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为贯彻落实《粤港澳大湾区发展规划纲要》和国家关于集成电路产业发展的决策部署,加快广东省半导体及集成电路产业发展,2月13日,广东省人民政府印发《广东省加快半导体及集成电路产业发展的若干意见》(以下简称《意见》)。


《意见》指出,要抓住建设粤港澳大湾区国际科技创新中心的有利机遇,积极发展一批半导体及集成电路产业重大项目,补齐产业链短板,提升研发创新能力,扩大开放合作,把珠三角地区建设成为具有国际影响力的半导体及集成电路产业集聚区。


《意见》不仅针对芯片设计、芯片制造、封测、设备及材料等上游产业链领域提出了具体的规划,同时也从研发能力、人才培养、产业合作、保障措施等方面提出了发展意见。


其中关于产业链规划,《意见》主要包括以下具体内容:


优化发展设计


(一)芯片设计重点发展方向。重点突破储存芯片、处理器等高端通用芯片设计,大力支持射频芯片、传感器芯片、基带芯片、交换芯片、光通信芯片、显示驱动芯片、RISC-V(基于精简指令集原则的开源指令集架构)芯片、物联网智能硬件核心芯片、车规级AI(人工智能)芯片等专用芯片的开发设计。大力发展第三代半导体芯片,前瞻布局毫米波芯片、太赫兹芯片等。


(二)打造芯片设计高地。引导设计企业上规模上水平,提升设计产业集聚度,大力发展自主品牌产品,在珠三角地区建设具有全球竞争力的芯片设计和软件开发集聚区。到2025年,形成一批销售收入超10亿元和3家以上销售收入超100亿元的设计企业,EDA(电子设计自动化)软件实现国产化(部分领域达到国际先进水平),高端通用芯片设计能力明显提升,芯片设计水平整体进入国际先进行列。


重点发展特色工艺制造


(一)制造业重点发展方向。重点推进模拟及数模混合芯片生产制造,满足未来射频芯片、功率半导体和电源管理芯片、显示驱动芯片等产品市场需求的快速增长。优先发展特色工艺制程芯片制造,支持先进制程芯片制造,缩小与国际先进水平的差距。探索发展FDSOI等新技术路径。大力发展MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(大功率绝缘栅双极型晶体管)、高端传感器、MEMS(微机电系统)、大功率LED器件、半导体激光器等产品。支持氮化镓、碳化硅、砷化镓、磷化铟等化合物半导体器件和模块的研发制造。


(二)加快布局芯片制造项目。推动现有6英寸及以上晶圆生产线提升技术水平、对接市场应用。大力支持技术先进的IDM(集设计、制造、封装、测试及销售一体化的组织模式)企业和晶圆代工企业在珠三角布局研发中心、生产中心和运营中心,建设晶圆生产线。到2025年,建成较大规模特色工艺制程生产线,积极布局建设先进工艺制程生产线。


积极发展封测、设备及材料


(一)封测重点发展方向。大力发展晶圆级封装、系统级封装、凸块、倒装、硅通孔、面板级扇出型封装、三维封装、真空封装等先进封装技术。加快IGBT模块等功率器件封装技术的研发和产业化。大力引进先进封装测试生产线和技术研发中心,支持现有封测企业开展兼并重组,紧贴市场需求加快封装测试工艺技术升级和产能提升。


(二)设备重点发展方向。积极推进缺陷检测设备、激光加工设备等整机设备,以及真空零部件、高精密陶瓷零部件、射频电源、投影镜头等设备关键零部件的研发生产。大力引进国内外沉积设备、刻蚀设备、等离子清洗机、薄膜制备设备等领域的龙头企业。支持高等学校和科研机构开展设备和零部件技术研发,引导我省有基础的企业积极布局设备及零部件制造项目。


(三)材料及关键电子元器件重点发展方向。大力发展氮化镓、碳化硅、氧化锌、氧化镓、氮化铝、金刚石等第三代半导体材料,积极发展电子级多晶硅及硅片制造,加快氟聚酰亚胺、光刻胶、高纯度化学试剂、电子气体、碳基、高密度封装基板等材料研发生产。大力支持纳米级陶瓷粉体、微波陶瓷粉体、功能性金属粉体、贱金属浆料等元器件关键材料的研发及产业化。推动电子元器件企业与整机厂联合开展核心技术攻关,提升我省高端片式电容器、电感器、电阻器等元器件产品市场占有率。


以下为《广东省加快半导体及集成电路产业发展的若干意见》解读:



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