天津市（简称：津，别称：津沽）

2021年5月发布的《天津市产业链高质量发展三年行动方案（2021—2023年）》提出，发挥集成电路设计领域优势，夯实集成电路制造、计算机零部件及外围设备制造等领域基础，重点推动新一代CPU、大规模集成电路晶圆生产线、先进封测生产线、化学机械抛光（CMP）设备、第三代半导体材料等项目建设，引进和研制图形处理器、存储器、第五代移动通信（5G）技术芯片、刻蚀机等高端项目和产品。到2023年，培育形成5至7家具有行业领先地位的龙头企业，引育若干关键核心企业，实现关键装备核心产品突破“卡脖子”，在国产CPU、移动通信、工业控制、信息安全等细分领域形成特色鲜明、优势突出的产业集群，培育良好产业生态，推动国产CPU、射频芯片自给率市场份额逐年提高。强调加快建设世界最大的8英寸芯片生产基地；



2021年6月，天津市人民政府发布《天津市制造业高质量发展“十四五”规划》（津政办发〔2021〕23号）。

《规划》提出加快发展以人工智能产业为核心、以新一代信息技术产业为引领、以信创产业为主攻方向、以新型智能基础设施为关键支撑、各领域深度融合发展的新兴产业，加快建设“天津智港”。

《规划》提到，要发展新一代信息技术材料。扩大8-12英寸硅单晶抛光片和外延片产能，加快6英寸半绝缘砷化镓等研发生产。开发生产高精度、高稳定性、高功率光纤材料，提升光电功能晶体材料研究开发和产业化水平。推动氟化氩光刻胶、正性光刻胶材料绿色发展，改进光刻胶用光引发剂等高分子助剂材料性能，提升抛光液材料环保性。

《规划》强调要夯实产业基础能力。实施产业基础再造工程，着力推动核心基础零部件（元器件）、工业基础软件、关键基础材料、先进基础工艺等领域研发创新、重点突破，强化产业技术基础研究攻关，提升产品和技术竞争力，补齐产业链供应链短板。支持企业通过“揭榜挂帅”等方式承担重大攻关项目，加快解决共性基础问题，增强自主保障能力。积极承接一批国家级重点产业基础项目，引导产学研用联合开展关键核心技术和共性技术攻关，加快实现产业化突破。重点推动唯捷创芯5G终端高集成度射频模组、国芯可信计算系列系统级芯片（SOC）等核心基础零部件项目，实施中环领先材料集成电路硅片、金桥焊材高端焊接材料等关键基础材料项目，以及北特汽车轻量化铝合金精密成型自动化制造等先进基础工艺项目。



《天津市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出：集成电路是天津发展信创产业发展高地的重点发展产业。

（1）强化芯片设计、高端服务器制造等优势，补齐芯片制造、封测、传感器、通信设备等薄弱或缺失环节，建成“芯片—整机终端”基础硬件产业链，实现全链发展。着力夯实制造业根基。增强制造业核心竞争力。实施产业基础再造工程，着力推动核心基础零部件和元器件、关键基础材料、先进基础工艺、工业基础软件、产业技术基础等领域研发创新、重点突破，全面提升工业基础能力。

（2）提出要重点发展 CPU、5G、物联网、车联网等领域的处理器芯片设计，在系统级芯片（SoC）、图形处理器（GPU）、可编程逻辑门阵列（FPGA）等领域突破一批关键技术。做强芯片用8-12英寸半导体硅片制造，布局12英寸晶圆生产线项目。







目前天津市形成了滨海新区以IC设计为主导，西青区主攻芯片制造、封装测试，津南区聚焦高端设备、材料领域的分布格局。







重庆市（简称：渝，别称：山城）



《重庆市半导体产业发展五年工作方案》提出，重庆将聚焦“功率半导体芯片、存储芯片、模拟与数模混合芯片、人工智能和物联网芯片”四大重点方向，瞄准柔性显示、Micro-LED等前沿技术，补齐集成电路设计短板，持续做大晶圆制造规模，不断提升封装测试水平，鼓励面板产线技术升级，全力做好金融服务支撑，注重相关专业人才培养，高质量布局“2+N”半导体产业规划。



2021年8月3日，重庆市人民政府发布《重庆市制造业高质量发展“十四五”规划（2021—2025年）》（渝府发〔2021〕18号）。

《规划》提出要重点发展包括半导体在内的新一代信息技术。

（1）依托重庆市电源管理芯片发展基础，以IDM（整合元件制造）为路径，加快后端功率器件发展，打造重庆市半导体产业核心竞争优势；

（2）发挥重庆市数模/模数混合集成电路技术优势，积极培育物联网（工业互联网）芯片、激光器芯片、探测器芯片等专用芯片及相关器件；

（3）面向消费电子、汽车电子、5G（第五代移动通信）等领域现实需求，推进集成电路公共服务平台建设，培育引进一批集成电路设计龙头企业，探索设计成果本地化流片途径，丰富重庆市集成电路产品种类；

