抢占全球30%市场！英飞凌2大SiC动作公布

前几天，英飞凌发布了最新财报，今年SiC营收增长了100%，超过13亿元。明年SiC营收将增长90%，超24亿元。而英飞凌接下来的碳化硅营收目标是64亿元，占据全球30%的市场份额。

同时，英飞凌还“默默”公布了2个重磅消息：

● 明年将在奥地利和马来西亚增加2个SiC工厂。

● 投资10亿元收购的Cold Split技术即将量产，可增加2倍SiC晶片产能，大幅降低成本。

明年SiC营收增长90%

抢占全球三分之一天下

11月10日，英飞凌公布了2021财年（截至9月30日）的全年和第四季度“成绩单”。

2021财年第四季度，英飞凌的营收达到30.07亿欧元（191.63亿人民币），比上一季度增长10%，比去年同期增长21%。而整个2021财年，英飞凌的营收达到110.6亿欧元（704.83亿人民币），同比增长29%。

在当天的年度新闻发布会上，英飞凌首席执行官Reinhard Ploss透露，2021财年英飞凌的SiC营收达到2亿美元（约13.25亿人民币），同比增长100%。

据“三代半风向”独家专访，这一数字是2017财年英飞凌SiC营收的6倍，从2017-2021财年，英飞凌的SiC年复合增长率高达55%。

Reinhard Ploss表示，相比2021财年，英飞凌明年的SiC营收将增长90%，推算将超过3.8亿美元（约24.21亿人民币）。

而英飞凌还有更大的目标——2020年代中期，SiC营收达到10亿美元（63.72亿人民币）左右，抢占30%左右的SiC市场份额。

此前，罗姆半导体也提出了争夺全球30%SiC市场份额的目标

提供3倍的材料

降低20-30%的成本

而为了实现高速增长，2022年英飞凌将有“祭出”2大动作。

一是积极扩充产能。

2022年英飞凌计划在全球范围内投资24亿欧元（约174亿人民币）用于扩产。

在碳化硅方面，根据马来西亚政府10月14日发布的消息，英飞凌明年将会把SiC和氮化镓外延生产转移到马来西亚居林高科技园区。

与此同时，Reinhard Ploss还表示，英飞凌位于奥地利Villach的6英寸/8英寸硅生产线也将进行改造，用于生产SiC和GaN。

二是Cold Split（冷切割）技术将正式量产。

Reinhard Ploss透露，“第一个基于Cold Split技术的产品已经获得生产认证。我们现在正在加紧建试产线，并准备量产。”

据“三代半风向”此前报道，2018年11月，英飞凌耗资约10亿人民币，收购了晶圆切割公司Siltectra及其Cold Split技术。

据介绍，以单个20毫米SiC晶锭为例，采用线锯可生产30片350μm的晶圆，而用 Cold Split可生产50多片晶圆。

而由于采用Cold Split，SiC晶圆的几何特性更好，因此单片晶圆厚度可以减少到200μm，这就进一步增加了晶片数量，单个20毫米SiC晶锭可以生产80多片晶圆。

Reinhard Ploss认为，传统线切技术会浪费75%的原材料，Cold Split可以减少50%的原材料浪费，相比之下SiC晶片产出可增加2倍，成本将得到大幅降低。