2021年4月热点资讯汇编｜聚焦第三代半导体前沿

1、赛微电子拟在青州投建6-8 英寸氮化镓功率器件半导体制造项目

4月1日，赛微电子发布公告称，公司与青州市人民政府签署《合作协议》，共同推进6-8英寸GaN芯片晶圆制造项目的建设，进一步完善GaN业务的全产业链IDM(垂直整合制造)布局。投资10亿元，总占地面积30亩，一期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆5,000片/月的生产能力，二期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆12,000片/月的生产能力。

2、广东志橙SiC研发制造总部项目

4月6日，志橙半导体SiC材料研发制造总部项目通过了广东省投资项目在线审批监管平台的复核，计划开工时间为2021年5月1日，项目计划2025年达产。据了解，该项目于2020年11月28日签约，落户广州黄埔区永和街道，占地面积15276平方米，总投资额3.32亿元，固定资产投资额2.5亿元，项目达产产值约5亿元。

3、II-VI在中国扩大SiC生产规模

为了满足亚洲市场的需求，II-VI在中国福州的II-VI亚洲区总部建立了一条用于导电SiC衬底的后端加工线，位于50,000平方英尺的新洁净室空间中。包括边缘研磨、化学机械抛光、清洁和检测，所有这些操作均在100级和1000级洁净室中进行。该工厂是II-VI已经宣布的计划的一部分，该计划将在五年内将其SiC衬底的生产能力提高五至十倍，其中包括直径200 mm的衬底。

4、基本半导体推出PD快充用碳化硅二极管

针对PD快充“小轻薄”的特点，碳化硅功率器件领先企业基本半导体在国内率先推出SMBF封装碳化硅肖特基二极管新品，该产品具有体积小、正向导通压低和抗浪涌能力强等特点，能很好地满足PD快充对器件的特殊需求。

图：SMBF封装碳化硅肖特基二极管

5、瑞能助力第三代半导体“接棒跑”，推动产业升级

瑞能对传统领域的二极管做出了产品迭代，近期推出第四代和第五代的二级管产品，特别针对目前的应用高频化，高效化做了特别的优化。对整个产品的组合，瑞能今年推出了TVS/ESD的保护器件，能够用于更多的应用领域。瑞能半导体市场部总监谢丰（Brian Xie）认为，瑞能的主要竞争优势在于产品的可靠性与稳定交付。随着第三代宽禁带半导体器件（如SiC）出现以及日趋成熟和全面商业化普及，一般工业应用要求1000小时已经无法满足一些客户严苛的要求，瑞能产品能够进行3000小时的测试，很好地满足客户需求。

图：采用MPS技术，瑞能碳化硅肖特基二极管的技术优势

6、SiC赋能光伏与可再生能源功率转换

SiC 已经被验证可比传统采用 Si 的方案更有效率。组串式光伏系统在一系列光伏板和连接到电网的逆变器之间采用最大功率点追踪 (MPPT)。MPPT 在本质上是升压转换器对于系统设计性能的效率和功率密度是至关重要的。在以前的设计之中，升压转换器可能是基于 IGBT 的，其器件开关在 15–30 kHz，效率范围在~97%。通过在相同升压电路中采用 Wolfspeed C3M MOSFET 和 C4D 二极管，系统层面效率现在可以达到最高 99.5%，且总体 MPPT 尺寸和成本都有显著改进（图1）。

图1. 采用 IGBT 的 50-kW MPPT 升压器（左）和采用Wolfspeed SiC 的 60-kW MPPT 升压器（右）的物理尺寸对比

7、SiC技术革新列车电气系统

西门子交通集团与英飞凌科技公司联合开发了新型辅助转换器，以提高SiC基功率半导体的车载电源系统的效率。利用SiC，我们实现了更高的开关速度和效率，以减小变压器、电容器、冷却元件和外壳的尺寸。这种半导体材料的优势是显而易见的，现在已经在轨道交通中得到了充分利用。”英飞凌工业电源控制部门总裁Peter Wawer说。

