【联盟动态】2018年宽禁带外延材料和功率器件制备及检测培训班成功举办

2018年11月10日，宽禁带外延材料和功率器件制备及检测培训班于中国科学院物理研究所D楼210会议室成功召开。三位在宽禁带半导体领域有着杰出成就的国内专家：孙国胜研究员、张峰博士、许恒宇博士就碳化硅等宽禁带半导体外延材料生长和功率器件制备及检测等内容进行了生动详细的讲授。

此次培训班是中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称"联盟"）联合战略伙伴-米格实验室共同组织。目的是为了培养一批熟悉宽禁带半导体外延材料生长和功率器件制备及检测方面的高素质复合型人才，使其成为在研发、工艺、检测及质管等方面的核心骨干，为实现我国宽禁带半导体产业持久、健康发展提供人才支撑。

培训班合影

孙国胜研究员以"宽禁带4H-SiC外延生长及检测技术"为主题，从功率半导体及4H-SiC材料、4H-SiC台阶流动控制生长、外延生长在4H-SiC功率器件制造中的作用和4H-SiC外延材料检测技术四个方面进行了精彩的讲解。授课过程中，孙国胜研究员还列举了很多检测方面的例子，以更直观的形式为学员们进行了系统培训。

孙国胜研究员授课

张峰博士以"宽禁带半导体SiC器件研究进展"作为授课主题，主要从第三代半导体SiC器件研究进展、SiC肖特基二极管原理和特性研究、SiC MOSFET器件原理和特性研究三个方面由浅入深地进行了讲解，让很多学员对宽禁带半导体在整体上有了更清晰的理解。

张峰博士授课

许恒宇博士主要就"碳化硅器件的特性及分析研究"主题进行了讲授。针对碳化硅器件从其电学特性的基础、碳化硅SBD/JBS电学特性分析、碳化硅MOSFET电学特性分析和碳化硅栅氧特性分析和可靠性研究四方面进行了详尽讲解。

许恒宇博士授课

在课后讨论环节，学员们踊跃提问，针对老师的培训内容、在实际研究、生产过程中存在的问题、对于宽禁带半导体检测方面的疑问与授课老师进行了积极讨论及互动，氛围十分热烈。三位老师还结合本次培训内容对学员们进行了现场测试，以考核的方式总结了本次培训过程中重要的知识点。

培训现场

课后考核现场

最后由联盟秘书长陆敏博士和米格实验室闫方亮总经理为考核成绩合格的学员颁发了结业证书。本次培训针对当前宽禁带半导体产业在外延材料和功率器件制备及检测上关键核心技术问题进行了培训，获得了学员们的一致好评，认为本次培训内容切合企业及研究机构的需求，结合当前宽禁带半导体领域发展热点，在提高自身专业技术、拓展视野上很有帮助。

获授结业证书的部分学员

宽禁带半导体目前已成为支撑信息、能源、交通、先进制造、国防等领域发展的重点新材料。同时宽禁带半导体全产业链也已成为发展建设绿色节能社会与智能制造中至关重要的一环。联盟将致力于推动宽禁带半导体全产业链的整体发展，并在今后继续为大家提供更多关于宽禁带半导体技术的培训、会展、标准化等支撑服务工作。