请选择 进入手机版 | 继续访问电脑版
摘要: 2018年3月27日,宽禁带半导体技术标准化论坛暨中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(以下简称“宽禁带联盟”)首批团体标准发布会在北京市中科院物理所召开,北京天科合达半导体股份有限公司(以下简称“天科合达” ...


2018年3月27日,宽禁带半导体技术标准化论坛暨中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(以下简称“宽禁带联盟”)首批团体标准发布会在北京市中科院物理所召开,北京天科合达半导体股份有限公司(以下简称“天科合达”)作为首批团体标准的主要牵头起草单位,与中科院物理所、米格实验室、北京质信标准咨询服务有限公司联合承办了此次会议。北京市经济和信息化委员会科技标准处梁化君调研员、北京市质量技术监督局标准化处钟锌章调研员、北京市科委北京新材料发展中心蔡永香副主任、国标委半材标委会贺东江秘书长、中关村标准化协会孙志勇秘书长、宽禁带联盟理事长,宽禁带联盟标委会主任委员,天科合达首席科学顾问陈小龙研究员、宽禁带联盟监事长,天科合达总经理杨建、宽禁带联盟副理事长,宽禁带联盟标委会副主任委员,天科合达常务副总经理彭同华研究员、宽禁带联盟副理事长,中科院半导体所孙国胜研究员、宽禁带联盟副理事长,泰科天润半导体科技(北京)有限公司总经理陈彤、宽禁带联盟标委会副主任委员,株洲中车时代电气股份有限公司副总工程师刘国友、宽禁带联盟标委会委员,中电46所首席科学家林健、宽禁带联盟标委会委员,中科院物理所王文军研究员、宽禁带联盟标委会委员,东莞天域半导体科技有限公司研发部经理张新河博士、宽禁带联盟标委会委员,瀚天天成电子科技(厦门)有限公司总经理冯淦博士、宽禁带联盟标委会委员,中科院电工所宁圃奇研究员、宽禁带联盟标委会委员,中科院半导体所研究员张峰博士、宽禁带联盟标委会委员,北京世纪金光半导体有限公司何丽娟、中科院电工所张瑾博士、全球能源互联网研究院钮应喜、天科合达生产部主管刘振洲、国家纳米科学中心科技处副处长任红轩、北京国融工发投资管理有限公司业务研发部经理杨帆、北京质信标准咨询服务有限公司技术总监郭剑川博士、米格实验室总经理闫方亮博士、中科院半导体所赵丽霞博士、宽禁带联盟秘书长陆敏博士、宽禁带联盟副秘书长郑红军、联盟会员单位及企业、高校、科研机构的代表和专家共60余人出席了本次会议。会议由宽禁带联盟秘书长陆敏博士主持。

发布会现场 

宽禁带联盟标委会主任委员陈小龙研究员在会上宣读了“关于批准发布《碳化硅单晶》、《碳化硅外延片表面缺陷测试方法》、《碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法》和《电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法》四项团体标准的公告”;市经信委梁化君调研员、北科委新材料发展中心蔡永香副主任、中关村标准化协会孙志勇秘书长和宽禁带联盟副理事长孙国胜研究员为联盟首批四项团体标准发布揭幕;国标委半材标委会贺东江秘书长、宽禁带联盟标委会主任委员陈小龙研究员、宽禁带联盟标委会副主任委员彭同华研究员和宽禁带联盟标委会副主任委员刘国友对首批四项团体标准的牵头起草单位颁发了荣誉证书。北京市经济和信息化委员会科技标准处梁化君调研员、国标委半材标委会贺东江秘书长分别致辞祝贺。牵头起草单位天科合达、全球能源互联网研究院、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司和中科院电工所代表分别作了专题报告,对首发团体标准进行了详细解读与宣贯。随后北京质信标准咨询服务有限公司技术总监郭剑川博士、宽禁带联盟秘书长陆敏博士、米格实验室总经理闫方亮博士和中科院半导体所赵丽霞博士分别作了题为《国内外团体标准发展浅议与展望》、《碳化硅半导体技术标准现状与发展趋势》、《技术标准支撑检测平台发展》和《氮化物LED相关标准及检测技术》的精彩报告。

 

 

宽禁带联盟标委会主任委员陈小龙研究员宣读标准发布公告

 

