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总部位于英国的Plessey公司开发用于增强现实和混合现实(AR / MR)显示应用的嵌入式微LED技术,利用其在硅上的专有氮化镓(GaN-on-Si)技术,创造了2.5 μm像素间距微LED显示屏的记录
超精细,超高分辨率2000x2000像素显示器采用微型LED,这项技术在下一代可穿戴设备,AR / VR硬件和平视显示器(HUD)的开发中发挥着关键作用。它们需要大约20%的典型LCOS(硅上液晶)或DLP(数字光处理)显示器的功率,并且可以实现比有机发光二极管(OLED)亮5倍的图像,从而有利于舒适的户外观看。
“像素间距是大型现场显示器的物理尺寸和观看图像分辨率的关键,”业务开发高级总监Clive Beech指出。 “这些是AR系统的关键属性。 2k2k显示比例可以在紧凑的物理外形中实现,2.5μm像素间距实现了具有光滑边框和精细细节的图像特征,“他补充说。 “作为Plessey最新可扩展像素架构的一个例子,这些微型LED显示产品将在增强现实(AR)和混合现实(MR)智能眼镜中实现许多新的创新和令人兴奋的应用。
Plessey表示,硅基板的低热阻可实现高效的热提取,从而降低结温和高可靠性。 GaN-on-Si技术还可以实现高能效,高分辨率和无与伦比的对比度。由于其与大规模硅IC工艺的相似性,该技术可以扩展到逐渐增大的晶圆,提高成本,均匀性和良率,并利用体积IC工业中硅晶片加工工具的最新进展。
Plessey表示,其单芯片微LED发光显示器项目最近的其他里程碑包括3月开发的天然绿色GaN-on-Si LED自然发出蓝光。 May的SID显示周2019年活动见证了世界上第一个单片GaN-on-Si微型LED发光显示器,其8μm间距与背板连接,形成完整的有源矩阵。
Plessey指出,其正在进行的微型LED显示器开发路线图包括在2020年的消费电子展(CES)上在一个晶圆上生产全RGB显示器。

信息来源:www.plesseysemiconductors.com/products/microleds


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