（4）加强WLP（晶圆级封装）、TSV（硅通孔）、FC（倒装）、MCP（多芯片封装）、3D（三维）等先进存储封装技术研发应用，满足多样化的封装需求。加强宽禁带半导体材料技术研发和在半导体产品中应用，抢占未来竞争高地。

（5）先进传感器及智能仪器仪表：智能化CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器、温度传感器、湿度传感器、压力传感器、惯性传感器、重力感应传感器、指纹识别传感器、二维/三维视觉传感器、力矩传感器、碰撞传感器等先进传感器产品。



《重庆市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，发展新一代信息技术，打造半导体优势产品谱系。

（1）功率器件，微机电系统（MEMS）传感器，模拟/数模混合芯片，存储芯片，人工智能芯片，硅基光电芯片等半导体。

（2）有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）、微型发光二极管（MicroLED）等面板及下游，激光显示、激光电视，超高清视频等新型显示产品及内容，智能可穿戴设备，智能家居，服务机器人，智能视觉终端等新型智能终端。

（3）高密度、柔性印制电路板，片式元器件，高端滤波器，天馈线等新型电子元器件。

（4）基础软件，工业软件，平台软件，高端行业应用软件，新兴软件，信息安全软件等。

（5）紧盯软件定义汽车、芯片制造汽车、数据开发汽车等新动向，重点发展车规级芯片。

（6）加快先进基础材料开发，突破关键战略材料技术。重点发展功能改性高分子材料等先进基础材料、化合物半导体材料。



重庆集成电路产业将主要从以下方向发力：

（1）补齐集成电路设计短板。加快建设集成电路公共服务平台，完善EDA工具、IP库、检测等公共服务功能。引进培育一批集成电路设计龙头企业，打造集成电路设计产业集聚区。

（2）做大晶圆制造规模。引进、合资合作建设一批大尺寸、窄线宽先进工艺晶圆制造重大项目，加快建设晶圆制造类重大项目。

（3）提升封装测试发展水平。发展高密度、高可靠性先进封装工艺，推进SK海力士、华润封测等项目加快建设和产能爬坡，进一步壮大封装测试产业规模。

（4）重点补强专用设备链条。以川渝联合建设世界级电子信息和装备制造产业集群为契机，重点发展设备产业。重点聚焦发展潜力巨大、国产替代容易、技术门槛较低的特种检测设备领域。



重庆高新区（西永微电园）



西永微电园从集成电路全产业链出发，构建从EDA平台、共享IP库、芯片设计、制造到封装测试的集成电路全新产业链。目前占重庆市集成电路产值的70%以上。



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安徽省（简称：皖）



2018年，安徽省发布《安徽省半导体产业发展规划（2018-2021年）》提出，构建“一核一弧”的半导体产业空间分布格局。

1、核心布局。合肥市要发挥现有产业基础优势，以重大项目为引领，积极推进面板驱动芯片、家电核心芯片、汽车电子芯片模块国产化，打造集成电路设计、制造、封装测试、装备和材料全产业链，完善产业配套，辐射带动全省半导体产业发展。

2、弧形布局。蚌埠市要把握军民融合大趋势，拓展微机电系统（MEMS）等产品的研发与制造空间，推进在工业、汽车电子、通信电子、消费电子等领域的应用。滁州市要依托区位优势，重点发展半导体封装测试产业和半导体材料产业。芜湖市要以化合物半导体为突破口，积极推进在汽车、家电等领域的应用。铜陵市要利用引线框架、封装测试设备的研发与制造基础，探索发展高纯金属靶材、键合金属丝（铜丝为主），积极创建半导体设备研发中心及国家半导体设备研发生产基地。池州市要持续推动半导体分立器件的制造、封装测试等，实现产值突破，形成产业规模。省内其他城市要结合产业基础，支持配套产业发展，拓展应用领域，逐渐融入“一核一弧”半导体产业链条。



《安徽省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》指出，在集成电路方面，重点开展先进工艺芯片制造技术、新型集成电路芯片、光通信芯片和高端芯片设计技术、集成电路核心设备、新型 MEMS 器件、EDA 软件等研发，开展系统级封装平台建设。

《规划纲要》提出战略性新兴产业集群建设工程，做大做强长鑫、晶合等龙头企业，迅速提升集成电路制造规模和能级，积极参与国家集成电路制造业创新中心等平台建设，打造高效协同的集成电路产业集群。



