SiC成本可降50%？这个新技术将产业化

来源：第三半导体风向

近日，根据日本媒体报道，住友金属子公司Sicoxs计划把一项新的SiC衬底进行商业化，目标产能是12万片/年，据称可将SiC衬底成本降低50%。

Sicoxs成立于2012年6月。2017年10月，住友金属矿业株式会社收购Sicoxs 51%的股权。

据介绍，Sicoxs开发了一种新颖的衬底制造技术“SiCkrest”——将SiC单晶衬底键合在 SiC多晶衬底上，这样既可以减少SiC单晶衬底的使用量，又可以获得与单晶衬底相同的器件特性。

简单来说，“SiCkrest”是将一块单晶衬底制作出多片1微米或更薄的衬底，从而降低了每块衬底的成本。

它主要有三个步骤：第一步是将单晶SiC衬底贴合在多晶SiC衬底上；第二步是将单晶衬底从多晶衬底上剥离；第三步，对粘在多晶衬底上单晶衬底实施研磨等处理。

与此同时，剥离下来的单晶衬底将再次贴到多晶衬底上，然后重复上述操作。

2013年时，Sicoxs表示这种技术可以降低50%的SiC单晶衬底成本。而据《化学工业日报》的报道，与单晶 SiC产品相比，这项技术预期成本可降低10%-20%。

另一个好处是，这项技术由于采用了低电阻率的多晶衬底，因此还可提高器件效率。

2013年，Sicoxs使用这种新方法制作了SiC二极管原型。据介绍，经过日本京都大学研究团队的评估，该器件完全可以正常工作。

Sicoxs表示，自2017年以来，他们一直在建设粘合SiC衬底的量产示范线，目前正在向客户销售样品。

据报道，Sicoxs公司计划推进这项技术在电源控制单元（PCU）等车载产品应用，同时计划在2025年将6英寸SiC衬底年产能增加到1万片/月。