【成员风采】国内首家-中国电科46所成功制备出HVPE氧化镓同质外延片

Ga2O3作为新型超宽禁带半导体材料，具有优良的物理化学特性，在高功率器件领域有着重要应用。虽然国内Ga2O3体单晶制备技术已经取得了显著进步，但由于国内Ga2O3外延厚膜技术仍存在空白，限制了Ga2O3器件的发展。HVPE作为生长厚膜的最佳方法，目前国际上只有日本Novel Crystal Technology公司利用此技术研发并量产Ga2O3同质外延片，国内尚处于起步阶段，罕有HVPE同质外延Ga2O3的相关报导。

中国电科46所HVPE研发团队根据多年的HVPE技术基础，设计并搭建实验平台、调整流场结构和探究复杂的生长规律，经过不懈努力，突破了HVPE同质外延Ga2O3过程中气相成核和外延层质量控制等难题，成功制备出（001）Ga2O3同质外延片样品，外延层厚度＞10μm，XRD半高宽＜50arcsec，表面粗糙度＜0.5nm，载流子浓度达到1016cm-3数量级，其关键技术指标与国外先进水平相近，样品已送至国内相关器件研制机构验证。接下来我们将继续深入Ga2O3同质外延技术研究，优化外延制备工艺，实现高结晶质量和电学特性可控的HVPE Ga2O3同质外延片的稳定制备。

中国电科46所作为目前国内首家掌握HVPE Ga2O3同质外延技术的科研单位，HVPE Ga2O3同质外延技术达到了国内领先水平，填补国内相关领域的空白，为相关器件研究提供了有力的技术支撑。

来源：46新声