合肥市



2020年发布的《合肥市数字经济发展规划（2020-2025年）》提出，稳步壮大集成电路产业。

1、全力推进长鑫芯片生产线建设。以显示驱动、智能家电、汽车电子、功率集成电路、存储器等芯片为切入点，通过应用牵引搭建产业合作平台、公共服务平台，瞄准先进工艺，积极联合行业领军企业建设高水平集成电路芯片生产线和先进封装测试生产线。

2、积极培育芯片设计企业。招引培育优秀芯片设计企业，发挥好集成电路产业发展基金引导作用，助力芯片设计企业快速发展。依托芯片设计龙头企业开展显示驱动、汽车电子、数字家庭、移动互联网、物联网、云计算等领域的芯片设计和系统解决方案研究。

3、发展新型功率器件和分立器件。鼓励发展基于氮化镓的高温大功率电子器件和高频微波器件，基于砷化镓的光电器件和微波器件等新型功率器件，鼓励企业研发集成、逻辑、控制、检测和保护电路的新型智能功率器件，发展面向工业和汽车的新型功率模块相关产品。

4、提升材料和设备供给能力。引进具备条件的单位开展集成电路关键设备、材料的研发和产业化，支持国产装备、材料在集成电路生产线上的应用。



《合肥市国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》提出产业集群培育行动计划。集成电路：聚焦芯片设计、芯片制造、封装测试、设备和材料等领域，加大动态存储、显示驱动、GPU、MCU、DSP、FPGA、CMOS、可控硅、分立器件、化合物半导体、IP核、EDA等技术研发，重点加快长鑫12英寸存储器晶圆制造基地建设，推动晶合12英寸晶圆制造基地二期、沛顿集成电路先进封测和模组生产、第三代功率半导体产业园等项目建设，促进海峡两岸（合肥）集成电路产业合作试验区建设，打造中国IC之都。



合肥市将加快国产集成电路的技术创新步伐，进一步完善“合肥芯”“合肥产”“合肥用”全链条，全面提升国家集成电路战新产业集群能级。目前，在产业布局上，合肥市已形成了经开区、高新区、新站高新区三大集成电路产业基地，拥有集成电路企业近300家，聚集从业人员超过2万人，初步完成了产业布局，成为国内集成电路产业发展最快、成效最显著的城市之一，被国家发改委、工信部列为集成电路产业全国重点发展城市，获批了全国首个“海峡两岸集成电路产业合作试验区”和国家首批集成电路战略性新兴产业集群。



池州市



《池州市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，发展壮大半导体产业。坚持把半导体产业作为全市战略性新兴产业的首位产业，推动半导体产业向5G、IC设计、大数据和云计算、人工智能等融合领域延伸，提升省级半导体产业基地能级，打造全国有特色的分立器件产业基地和设计、封测产业基地。到2025年，引进培育20家以上集成电路设计企业、50家封装测试企业、5家晶圆制造企业，以半导体为核心的新一代信息技术产业产值突破300亿元。

《规划纲要》提出“建芯”工程和“固器”工程。

“建芯”工程。按照“抓两头(设计、封装测试)、促中间(制造)”的发展思路，壮大芯片设计，做强封装测试，突破晶圆制造和材料。开展应用领域专用芯片以及5G、传感器、图像处理、数字信号处理等高端芯片研发。大幅提升封装测试水平，加快先进封装和测试技术的开发及产业化。聚焦特色芯片制造，加强化合物半导体生产线的布局和建设。促进半导体清洗、修复等配套产业协同发展。

“固器”工程。巩固GPP分立器件优势，抢抓新型基础设施建设契机，聚焦电源控制芯片市场，大力发展新一代半导体分立器件，加快发展关键电子材料。到2025年，打造2-3家产值超5亿元的分立器件IDM (设计+制造+封装)龙头企业及20家配套企业，形成功率半导体器件-模块-芯片的全链条设计生产能力。

《规划纲要》提出半导体产业发展重点：

集成电路设计。重点开发以应用为导向的定制化芯片，大力发展面板显示及触控驱动芯片、汽车电子芯片、家电芯片、MEMS传感器、高端电力电子功率器件等专用芯片设计，引导芯片设计企业与整机制造企业协同开发，推进产业化。

封装测试。重点发展芯片级封装（CSP）、晶圆级封装（WLP）、系统级封装业务(SIP)、三维封装等新型封装，以及逻辑芯片检测、射频芯片测试、存储芯片测试、系统级测试、芯片可靠性测试等检测重点领域。

晶圆制造。围绕新能源汽车、5G通信等重点领域，布局GaAs、GaN、SiC等化合物晶圆生产线，满足高功率、高频率、高效率等特殊应用需求。

关键电子材料和专用配套设备。引入发展高精度电子铜箔，大力发展导电膜玻璃、引线框架、电子化学试剂、封装自动化设备、自动分选机等关键电子材料和专用设备研发及产业化项目。



