两项碳化硅测试方法团体标准启动会在全球能源互联网研究院召开

12月21日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟团体标准《碳化硅外延片表面缺陷测试方法》和《碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法》启动会在北京昌平未来科技城召开。此两项标准分别由全球能源互联网研究院和瀚天天成电子科技（厦门）有限公司牵头，西安电子科技大学、中科院半导体所、中电55所、中电2所等单位共同参与制定。

全球能源互联网研究院功率半导体所杨霏博士首先致欢迎辞，向与会代表表示感谢。杨霏博士指出，碳化硅正处于产业初期，亟需制定并完善相关标准来规范碳化硅行业，尤其是碳化硅外延、器件方面的标准，从而推动行业健康有序发展。希望与各参与单位紧密合作，凝心聚力，攻坚克难，保证项目高质量完成。

会议展开讨论了两项团体标准的草案内容：规范了《碳化硅外延片表面缺陷测试方法》团体标准中碳化硅外延材料及表面缺陷的定义，讨论了各缺陷定义及形貌特征，对于胡萝卜缺陷、巨型台阶缺陷特征的定义，待各参与单位后续讨论确定；对于团体标准《碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法》，确定了外延材料载流子浓度测量范围；对规范性引用文件、方法原理、干扰因素、测量仪器及环境、仪器校准、测量步骤等进行了讨论。根据两项团体标准草案制定的工作需求并结合各参与单位在碳化硅材料研究领域的研究方向和技术特长，确定了各参与单位的任务分工，细化了月度计划。

最后，各参与单位代表分别进行了表态发言，一致表示会尽全力保障项目顺利完成，按时完成各时间节点的里程碑任务，努力排除万难，保质保量的完成项目各项要求。