中国科学院微电子研究所

中国科学院微电子研究所是从事半导体器件与芯片技术研发的国立研究所，具有多年从事SiC等宽禁带半导体工艺技术与器件研发测试经验，是国内最早开展SiC功率器件研究的单位之一。SiC团队由多名成员组成，负责器件工艺开发、工艺整合、可靠性测试分析验证等一系列工作。目前团队已经实现600V-1700V SiC JBS器件研制的全面突破，完成1200V/1700V MOSFET器件样品研制，成功开发3300V/4500V SiC SBD和PiN器件。工艺平台由中国第一条4英寸生产线发展而来，一直引领着碳化硅创新的脚步，拥有782余平方米超净间，包括光刻、薄膜、刻蚀、后道和检测五大部分，各种重要工艺设备50余台，承接了国家大量科研课题和军工任务，在SiC电力电子器件领域有着很高的科研水平。

目前通过前期分析碳化硅材料的缺陷种类，获得栅氧前的缺陷分布图，研究分析碳化硅材料的缺陷种类与栅氧可靠性之间的关联，在涉及电/热应力测试方面的施加晶圆级进行实现，可以实现多个应力的并行施加与快速检测，并可以直接对工艺引起的随机失效进行直接筛选。通过对器件稳态寿命（大功率器件老化系统）、耐湿（可程式恒温恒湿试验机）、间歇寿命（半导体功率循环系统）、温度循环（冷热冲击快速温变综合试验机）等的测试，来对器件的进行可靠性和失效分析，通过SEM电镜、EMMI探针台、X射线检测设备、ESD测试（全自动抗静电测试系统）等对器件进行失效分析，综合分析能力处于国内领先水平。拥有300平米万级净化测试实验室；400平米可靠性实验室；环境控制：温度15℃—35℃；湿度35％—65％；气压86KPa—106KPa；无强振源干扰；无腐蚀性气体；有良好的ESD控制。测试团队有着强大的理论分析能力和丰富的操作经验，具有丰富的软、硬件开发能力。能够依据行业相关标准给用户提供功率器件的相关测试。

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