芜湖市



《芜湖市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，微电子领域关键核心技术攻坚行动，包括：第三代半导体需要的高纯度低缺陷碳化硅和氮化镓外延片，超高频、大功率高端器件研发。高频率太赫兹设备、量子通信设备研发与应用示范等。5G新产品研发与应用示范。



蚌埠市



《蚌埠市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，重点建设6吋GaAs微波集成电路制造线和4-6英寸SiC基GaN微波射频电路制造线，发展集成电路用硅片。突破高速高精度数模转换芯片技术，研发高速高精度通讯设备的测试仪器，发展微波集成电路设计与制造以及太赫兹测试技术、设备和成套解决方案，扩展太赫兹产品示范使用。



马鞍山市



《马鞍山市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，围绕半导体封装测试领域完善产业链，着力建设郑蒲港新区集成电路封装测试及相关配套产业集群（基地），打造华东地区具有影响力的半导体封装测试产业集群；并向IC设计、先进封测领域延伸产业链，打造长三角地区具有影响力的半导体产业集群。



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福建省（简称：闽）



《福建省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》在制造业主导产业重大工程电子信息产业中提出，集成电路以第三代半导体、存储器、专用芯片等制造为核心，带动设计、封测产业链上下游进一步协同，材料设备等配套产业进一步突破，打造东南沿海重要的集成电路产业基地。



2021年7月6日，福建省人民政府发布《福建省“十四五”制造业高质量发展专项规划》（闽政〔2021〕12号）。

《规划》明确做大做强电子信息和数字产业。突出“增芯强屏”延链补链发展，重点发展特色专用芯片、柔性显示、LED、自主计算机整机制造及以5G为牵引的网络通信等领域，深入实施数字经济创新发展工程，加快数字产业化进程，培育壮大大数据、物联网、人工智能等新一代信息技术产业。

集成电路产业依托福州、厦门、泉州、莆田等重点区域，推进集成电路特色园区建设，加快形成“一带双核多园”的集聚发展格局。发挥联芯、士兰微、瑞芯微等重点企业作用，加快发展高端芯片，突破28纳米以下先进制程工艺，推动MEMS传感器生产线建成投产。推动三安化合物半导体、士兰微化合物半导体等项目建设，提升高速芯片、高功率芯片、5G射频芯片和5G功放芯片等制造工艺水平。研发并产业化内存封装、系统级封装、晶圆级封装等先进封测技术，提升通富、渠梁等企业的生产能力和技术水平。发展特色集成电路设计业，重点开展智能物联等新一代信息技术应用芯片研发，推进集成电路企业和研发机构移植使用国产软件工具，引导芯片设计与应用结合，着力提升消费电子领域芯片设计竞争力。增强集成电路材料和装备本地配套及服务能力，支持大尺寸硅片、光刻胶、高纯化学试剂、电子气体、化合物半导体材料、溅射靶材以及沉积设备、刻蚀设备、半导体检测设备等研发和产业化。支持建设两岸集成电路测试省级公共服务平台，深化闽台集成电路技术研发、人才培养等领域合作。

《规划》中还指出了福建重点关键技术路径突破工程，在这一工程里，特别提到了集成电路领域。集成电路领域，福建将丰富知识产权IP核和设计工具，完善HBT和0.25微米PHEMT工艺；推动12英寸ID内存芯片生产与技术革新，推动先进制造和特色制造工艺发展，加速化合物半导体研发和应用，加强砷化镓射频芯片、氮化镓/碳化硅高功率芯片制造；提升封装测试产业发展水平。



福州市



2021年6月29日发布的《福州市推进新型基础设施建设行动方案（2020－2022年）》指出，促进新型基础设施相关产业链集聚发展，支持5G、人工智能和物联网等领域核心芯片、中高频器件、智能传感器的研发、产业化和集成应用，推动形成全产业链生态。



厦门市



2016年《厦门市集成电路产业发展规划纲要》发布。《纲要》提出，以集成电路产业支撑的信息技术产业和相关产业规模超4500亿元，成为我国集成电路产业发展的重点集聚地区之一，形成具有国内龙头地位的化合物半导体研发、产业化基地，构建较为完整的产业链，在部分领域占有国际半导体产业版图中的一席之地。



2021年8月16日，厦门市工信局印发《厦门市“十四五”先进制造业发展专项规划》。《专项规划》提出，在生物医药与健康、集成电路、新材料等领域突破关键核心技术，培育形成一大批以国产替代、自主可控为核心的创新型企业，企业自主创新能力跻身全国前列。

