国基南方SiC MOSFET电力电子器件入选十大国有企业数字技术成果

4月25日，国务院国资委在第四届数字中国建设峰会上举办国有企业数字化转型论坛。论坛上，首次集中发布了十大国有企业数字技术成果。其中，国基南方SiC MOSFET电力电子器件作为核心电子元器件类代表，成功入选并正式对外发布。

SiC MOSFET是面向绿色环保、节能减排应用需求的电能转换核心器件。此次入选的中国电科国基南方WM1A系列SiC MOSFET产品，对标国际先进，突破高温高能离子注入、高迁移率栅氧化、激光退火等关键工艺，填补了国内多项技术空白。

作为宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室依托单位，国基南方建立了材料外延、器件设计、芯片制造、模块封装的产业链布局，在国内率先实现六英寸SiCMOSFET晶圆批产，形成了650V-6500V SiC MOSFET系列产品。

SiC MOSFET产品作为宽禁带半导体器件，具有大功率、低损耗、耐高温特点。该类产品应用于电能管理领域，系统体积、电力损耗较传统硅器件减少50%以上，可有效提升电能转换效率。

目前，国基南方SiC系列产品已批量应用于服务器电源、新能源发电、新能源汽车、电网输变电等领域，有效促进了低碳数字经济发展和能源结构升级。