果证明AFHT-MOVPE具有高质量的AlN外延层，优于传统的MOVPE。