半导体与集成电路方面：紧盯国家战略方向及国内外市场缺口，以强化区域协同为主线，以突破基础核心领域为目标，强化关键共性技术供给、装备研发，打造东南沿海集成电路产业核心区。一是促进产品往高端应用场景延伸。推动LED企业向智慧照明、健康照明、农业照明及医疗照明等应用场景发展；推动芯片设计企业向高性能计算机、新型显示等领域延伸；支持发展面向5G、云计算、物联网、人工智能等新基建及智慧城市场景的电子元器件；鼓励发展应用于新能源动力汽车、可穿戴智能装备等未来热点应用场景的集成电路产品。二是全力突破关键技术环节。重点发展半导体和集成电路制造所需的基础材料及相关制备工艺。三是加快区域资源整合。依托厦门集成电路设计公共服务平台、厦门大学国家集成电路产教融合创新平台等科研平台，建立健全产教融合、产学合作体系；深化厦台合作，以重点项目为抓手，加强厦门两岸集成电路自贸区产业基地建设，加快集成电路关键领域取得突破。

半导体与集成电路重点发展领域：

半导体：发展第三代化合物半导体，刻蚀机、离子注入机、多线切割机、自动封装系统 、全自动晶圆检测机。

集成电路：发展云计算服务器芯片、新型平板显示 OLED、MICRO-LED芯片、新能源动力汽车芯片、5G电子元器件 芯片、压力传感器、加速度传感器、微电机陀螺仪、惯性你真棒一器、MEMS硅麦克风芯片，光刻机、刻蚀机、离子注入机、量测设备。



泉州市



2016年泉州发布《福建（泉州）半导体产业发展规划（2016-2025）》提出打造“泉州芯谷”。泉州芯谷主要涵盖晋江集成电路产业园区（构建集成电路全产业链）、南安高新技术产业园区（化合物半导体专业园区）、安溪湖头光电产业园区（LED全产业基地），以存储器制造和化合物半导体制造为支柱，吸引设计、封装测试、制造设备、关键原材料等上下游产业链配套企业落户泉州，推动全产业链集聚。



晋江市



2016年，晋江发布《晋江市集成电路产业发展规划纲要（2016-2025）》提出，晋江集成电路产业将形成以制造为主，封装测试、设计为辅，装备材料和应用终端为配套的集成电路全产业链发展格局。



莆田市



《莆田市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二O三五年远景目标纲要》提出，发展集成电路行业，重点延伸发展氮化镓、碳化硅等集成电路特色工艺，推动8英寸硅基芯片制造和封测项目建设，加快滤波器、射频芯片、图像传感器芯片、嵌入式CPU内核、3D图像模块等产业化进程，发展集成电路装备、设计、封装和测试等产业链。推动莆台合作半导体产业项目建设，打造两岸集成电路产业合作示范区。



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甘肃省（简称：甘，陇）



《甘肃省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，提升新型功率器件和集成电路封测能力，延伸发展配套产品，打造西部集成电路封测产业基地。加快智能终端产品、电子材料与元器件 、电器制造业发展，培育形西部重要的电子信息产业集群。

《规划纲要》提出，重点发展的新兴产业，发展以氮化镓为代表的第三代半导体材料制造，依托甘肃省有机半导体材料及应用技术工程中心，推动新型半导体材料与器件关键技术研发和成果转化。



天水市



《天水市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，围绕“强龙头、补链条、聚集群”，坚持“因企施策、一企一策”，以培育优势产业、骨干企业、品牌产品为重点，加速新一代信息技术与制造业深度融合，发展先进适用技术，实现延链补链强链，推动电子信息等传统优势产业做大做强。

《规划纲要》提出，依托华天、华洋、六九一三、天光、庆华电子等企业，引进上下游配套产业链，打造电子信息产业基地，重点发展集成电路芯片设计制造、高端引线框架、新一代半导体材料、高端封装测试、敏感元器件系列产品，打造总产值超过200亿元的电子信息产业集群。





广东省（简称：粤）



2021年7月30日，广东省人民政府发布《广东省制造业高质量发展“十四五”规划》（粤府〔2021〕53号）。《规划》提出，打造我国集成电路产业发展第三极，建成具有国际影响力的半导体及集成电路产业聚集区。其中集成电路设计业业务收入超2000亿元，设计行业的骨干企业研发投入强度超过20%，全行业研发投入强度超过5%，集成电路制造业业务收入超1000亿元，建成较大规模特色工艺制程生产线，先进封测比例显著提升。



