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摘要: β-Ga2O3是一种新型超宽禁带半导体材料,禁带宽度约为4.8eV,击穿电场强度高达8MV/cm,适用于制造高电流密度的功率器件、紫外探测器、发光二极管等。β-Ga2O3是唯一的高温稳定相,可以通过熔体法生长出无杂相的β-Ga ...

β-Ga2O3是一种新型超宽禁带半导体材料,禁带宽度约为4.8eV,击穿电场强度高达8MV/cm,适用于制造高电流密度的功率器件、紫外探测器、发光二极管等。β-Ga2O3是唯一的高温稳定相,可以通过熔体法生长出无杂相的β-Ga2O3单晶晶体。

近日,中国电科四十六所在多年晶体生长的基础上,通过改进热场、优化生长气氛及工艺,突破孪晶抑制、原料分解、高完整性等关键技术问题,具备导模法制备2英寸β-Ga2O3单晶的能力。图1为制备出的长70mm、宽50mm、厚4mm的高阻β-Ga2O3单晶,具有很好的结晶质量和完整性。XRD摇摆曲线(图2)尖锐对称,半高宽为15.5弧秒,位错密度约为2×104cm-2β-Ga2O3单晶电阻率109Ω·cm,均匀性较好,处于国际先进水平。

                   

                                           

    图1 导膜法生长的高阻β-Ga2O3单晶   

 

   高阻β-Ga2O3单晶XRD摇摆曲线

来源:中国电子科技集团公司第四十六研究所


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