【APCSCRM 2018期刊论文一】用于光电器件应用的L-谷氨酸盐酸盐晶体的生长，结构，光学 ...

      本篇文章中，主要通过缓慢蒸发的方法法成功生长出单晶L-谷氨酸盐酸盐，并对所生长出的晶体进行了晶体的结构，光学和热学的分析研究。通过XRD对晶体的晶格参数进行了分析，所生长出的L-谷氨酸盐酸盐单晶属于P212121的空间群，这与文献报道中的一致。通过UV-Vis光谱对晶体的光学分析，显示其禁带宽度为5.1eV。 通过差示扫描量热法对晶体的热强度进行研究观察，发现其可用于光子器件制造，最高受限温度在200°C。而通过介电研究发现介电常数和介电损耗随着在不同温度下的频率升高而降低。通过光电导研究其正向光导性质。通过Nd：YAG激光Kurtz Perry技术确认生长的晶体的二次谐波产生（SHG），并且用KDP晶体评估生长的晶体的效率。通过Nd：YAG激光Kurtz Perry技术确认了晶体的二次谐波产生（SHG），并且用KDP晶体评估了生长的晶体的效率。