《规划》提出要重点发展新一代信息技术。着力突破核心电子元器件、高端通用芯片，提升高端电子元器件的制造工艺技术水平和可靠性，布局关键核心电子材料和电子信息制造装备研制项目，支持发展晶圆制造装备、芯片/件封装装备3C自动化、智能化产线装备等。以广州、深圳、珠海为核心,打造涵盖设计、制造、封测等环节的半导体及集成电路全产业链。支持广州开展“芯火”双创基地建设,建设制造业创新中心。支持深圳、汕头、梅州、肇庆、潮州建设新型电子元器件产业集聚区，推进粤港澳大湾区集成电路公共技术研究中心建设。推动粤东粤西粤北地区主动承接珠三角地区产业转移，发展半导体元器件配套产业。

《规划》提出要软件与信息服务。要重点突破CAD（计算机辅助设计）、CAM（计算机辅助制造）、CAE（计算机辅助工程）、EDA（电子设计自动化）等工业软件。

《规划》对集成电路等十大战略性新兴产业进行前瞻性布局。

有关半导体及集成电路的整体布局：推进集成电路EDA底层工具软件国产化，支持开展EDA云上架构、应用AI技术、TCAD、封装EDA工具等研发。扩大集成电路设计优势，突破边缘计算芯片、储存芯片、处理器等高端通用芯片设计，支持射频、传感器、基带、交换、光通信、显示驱动、RISC-V等专用芯片开发设计，前瞻布局化合物半导体、毫米波芯片、太赫兹芯片等专用芯片设计。布局建设较大规模特色工艺制程和先进工艺制程生产线，重点推进模拟及数模混合芯片生产制造，加快FD-SOI核心技术攻关,支持氮化镓、碳化硅等化合物半导体器件和模块的研发制造。支持先进封装测试技术研发及产业化，重点突破氟聚酰亚胺、光刻胶等关键原材料以及高性能电子电路基材、高端电子元器件,发展光刻机、缺陷检测设备、激光加工设备等整机设备以及精密陶瓷零部件、射频电源等设备关键零部件研制。

《规划》提出广东有关半导体及集成电路的空间布局：

1、芯片设计及底层工具软件。以广州、深圳、珠海、江门等市为核心,建设具有全球竞争力的芯片设计和软件开发聚集区。广州重点发展智能传感器、射频滤波器、第三代半导体,建设综合性集成电路产业聚集区。深圳集中突破CPU/GPU/FPGA等高端通用芯片设计、人工智能专用芯片设计、高端电源管理芯片设计。珠海聚焦办公打印、电网、工业等行业安全领域提升芯片设计技术水平。江门重点推进工业数字光场芯片、硅基液晶芯片、光电耦合器芯片等研发制造。

2、芯片制造。依托广州、深圳、珠海做大做强特色工艺制造，广州以硅基特色工艺晶圆代工线为核心，布局建设12英寸集成电路制造生产线；深圳定位28纳米及以下先进制造工艺和射频、功率、传感器、显示驱动等高端特色工艺，推动现有生产线产能和技术水平提升。

珠海重点建设第三代半导体生产线,推动8英寸硅基氮化镓晶圆线及电子元器件等扩产建设。佛山依托季华实验室推动建设12英寸全国产半导体装备芯片试验验证生产线。

3、芯片封装测试。以广州、深圳、东莞为依托，做大做强半导体与集成电路封装测试。广州发展器件级、晶圆级MEMS封装和系统级测试技术，鼓励封装测试企业向产业链的设计环节延伸。深圳集中优势力量,增强封测、设备和材料环节配套能力。东莞重点发展先进封测平台及工艺。

4、化合物半导体。依托广州、深圳、珠海、东莞、江门等市大力发展氮化镓、碳化硅、氧化锌、氧化镓、氮化铝、金刚石等第三代半导体材料制造，支持氮化镓、碳化硅、砷化镓、磷化铟等化合物半导体器件和模块的研发制造，培育壮大化合物半导体IDM企业，支持建设射频、传感器、电力电子等器件生产线，推动化合物半导体产品的推广应用。

5、材料与关键元器件。依托广州、深圳、珠海、东莞等市加快氟聚酰亚胺、光刻胶、高纯度化学试剂、电子气体、碳基、高密度封装基板等材料研发生产，大力支持纳米级陶瓷粉体、微波陶瓷粉体、功能性金属粉体、贱金属浆料等元器件关键材料的研发及产业化。依托广州、深圳、汕头、佛山、梅州、肇庆、潮州、东莞、河源、清远等市大力建设新型电子元器件产业集聚区，推动电子元器件企业与整机厂联合开展核心技术攻关，建设高端片式电容器、电感器、电阻器等元器件以及高端印制电路板生产线，提升国产化水平。

