中国电科四十六所突破多项关键技术，制备出70mm（长）Х50mm（宽）Х4mm（厚）β-Ga2O ...

β-Ga₂O₃是一种新型超宽禁带半导体材料，禁带宽度约为4.8eV，击穿电场强度高达8MV/cm，适用于制造高电流密度的功率器件、紫外探测器、发光二极管等。β-Ga₂O₃是唯一的高温稳定相，可以通过熔体法生长出无杂相的β-Ga₂O₃单晶晶体。

近日，中国电科四十六所在多年晶体生长的基础上，通过改进热场、优化生长气氛及工艺，突破孪晶抑制、原料分解、高完整性等关键技术问题，具备导模法制备2英寸β-Ga₂O₃单晶的能力。图1为制备出的长70mm、宽50mm、厚4mm的高阻β-Ga₂O₃单晶，具有很好的结晶质量和完整性。XRD摇摆曲线（图2）尖锐对称，半高宽为15.5弧秒，位错密度约为2×10⁴cm^-2，β-Ga₂O₃单晶电阻率≥10⁹Ω·cm，均匀性较好，处于国际先进水平。

    图1 导膜法生长的高阻β-Ga₂O₃单晶   

   图2 高阻β-Ga₂O₃单晶XRD摇摆曲线

来源：中国电子科技集团公司第四十六研究所