【峰会】宽禁带半导体技术与产业发展高峰对话在京圆满召开

    2019年7月17日下午，宽禁带半导体技术与产业发展高峰对话在北京世纪金源大饭店召开。本次会议由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）与SEMI（国际半导体产业协会）中国科学院物理研究所和中国晶体学会联合主办，北京天科合达半导体股份有限公司承办。

    宽禁带联盟理事长，北京天科合达半导体股份有限公司首席科学家，中科院物理所先进材料与结构分析实验室主任陈小龙教授、北京天科合达半导体股份有限公司总经理杨建、泰科天润半导体科技（北京）有限公司总经理陈彤、深圳基本半导体有限公司总经理和巍巍、东南大学下一代半导体研究所所长顾星教授、华润微电子宽禁带半导体材料首席专家李顺峰、 中国科学院物理研究所主任工程师王文军、北京邮电大学教授唐为华、西安交通大学教授王宏兴、中国科学院苏州纳米研究所徐科教授、中国科学院半导体研究所孙国胜研究员、天科合达常务副总经理彭同华研究员、宽禁带联盟秘书长陆敏博士及企业、高校、科研机构的成员单位代表和专家共150余人出席了本次会议。 

    由宽禁带联盟理事长陈小龙教授致欢迎辞，介绍到场嘉宾，随后宽禁带半导体技术与产业发展高端对话开始，主要围绕SiC、GaN、Ga2O3、AIN和金刚石等宽禁带半导体材料，共同探讨宽禁带半导体的技术与产业的发展趋势，同时对当前在宽禁带半导体领域标准化工作的进展以及未来几年的标准制定方向进行了交流探讨。高峰对话现场各位专家分享当前宽禁带半导体技术研究、标准化工作推进及产业发展现状，与在场学者、企业家探寻宽禁带半导体技术与产业未来发展趋势和投资机会。对话现场嘉宾发言精彩绝伦，现场讨论与观众互动十分热烈，业内知名企业家、顶级技术大咖和专家学者、投资机构和投资人欢聚一堂，与大家近距离对话交流。

泰科天润总经理陈彤发言 

东南大学下一代半导体研究所所长顾星教授发言

中国科学院半导体研究所孙国胜研究员发言