CN200910238110-一种制备高纯半绝缘碳化硅晶体的方法

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发布时间: 2016-7-13 17:35

一种制备高纯半绝缘碳化硅晶体的方法申请号：200910238110.0 申请日：2009-11-18 申请(专利权)人中国科学院物理研究所北京天科合达蓝光半导体有限公司地址100190 北京市海淀区中关村南三街8号发明(设计)人 ...

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