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专利(patent),专有的权利,以“公开”换取“独占”。对企业而言,专利是企业的竞争者之间惟一不得不向公众透露而在其他地方都不会透露的某些关键信息的地方。专利的三性要有:实用性(能用)、新颖性(没有公开)、创造性(有创新点)。


专利有三种:

  1. 发明是指对产品、方法或者其改进所提出的新的技术方案;

  2. 实用新型是指对产品的形状、构造或者其结合所提出的适于实用的新的技术方案;

  3. 外观设计是指对产品的形状、图案或其结合以及色彩与形状、图案的结合所作出的富有美感并适于工业应用的新设计。


专利的撰写步骤有三步:

  1. 探矿:调研公开资料,包括文献、专利等,防止徒做嫁衣;

  2. 圈地:不触及公开的情况下,尽可能扩大保护范围,一般的布局要一个结构型专利,就是可以直接看出来的,以及穷尽其他各种制备方法的方法型专利,一般十几个,防止别人绕开;

  3. 淘金:公开之后的成果的专利可以被判无效(进攻点),寻找别人的漏洞,或者补上自己专利的漏洞。


专利权的法律保护具有时间性和地域性,中国的发明专利权期限为二十年,实用新型专利权和外观设计专利权期限为十年,均自申请日起计算。一般一件3-4k,PCT5-8万,布置在美日中。


一个专利,有申请号、公开号,而大家平时常说的还有专利号。实际上,对我们来说,记住「申请号=专利号」就行了,申请号是会伴随专利从申请到无效,而公开号会随着专利的公开、授权、无效而变化。


具体的情形如下:


当国知局受理专利申请时,就是给出一个专利申请号,有五部分信息:



专利公开时会有一个公开号,公开号有四个部分:


获取专利的渠道为:

  1. 官方的中国专利公布:http://epub.sipo.gov.cn/;

  2. 佰腾专利:https://www.baiten.cn/;

  3. 专利大王-微信小程序;

  4. 智慧芽数据库。他的界面友好、可视化强,具有专利价值分析、侵权分析、多国专利库的集成,能够将同族专利、相似专利的一同展示。可以语义检索,可以通过一段落的文字来检索;可以按照结构式检索,但是现在结构检索与CCDC类似,连氰尿酸都会找错。建议等一年后(2020.9.20)再看看;

  5. 美国专利:http://www.freepatentsonline.com/search.html。


碳化硅的专利一般分类如图所示,检索可以使用名称和IPC分类号等混合,才能查全查准:


下面是一些领域内的核心专利实例。


碳化硅单晶生长设备

 

除了带了专利名称的,以下皆为公开号,所以容易有变动,可能找不到专利。检索时注意去除前后缀。WO专利检索时,格式为WO/XXXX/XXXXXX。

 

PVT法

1954年,US2854364A专利:飞利浦公司的Lely使用升华法生长毫米级碳化硅;

1983年,DD2248864A1专利:德累斯顿工大的Tairov等引入籽晶,将升华法改良为物理气相输运法;

1995年,DE9501576W专利PROCESS AND DEVICE FOR SUBLIMATION GROWING SILICON CARBIDEMONOCRYSTALS:西门子设置隔墙;

2001年,JP2001111374A专利SILICON CARBIDE MONOCRYSTAL AND MANUFACTURING METHOD ANDMANUFACTURING DEVICE THEREOF:日本普利司通;

2009年,PCT/US2009/067112专利IMPROVED AXIAL GRADIENT TRANSPORT (AGT) GROWTH PROCESS AND APPARATUSUTILIZING RESISTIVE HEATING:Ⅱ-Ⅵ公司轴向梯度传输减低生长中的辉光放电;

2010年,EP12168341.1专利Physical vapor transport growth system for simultaneously growingmore than one sic single crystal, and method of growing:SiCrystal AG公司分隔籽晶与原料;

 

溶液法

1994年,JPH08059386A专利:日本三菱公司提出双重坩埚;

1998年,JP753798A专利SYNTHESIS OF SIC SINGLE CRYSTAL:日本住友公司;

2016年,KR1020170105349A专利:LG公司提出生长装置位于坩埚内;

 

HTCVD法

1996年,EP787822A1专利:西门子公司使用CVD生长碳化硅;

2003年,EP04008697.7专利Device and method for producing single crystals by vapour deposition:诺斯泰尔公司;

 

碳化硅单晶生长方法

 

PVT法


改进升华方法

1987年,WO8904055A1专利:北卡罗来纳州大学;

1998年,WO0022203A2专利:科锐;

2005年,PCT/US2006/012929专利LOW BASAL PLANE DISLOCATION BULK GROWN SIC WAFERS:科锐;

2007年,PCT/US2007/078385专利MICROPIPE-FREE SILICON CARBIDE AND RELATED METHOD OF MANUFACTURE:科锐;

2015年 ,PCT/JP2016/078834专利P-TYPE 4H-SIC SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING P-TYPE 4H-SICSINGLE CRYSTAL:电装和昭和电工;

 

改进输运

2003年,JP2003102016A专利METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SINGLECRYSTAL:电装公司;

2013年,PCT/US2013/077285专利SIC CRYSTAL AND WAFER CUT FROM CRYSTAL WITH LOW DISLOCATION DENSITY:康宁公司;

 

改进籽晶

1996年,JP10358196A专利PRODUCTION OF SINGLE CRYSTAL AND SEED CRYSTAL:电装公司提出在除生长面外的籽晶晶面覆盖保护层;

2001年,JP2001315367A专利SiC SINGLE CRYSTAL, METHOD OF PRODUCING THE SAME, SiC SEED CRYSTALAND METHOD OF PRODUCING THE SAME:电装公司;

2002年,JP2002102682A专利SEED CRYSTAL FOR GROWING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, SILICONCARBIDE SINGLE CRYSTAL INGOT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE INGOT:新日铁住金株式会社提出倾角生长面;

2004年,JP2004114626A专利METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL:电装公司提出重复a面生长;

 

溶液法

2010年,JP2010064549W专利SIC SINGLE CRYSTAL WAFER AND PROCESS FOR PRODUCTIONTHEREOF:住友提出熔液法;

2011年,JP2011067715W专利METHOD FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTALS AND PRODUCTION DEVICE:丰田和新日铁住金株式会社;

2017年,PCT/KR2017/009157专利SILICON-BASED MELT COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICONCARBIDE SINGLE CRYSTAL USING SAME:LG公司提出溶液法。


参考文献

专利探索者:申请号、公开号、专利号的区别

https://www.baiten.cn/news/30.html

《产业专利分析报告第67册——第三代半导体》


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