6、特种装备及零部件配套。依托珠三角地区,加快半导体集成电路装备生产制造。支持深圳加大集成电路用的刻蚀设备、离子注入设备、沉积设备、检测设备以及可靠性和鲁棒性校验平台等高端设备研发和产业化。支持广州发展涂布机、电浆蚀刻、热加工、晶片沉积、清洗系统、划片机、芯片互连缝合机、芯片先进封装线、上芯机等装备制造业。支持佛山、惠州、东莞、中山、江门、汕尾、肇庆、河源等市依据各自产业基础，积极培育特种装备及零部件领域龙头企业及“隐形冠军”企业，形成与广深珠联动发展格局。



广州市



2020年9月，广州市工业和信息化局印发了《广州市加快发展集成电路产业的若干措施》提出争取纳入国家集成电路重大生产力布局规划，建设国内先进的晶圆生产线，引进一批、培育一批、壮大一批集成电路设计、封装、测试、分析以及深耕智能传感器系统方案的企业，争取打造出千亿级的集成电路产业集群，建成全国集成电路产业集聚区、人才汇聚地、创新示范区。



《广州市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，做精做深细分产业链，以特色配套新型显示电路生产制造为契机，积极布局集成电路研发设计与封装测试环节，吸引集成电路设计、制造与封装企业来增城发展。推动产业协同，以硬件制造为切入点，高起点规划建设信创产业园，推进CPU芯片、服务器、数据库、终端安全产品等企业集聚，大力引导应用软件及配套产业集聚。力争到2025年，新一代信息技术产值（营收）规模超1000亿元。



深圳市



2019年5月15日发布的《深圳市进一步推动集成电路产业发展行动计划（2019－2023年）》指出，深圳将建成具有国际竞争力的集成电路产业集群。设计业销售收入突破1600亿元，制造业及相关环节销售收入达到400亿元。引进和培育10家销售收入20亿元以上的骨干企业。



《深圳市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，建设世界级新一代信息技术产业发展高地。强化集成电路设计能力，优化提升芯片制造生产线，加快推进中芯国际12英寸晶圆代工生产线建设，积极布局先进制程集成电路制造项目，增强封测、设备和材料环节配套能力，前瞻布局化合物半导体产业，高水平建设若干专业集成电路产业园区。



《规划纲要》列示集成电路攻关重点领域：重点围绕芯片架构等开展技术攻关，发展绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、微机电系统（MEMS）等特色工艺，发展碳化硅等化合物半导体。





珠海市



2020年10月，珠海市发布的《珠海市大力支持集成电路产业发展的意见》提出，初步建成高端引领、协同发展、特色突出的具有国际竞争力的集成电路产业集群。

（1）壮大芯片设计产业规模。加强政策扶持与引导，支持珠海芯片设计规上企业加大研发投入，积极对接国家科技计划和重大项目，形成一批标志性自主创新成果。

（2）提升高端芯片设计水平。加强芯片设计能力塑造提升，在嵌入式SoC、高性能数模混合集成电路、新型显示专用芯片、智能计算芯片、新型存储器、工业金融电力等重点行业应用的SoC芯片、通信芯片、安全芯片等重点产品和技术上，形成差异化特色优势，骨干企业设计水平实现引领全球创新。

（3）引进培育设计龙头企业。加大对集成电路设计企业的招商引资力度，引进和培育一批具有自主知识产权、具有行业影响力的集成电路设计龙头企业，支持EDA工具研发企业、IP设计及服务企业到珠海落户，带动珠海集成电路设计向高端发展。

（4）重点建设12寸中试研发线、IC产业云服务平台、快速封装测试分析平台、集成电路设计服务中心、集成电路IP共享中心和工程服务中心，为集成电路企业提供中试研发、EDA、IP、设计、多项目晶圆（MPW）等领域的公共服务，提升珠海集成电路产业深度技术支撑能力。

（5）大力支持和引进IDM企业。探索发展虚拟IDM、共享IDM等新模式。推动珠海现有领军企业建设特色工艺生产线和中试研发线，确保市场潜力大、产业基础好、且涉及国家安全的关键特色工艺领域快速发展。

（6）通过建设EDA布局布线创新平台、先进半导体IP和定制量产平台，强化与各大foundry厂的合作。支持8英寸硅基氮化镓外延与芯片大规模量产生产线增资扩产，迅速形成规模生产能力，打破阻碍珠海集成电路产业发展的瓶颈。

（7）加快提升封测等环节配套能力。积极对接国际国内封测技术领先企业，积极引进系统级封装、三维封装、面板级以及晶圆级封装等先进封装技术和团队在珠海产业化，逐步满足本地市场广泛需求。加大对本地第三方代工测试企业扶持和培育力度，做大做强集成电路企业自有封装厂，引导本地企业通过业务并购、增资扩产等方式实现快速扩张。