 

梁化君调研员、蔡永香副主任、孙志勇秘书长和孙国胜副理事长为四项团体标准发布揭幕

 

贺东江秘书长、联盟标委会主任委员陈小龙研究员、联盟标委会副主任委员彭同华研究员和联盟标委会副主任委员刘国友为标准牵头起草单位颁发荣誉证书

 

北京市经济和信息化委员会科技标准处梁化君调研员致辞

 

国标委半材标委会贺东江秘书长致辞

 

北京天科合达半导体股份有限公司刘振洲作报告

 

全球能源互联网研究院钮应喜作报告

 

瀚天天成电子科技(厦门)有限公司总经理冯淦博士作报告

 

中科院电工所张瑾博士作报告

 


北京质信标准咨询服务有限公司技术总监郭剑川博士作报告

宽禁带联盟秘书长陆敏博士作报告

 

米格实验室总经理闫方亮博士作报告

 

中科院半导体所赵丽霞博士作报告

 

     天科合达生产部主管刘振洲深入解读了《碳化硅单晶》团体标准。作为宽禁带半导体技术领域首个团体产品标准,该标准的推出有助于减少半导体行业对碳化硅单晶要求存在的质量分歧,杜绝碳化硅单晶生产行业内的不规范经营和不正当竞争。天科合达基于自主知识产权的单晶炉生长的2-6英寸高品质碳化硅单晶产品及企业标准,综合考虑市场需求的具体情况和不同碳化硅单晶制造企业的实际水平,在协商一致的原则基础上创制了该标准。该标准中晶体质量技术要求达到了国际先进水平。随着产业链环节的不断细分,将会涌现出更多专注于碳化硅晶体切磨抛的公司,碳化硅单晶将凸显出更多的市场需求,该标准将促进碳化硅半导体产业链更进一步的快速健康发展,产生更可观的经济效益和社会效益。

天科合达是宽禁带联盟的理事长单位,是国内成立最早、实现量产最早、产品种类最多、规模最大的SiC单晶衬底国高新企业。是中关村标准化试点单位,SiC单晶材料领域唯一一家“新三板”挂牌企业。近年来公司承担并实施了国家科技部重点研究计划、863、02重大专项、科技支撑计划,北科委重点研究计划和新疆建设兵团重大研究计划等项目数十项,形成了一系列重点和关键技术研究成果。基于这些研究成果,公司至今累计申请国家发明专利近50项(含6项国际发明专利),获授权发明专利近40项(含4项国际专利)。专利保护范围涵盖了晶体生长设备、晶体生长技术、晶片加工技术以及清洗技术等方面。公司积极参与碳化硅产业标准化工作,完善国内碳化硅行业相关标准,由公司牵头起草的3项国家标准和1项团体标准,公司参与起草的1项国家标准、1项行业标准和3项团体标准都已成功发布并实施。公司在研的标准包括5项国家标准和2项团体标准。

宽禁带半导体技术及应用是一个国际上公认的战略性新兴产业,具有巨大的技术带动性和市场牵引性。宽禁带半导体拥有高频、高功率、抗高温、抗高辐射、光电性能优异等特点,特别适合于制造射频通信器件、光电子器件、电力电子器件,在5G 通信、新能源、国防军工等市场具有明确而可观的市场前景,是半导体产业重要的发展方向。各国政府高度重视宽禁带半导体技术,国际龙头企业也加速布局,抢占技术和市场制高点。由于宽禁带半导体可用于军事装备,国外对我国实行严厉的技术封锁。《瓦森纳安排》的出口管制和中国资本对外收购频频受阻更是反映出宽禁带半导体已成为美国等发达国家重点关注的核心技术。预计到2020年,宽禁带半导体产业将在节能减排、信息技术、国防装备三大领域催生上万亿元的潜在市场。我国是全球最大的宽禁带半导体应用市场。天科合达将充分发挥我国市场需求、技术积累、人才储备的优势,将宽禁带半导体材料作为公司战略发展的重要突破口,从而广泛联合宽禁带联盟会员单位联合创新,盟约共赢,更好的支撑我国宽禁带半导体产业的快速可持续发展。


路过

雷人

握手

鲜花

鸡蛋
关闭

站长推荐上一条 /1 下一条

返回顶部