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摘要: 2018年4月23日下午,中国科学院副院长李树深院士,中国科学院物理研究所党委书记、副所长文亚,中国科学院物理研究所先进材料实验室主任陈小龙研究员,中国科学院大学电子电气与通信工程学院副院长焦建彬教授,中国 ...

      2018年4月23日下午,中国科学院副院长李树深院士,中国科学院物理研究所党委书记、副所长文亚,中国科学院物理研究所先进材料实验室主任陈小龙研究员,中国科学院大学电子电气与通信工程学院副院长焦建彬教授,中国科学院物理研究所科技资产管理与转移转化办公室主任兼北京物科发展科技有限公司总经理朱春丽,中国科学院物理研究所先进材料实验室郭丽伟研究员,中国科学院物理研究所先进材料实验室郭建刚研究员一行领导莅临天科合达公司调研指导,了解天科合达公司目前的生产及经营情况,并进行了深入的沟通与交流。

中国科学院副院长李树深院士一行参观天科合达生产基地

李树深院士一行在公司总经理杨建先生、监事长惠毓伦先生、常务副总经理彭同华博士等人的陪同下首先参观了公司位于大兴区生物医药基地的生产基地,了解了公司的生产研发、工艺流程和产品质量的相关内容,并对目前公司的生产过程,产品质量把控等方面提出了很多建设性意见。

座谈会现场

随后,李树深院士一行来到公司办公楼第三会议室进行了座谈交流,座谈会由总经理杨建先生主持。与会者首先观看了天科合达公司宣传短片,然后由常务副总经理彭同华博士对天科合达公司发展历程、成果业绩、市场态势与公司愿景等方面做了详细的汇报。

李树深院士发言

在听取完汇报后,李树深院士率先发言。他首先充分肯定了天科合达在国内第三代半导体SiC产业的龙头地位,并对天科合达在未来整体规划布局和产业发展等方面提出了希望,指出目前在严酷的国际形势下,天科合达还面临着许多挑战,同时也是极佳的发展机遇,公司要努力进行技术创新,推动整体产业链健康快速高质量发展。半导体技术是信息技术的硬实力,要想实现真正的国家信息安全就一定要加强核心技术,尤其是半导体材料、装备和器件的自主可控。

交流讨论

随后的座谈交流中文亚党委书记及朱春丽总经理对科技成果转化奖励政策做了详细的解读。陈小龙研究员对碳化硅技术与产业发展趋势做了预测与展望。杨建总经理就目前公司面临的一些困难,如公司发展工业用地问题,人才需求问题和资本需求等问题做了详细的阐述。监事长惠毓伦先生还就公司后期股权结构和发展模式两方面做了补充交流。

李树深院士表示目前第三代半导体产业正处于爆发的前期,天科合达要做大做强,转变企业的发展模式是关键的一环,天科合达应当努力尝试,大胆创新。另外对于天科合达落地顺义项目,公司应该积极推进落实,中科院将会协调科学院和北京市等多方资源协助天科合达将该项目尽快落地生根,并早日开花结果。

最后杨建总经理代表公司由衷地感谢李树深院士一行的到访和指导,感谢李树深院士对天科合达的认可和支持。同时也感谢中科院物理所对公司多年来一如既往的大力支持和陪伴。相信天科合达在各级政府和领导的大力支持下,未来几年天科合达必将迎来快速发展,稳步提升国内外市场份额和营业收入,快速成长为第三代半导体行业的独角兽,为北京市乃至我国第三代半导体产业蓬勃发展做出更大的贡献!


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