会议背景

尊敬的各位会员及相关单位：

第三代半导体材料和器件可应用于光伏、风电、直流特高压输电、新能源汽车、轨道交通等众多领域，可提升能源使用效率，将对实现“碳达峰、碳中和”起到至关重要的作用。

2021年是十四五开局之年，为助力我国第三代半导体产业快速健康有序发展，宽禁带联盟定于 2021年10月29在南京江北新区召开第三代半导体助力“碳达峰、碳中和”论坛，进一步促进政、产、学、研、用协同创新、交流与合作。

现将有关事项通知如下，欢迎届时出席。

01 会议组织单位

主办单位：

工业和信息化部人才交流中心

承办单位：

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

会议日期：10月29日下午

会议地点：南京市江北新区瑞斯丽酒店-五层-索罗图恩厅

02 会议亮点

本场论坛以“第三代半导体助力 “碳达峰、碳中和 ”目标的实现”为主题，结合当前碳中和政策，围绕第三代半导体应用技术、产业现状与发展趋势及行业热点问题开展积极广泛地交流与研讨，抢抓难得的机遇，做强做大我国第三代半导体材料产业。

会议免费参加，通过扫描文末二维码报名，审核通过收到邮件回复即报名成功。

名额有限，凭报名入场，谢绝空降。

03 嘉宾介绍

1.原诚寅老师

报告题目：新能源智能汽车技术趋势及碳中和之路

工作单位：国家新能源汽车技术创新中心

原诚寅，现任国家新能源汽车技术创新中心主任、总经理，中国汽车芯片产业创新战略联盟秘书长。北京市海聚工程引进海外高层次人才、国家新能源重点攻关专项专家组成员、北京市特聘专家、北京市正高级职称评审组专家、中关村高端领军人才、北汽集团首席专家、北京工业大学等多所院校客座教授。原诚寅主任长期致力于新能源汽车技术研发与行业战略研究与管理工作，先后主持了北京汽车纯电动乘用车建设项目，新能源汽车电池研发及产业化项目，纯电动商用车（M3/N3类)动力系统平台技术攻关等十余项国家及地方技术研发与产业项目。曾荣获获国际制造工程师协会(SME)杰出青年制造工程师奖、杰出青年制造领袖奖、中国汽车工业科学技术奖一等奖、北京市科学技术奖一等奖、第二十三届国家级企业管理现代化创新成果一等奖等奖项。出版个人专著1部，国内外知名学术刊物发表论文20余篇，授权发明专利30余项。

2.刘建利老师

报告题目： ICT产业助力实现双碳目标

工作单位：中兴通讯股份有限公司

刘建利，1989年7月毕业于西北工业大学无线电技术专业，在凌云电器总公司从事射频电路研发，期间获电子工业部科技进步奖，后赴日本进修。1998年9月加入中兴通讯，先后负责射频无线收发信机、PHS基站射频、WCDMA智能天线、基站射频功放平台等研发工作，历任射频研发工程师、系统工程师、项目经理、西安研究所射频开发室主任、中兴通讯射频功放平台总工等职，目前作为无线技术总工及公司技术委员会专家主要负责无线技术的研究及对外合作工作。

3.刘国友老师

报告题目：待定

工作单位：新型功率半导体器件国家重点实验室

刘国友，中车科学家，教授级高级工程师，新型功率半导体器件国家重点实验室常务副主任，株洲中车时代电气股份有限公司副总工程师，入选国家“万人计划”科技领军人才，国务院特殊津贴专家，湖南“光召科技奖”获得者，IEEE高级会员，Semi中国化合物半导体标准技术委员会联席主席。长期从事功率半导体技术研究与产业化，主持国家功率半导体领域重大科研与产业化项目10余项，研发了全球第一只6英寸直流输电晶闸管、第一片8英寸高压IGBT芯片。在8英寸高压IGBT芯片制造技术与工艺集成、高速列车IGBT、超大容量压接型IGBT、汽车级IGBT、SiC器件技术与产业化等方面取得多项成果，支撑了高铁、智能电网、电动汽车与新能源装备等产业可持续发展。在国内外核心期刊发表论文80余篇，获授权发明专利120余项，美国专利3项，荣获国家技术发明二等奖1项、国家科学技术进步二等奖1项，省部级科技一等奖6项。

4.杨霏老师

报告题目：高压碳化硅器件研发进展

工作单位：国家电网公司联研院

杨霏，博士，国家电网公司联研院教授级高工，中关村高端领军人才。专注于碳化硅外延材料及高压电力电子器件研究，主持国家863项目、国家重点研发计划项目、北京市科委项目及国家电网公司科技项目十余项，研制了1200V至6500V系列碳化硅二极管、MOSFET。主导制定团体标准2项，主持建立了全工艺的10kV高压碳化硅器件中试线，授权发明专利16项，译著2部。

5.王金延老师

报告题目：面向新一代高频/高压开关电源的三代半导体器件关键问题

工作单位：北京大学

王金延，北京大学信息科学技术学院教授，博士生导师。2000年，博士毕业于北京大学，从事半导体器件特性表征和可靠性物理及应用研究，于2000年－2001年在新加坡国立大学进行学术访问，并于2002年从北京大学博士后站出站，同年留校工作。以第一作者和通讯作者发表SCI收录论文70余篇，并与他人合译教材一部，参与教材编制一部。获得国家发明专利10项，申请国家发明专利5项。长期从事化合物功率半导体器件物理、结构设计、工艺和特性表征等方面的研究工作，一直承担半导体器件物理方面的教学工作。作为项目负责人，主持完成“973”预研项目、国家重大项目子课题、国家自然科学基金重大项目子课题、国家自然科学基金项目、国家级重点实验室基金项目、教育部博士点基金项目等，作为核心成员参加了国家核高基项目、国家重点基础研究发展规划(973项目)课题。在宽禁带GaN基器件新机理、新结构和新方法方面，取得系列成果。2009年获得教育部科技进步一等奖，2008年，获北京市科学技术一等奖，2007年获得北京大学度“正大奖教金”优秀奖等奖励。

6.邓佳佳老师

报告题目：宝剑锋从磨砺出，踏实做产品助力碳中和

工作单位：瑞能半导体科技股份有限公司

曾就职于世界知名企业台达电子以及飞利浦（前昕诺飞）研发部门将近六年，后加入意法半导体功率器件市场部门七年。对通讯电源和照明产品有深刻的研究，熟悉硅材料MOSFET、IGBT、二极管市场，碳化硅材料MOSFET、二极管应用市场。之后加入了国产半导体的浪潮，接触国产半导体研发领域，开始国产半导体的定义。

04 主会场介绍

宽禁带联盟承办的本次第三代半导体助力“碳达峰、碳中和”论坛，是工业和信息化部人才交流中心主办的集成电路产业碳中和研讨会其中一个分会场，关于集成电路产业碳中和研讨会的活动安排如下：

时间：2021年10月29日-30日

地点：南京市江北新区瑞斯丽酒店