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一种籽晶处理方法和生长碳化硅
单晶的方法
申请号：200910236735.3
申请日：2009-11-05
申请(专利权)人新疆天科合达蓝光半导体有限公司北京天科合达蓝光半导
体有限公司中国科学院物理研究所
地址832000 新疆维吾尔自治区石河子市石河子开发区东幸福路
98-1号(天富高科技园区)
发明(设计)人王波陈小龙 彭同华 鲍慧强 刘春俊 李龙远 王刚
主分类号C30B23/00(2006.01)I
分类号C30B23/00(2006.01)I C30B29/36(2006.01)I
公开(公告)号101985773A
公开(公告)日2011-03-16
专利代理机构
代理人
CN200910236735-一种籽晶处理方法和生长碳化硅单晶的方法.pdf
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发表于 2016-7-13 17:34:55
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