普兴公司6英寸碳化硅外延高速率生长工艺开发成功

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的典型代表，具有禁带宽度宽（3.26 eV）、击穿电场强度大（2.8 MV/cm）、饱和电子迁移速度快（2.2*107cm/s）及热导率高（3.3~4.9 W/（cm*K））等优势，可制备高压、高温、高频器件并被广泛应用在新能源汽车、风能、太阳能、智能电网、机车、下一代通讯，甚至雷达、航海、航天等领域。目前市场上的功率器件绝大多数都可被SiC器件替代，尤其是在高压大功率领域的器件。

随着社会的发展，人们对电子设备性能要求越来越高，为了满足其要求，半导体行业中对SiC的需求也将会越来越多。从2019年至2025年，市场对SiC的需求量年增长率将会达到49%，SiC正在迎来它快速发展的阶段。但国内SiC产业起步较晚，加上国外对我国关键技术和设备等方面的限制，国内SiC抛光片和高质量SiC外延片，无论在质量上还是尺寸上都较国外存在一定差距，且产能和产业化经验不足严重影响国产SiC材料的广泛推广应用。

普兴公司有近60年的外延研究历史和近20年的产业化生产经验，掌握了多种外延控制方法，积累了大量的技术经验，为SiC外延材料研发及产业化发展奠定了坚实的基础。目前吴会旺博士带领的以杨龙、李伟峰、李召勇为代表的SiC外延技术攻关团队，参考基础工艺，进行反复计算和理论模拟，建立了高速率外延生长体系并实验验证，通过优化关键技术参数，使得外延生长速率大幅度提升，为碳化硅外延的快速发展奠定了坚实的基础。

此外，与客户联合制定的三组高速率SiC外延样片已经完成各项参数测试，各项指标均满足规范要求，客户已经安排上线流片SiC外延高速率生长工艺的应用，可以将生产效率提高200%以上，大幅降低生产成本，为公司SiC外延产品扩大市场份额提供了有力保障。

SiC作为新兴材料，在技术、工艺等方面未来有较大的提升空间，普兴公司将继续努力，大力发展SiC外延产业，通过技术提升、规模化生产，与产业链上下游联合降低材料成本，提高产品质量，推动我国第三代半导体行业的发展。