8、泰科天润展出三款百瓦碳化硅快充参考设计

在4月14日-16日举办的慕尼黑上海电子展上，泰科天润展出了三款基于碳化硅二极管的百瓦级别快充参考设计，涵盖200W、120W和100W三个热门功率段，其中200W与120W的参考设计采用PFC+LLC架构，多口输出。100W为PFC+QR，同样为AC-DC固定电压输出，不同接口采用独立降压输出的方式。

9、国基南方SiC MOSFET电力电子器件入选十大国有企业数字技术成果

4月25日，国务院国资委在第四届数字中国建设峰会上举办国有企业数字化转型论坛。论坛上，首次集中发布了十大国有企业数字技术成果。其中，国基南方SiC MOSFET电力电子器件作为核心电子元器件类代表，成功入选并正式对外发布。SiC MOSFET是面向绿色环保、节能减排应用需求的电能转换核心器件。

10、ST意法半导体推出三款半桥氮化镓单芯片

ST意法半导体推出了三款MasterGaN器件，MasterGaN器件内部集成了两颗GaN开关管及驱动器，组成半桥器件，是一款先进的系统级功率封装，可输入逻辑电压信号轻松控制器件。ST的MasterGaN系列均为半桥器件，内置650V耐压的增强型氮化镓开关管，支持零下40到125摄氏度工作温度范围，三款器件仅内置开关管参数不同。

11、清华大学成立“集成电路学院”，致力于破解“卡脖子”难题

今年年初，国务院学位委员会、教育部设置“集成电路科学与工程”一级学科，以求为从根本上解决制约我国集成电路产业发展的“卡脖子”问题提供强有力人才支撑。成立清华大学集成电路学院，将瞄准集成电路“卡脖子”难题，聚焦集成电路学科前沿，打破学科壁垒，强化交叉融合，突破关键核心技术，培养国家急需人才，实现集成电路学科国际领跑，支撑我国集成电路事业的自主创新发展。

12、中科院院士：6G时代，宽禁带半导体市场潜力巨大

在第十五届中国电子信息技术年会主论坛（4月18日）上，中国科学院院士、中国电子学会副理事长、西安电子科技大学教授郝跃表示，在未来新的6G通信领域，预计6G通信2030年或将会进入产业化，未来宽禁带半导体释放巨大市场潜力和强大发展动力。

13、多地出台政策助力宽禁带半导体产业发展

保定市政府与北京大学宽禁带半导体研究中心、中创燕园半导体科技有限公司签署协议，共建北京大学宽禁带半导体研究中心保定实验区。利用得天独厚的区位优势，积极承接北京非首都功能疏解，扎实推进城市转型、产业转型，全力构建京雄保一体化发展新格局，服务重大国家战略的需要，是打造协同创新合作典范的重要实践。

石家庄市人民政府办公室发布了《关于新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的实施意见》的通知，旨在做大做强专用集成电路、基础材料和嵌入式软件等数字经济核心产业，培育发展集成电路设计、制造、封装测试和工业软件设计等新兴产业。扩大氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)晶圆加工能力，提升4英寸/6英寸碳化硅外延、8-12英寸硅外延材料品质，加快6英寸碳化硅外延、氮化镓外延、12英寸硅外延以及高性能陶瓷封装材料量产化进程。

广东省人民政府发布《广东省国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》，集成电路被划重点，积极发展第三代半导体。文件指出，加快培育半导体与集成电路产业，布局建设高端特色模拟工艺生产线和SOI（硅晶绝缘体技术）工艺研发线，积极发展第三代半导体、高端SOC（系统级）等芯片产品。

湖南省人民政府出台《湖南省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》，文件指出，湖南将大力培育新兴和未来产业。实施战略性新兴产业培育工程，积极推动新一代半导体、生物技术、绿色环保、新能源、高端装备等产业发展，构建一批产业发展新引擎。推进半导体关键核心成套设备研发和产业化，加快6英寸碳化硅材料及芯片、中低压功率半导体等产业化发展，建成全国最大碳化硅全产业链生产基地，创建国家级半导体装备制造区域中心。