CN200910077648-在碳化硅(SiC）基底上外延生长石墨烯的方法

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发布时间: 2016-7-13 17:31

在碳化硅(SiC)基底上外延生长石墨烯的方法申请号：200910077648.8 申请日：2009-02-10 申请(专利权)人中国科学院物理研究所地址100190 北京市海淀区中关村南三街8号发明(设计)人陈小龙黄青松王文军王皖 ...

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