CN200310113522-一种SiC单晶生长压力自动控制装置

查看数: 1485937 | 评论数: 68 | 收藏 0

关灯 | 提示：支持键盘翻页<-左右->

发布时间: 2016-7-13 17:04

一种SiC单晶生长压力自动控制装置申请号：200310113522.4 申请日：2003-11-14 申请(专利权)人中国科学院物理研究所地址100080北京市海淀区中关村南三街8号发明(设计)人陈小龙吴星李河清倪代秦胡伯清 ...

回复