3月27日，英飞凌对外发布新品—光伏用1200V CoolSiC™ Boost EasyPACK™模块：

光伏用1200V CoolSiC™ Boost EasyPACK™模块，采用M1H芯片，导通电阻8-17毫欧五个规格，PressFIT压接针和NTC。

产品特点：

Best-in-Class封装，高度为12毫米

领先的WBG材料和Easy模块封装

非常低的模块杂散电感

大的反向工作安全区RBSOA

1200V CoolSiC™ MOSFET，M1H芯片

增大了推荐栅极驱动电压范围，从+15...+18V & 0...-5V

扩展的最大栅极-源极电压为-10V到+23V

过载条件下的Tvjop最高可达175°C

集成NTC温度传感器

光伏市场带给碳化硅未来

在能源电子产业加速发展的背景下，全球光伏装机量持续攀升，与此同时也在为碳化硅带来可观的市场增量。

据市场消息，应用于光伏发电及储能的碳化硅市场规模将在2025年达到3.14亿美元，2019—2025年复合增长率为17%。

SiC器件的长处正是更高的能源转化效率，其性能优势与光伏逆变器的迭代需求有着较高的契合度。华为发布的智能光伏十大趋势显示，光伏电站向大功率、高可靠性发展已成为趋势。以光伏逆变器为例，直流电压从1100V提升到1500V。通过碳化硅、氮化镓等新材料的应用，将数字技术与电力电子技术、热管理技术等充分结合，预计未来5年，逆变器的功率密度将再提升50%。

随着太阳能电池板的尺寸和功率密度逐步增加，传统的硅基器件已不能满足光伏逆变器MPPT(最大功率点跟踪)电路在效率和发热方面的需求，各方面性能更优越的碳化硅功率器件上场应用成为必然趋势。相对硅器件而言，碳化硅功率器件能为光伏逆变器带来更高的转换效率、更低的能量损耗，从而有效缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。

碳化硅已经开始在能源行业找到自己的位置，并可能在未来十年内进入大功率工业应用。然而，这并不是碳化硅故事的结局。随着特斯拉宣布在其未来的动力总成中减少碳化硅，市场价值和技术都可能根据原始设备制造商的选择而改变。

面向光伏逆变器功率更大、效率更高、体积更小、成本更低，以及组串式逆变器配置灵活、易于安装的发展方向，碳化硅供应商从多个技术指标入手，持续提升器件性能。提升光伏逆变器的最大直流母线电压，将提升光伏变电站的成本效益，这对碳化硅功率器件的电压等级提出了更高的要求。

在1100V的直流系统中，功率级别一般在8kW—150kW之间，100kW的低功率和中功率系统通常使用1200V和650V开关。当光伏逆变器从1100V做到1500V，功率器件的工作电压也随之提升。

由于光伏逆变器所处的户外环境比较恶劣，以及运行周期长等原因，行业对碳化硅功率器件的可靠性等综合性能的要求更加严苛，加之光伏行业竞争激烈，客户不断追求性价比，非常考验碳化硅企业的综合竞争力。碳化硅是世界上第三硬的复合材料，且非常易碎，因此要注重碳化硅制备过程中的良率和质量。

随着碳化硅技术的不断成熟和降本，大部分光伏逆变器中的超结MOSFET和IGBT会被替代，这对于整条碳化硅产业链来说是一个巨大的市场。

来源：碳化硅芯观察