关于召开第三批团体标准立项评审会的通知 尊敬的标委会委员/各参与单位： 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（简称“宽禁带联盟”）将于2018年11月19日在中国科学院物理研究所M楼召开《碳化硅单晶抛光片表面质量自动检测方法》等10项第三批团体标准立项评审会，现将会议有关事宜函告如下： 一、时间：2018年11月19日（星期一）9:00~11:40 二、地点：中国科学院物理研究所M楼 三、会议议程： 序号 | 时间 | 团体标准名称 | 提出单位 | 1 | 09:00~09:12 | 《碳化硅单晶抛光片表面质量自动检测方法》 | 北京天科合达半导体股份有限公司 | 09:12~09:24 | 《碳化硅衬底片表面缺陷测试方法》 | 北京世纪金光半导体有限公司 | 09:24~09:36 | 《碳化硅单晶片表面质量和微管密度的测试方法》 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 2 | 09:36~09:48 | 《半绝缘碳化硅单晶片高阻测试方法》 | 北京世纪金光半导体有限公司 | 09:48~10:00 | 《高纯半绝缘SiC电阻率非接触测量方法标准》 | 中国电子科技集团公司第二研究所 | 3 | 10:00~10:12 | 《碳化硅金属氧化物场效应晶体管通用技术规范》 | 北京世纪金光半导体有限公司 | 4 | 10:12~10:24 | 《导电碳化硅单晶片电阻率测试方法》 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 5 | 10:24~10:36 | 《功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验》 | 中国科学院电工研究所 | 6 | 10:36~10:48 | 《碳化硅晶圆残余应力检测方法》 | 北京聚睿众邦科技有限公司 | 7 | 10:48~11:00 | 《氧化镓单晶晶片摇摆曲线的测试方法》 | 北京镓族科技有限公司 | 8 | 11:00~11:12 | 《氧化镓单晶载流子浓度测试方法》 | 北京镓族科技有限公司 | 9 | 11:12~11:24 | 《氧化镓基光电探测器芯片光谱响应性能测试方法》 | 北京镓族科技有限公司 | 10 | 11:24~11:36 | 《氧化镓外延薄膜缺陷测量标准》 | 北京镓族科技有限公司 |
诚邀各委员拨冗参会，同时请各参与单位相关负责人届时前来参会，并于11月16 日前将参会回执发送至邮箱liuyichen@iawbs.com。如有疑问请随时与联盟秘书处联系，联系电话：18931699592。 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟秘书处 2018年11月13日 附件1：关于召开第三批10项团体标准立项评审会的通知.pdf 附件2：参会回执.docx | 
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