（8）加快关键装备和材料配套产业发展。加强集成电路关键设备、零部件及材料企业和创新团队的引资引智工作。大力引进包括刻蚀、清洗、离子注入、CMP、ATE等关键环节装备领域的龙头企业。面向硅晶圆、光刻胶、抛光液、溅射靶材、金属丝线、清洗液、中高端电子化学品等专用原材料领域培育和引进国内外龙头企业。发展非硅基材料、化合物半导体材料等新兴领域，发展高端封装基板、通信天线等高附加值的泛电子泛半导体产业，逐步完善珠海集成电路产业链布局。



珠海高新区



《珠海高新区集成电路产业发展规划(2020-2025年)》中指出，珠海高新区力争到2025年形成一个两百亿级产业集群(芯片设计)、一个百亿集群(化合物半导体)，建成在珠三角乃至全国范围内都有较强影响力的集成电路产业聚集区。

《发展规划》提出三个方向，一是做大做强芯片设计，立足本地设计企业集聚、周边终端企业众多的基础，重点发挥优势，形成特色；二是做精化合物半导体，重点聚焦氮化镓、磷化铟、碳化硅等新材料、新器件、新工艺；三是做好产业链式延展，重点对接国内封装测试和模组制造领域龙头企业，招引有建封装测试工厂需求的集成电路设计企业到高新区建厂。



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广西壮族自治区（简称：桂）





《广西壮族自治区国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，培育壮大新一代信息技术；超前布局第三代半导体、人工智能等未来产业。



2021年6月3日，《广西集成电路产业发展规划（2021-2025年）》通过评审。





贵州省（简称：贵，黔）





《贵州省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，加快培育智能制造装备产业，培育发展芯片、减速机、传感器等核心零部件及控制系统制造业；加快创新技术服务平台建设，加快人工智能技术研发创新平台、智能语音开放创新平台、自动驾驶和智能机器人研发平台等建设，推进深度学习框架、智能芯片产品研发和应用，建设人工智能实验室；加快发展大数据电子信息产业，加快发展智能终端、集成电路、新型电子元件与电子材料等高端电子信息制造业。







海南省（简称：琼）



无内容







河北省（简称：冀）



《河北省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，打好关键核心技术攻坚战，瞄准新一代人工智能、量子信息、集成电路、生命健康、航空航天等前沿领域，实施一批发展急需的重大科技项目，积极参与国家战略性科学计划和科学工程；构筑现代产业体系新支柱，推进基础材料、关键芯片、高端元器件、生物识别等核心技术攻关，大力发展整机、终端产品，促进大数据、云计算、物联网、人工智能、区块链等技术集成创新和融合应用，做大做强行业领军企业，重点建设廊坊新型显示、石家庄光电与导航、辛集智能传感器等产业基地，形成具有全国影响力的优势产业集群。



2020年4月19日，河北省人民政府发布了《河北省数字经济发展规划（2020-2025年）》。《规划》提出，培育壮大半导体器件产业。大力发展第三代半导体材料及器件，支持碳化硅、氮化镓单晶及外延研发产业化，推进高端传感器、光机电集成微系统（MEMS）、光通信器件等产品研发及产业化，壮大功率器件及微波集成电路产业。推动第三代北斗导航高精度芯片、太赫兹芯片、卫星移动通信射频终端芯片研发及产业化。支持太赫兹高功率可控发射器、关键元器件研发及产业化，建设太赫兹产业基地。

《规划》提出，推进科技成果产业化。利用创新成果转化体制机制，激活中电科13所、54所、中船重工718所创新资源，推进第三代半导体材料、微电子机械系统（MEMS）、数字集群无线通信系统、卫星应用通信系统、先进复合材料、特种电子气体、制氢装备等重大科技成果产业化。



石家庄市



2021年4月23日，石家庄发布《关于新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的实施意见》的通知。《实施意见》提出，培育集成电路上市企业3家以上，并形成以集成电路专用材料、集成电路设计、集成电路加工制作、集成电路封装测试为核心的较为完备的产业链。

培育集成电路基础材料优势提升工程：扩大氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）晶圆加工能力，提升4英寸/6英寸碳化硅外延、8-12英寸硅外延材料品质，加快6英寸碳化硅外延、氮化镓外延、12英寸硅外延以及高性能陶瓷封装材料量产化进程。

培育专用集成电路设计与制造发展工程：提升微波集成电路、射频集成电路、超大规模SoC芯片、微机电系统（MEMS） 器件、光电模块、第三代北斗导航高精度芯片、射频识别 （RFID）芯片等设计水平，推进芯片设计与制造一体化发展；实施5G通信基站用射频前端套片及模块重点项目，建设特色集成电路生产线，推动射频前端芯片、滤波器芯片等实现产业化。支持开展功率半导体器件与功率集成芯片产品研发及产业化。





河南省（简称：豫）



《河南省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，推进数字产业化发展，推动智能传感器、射频卡、嵌入式芯片、传感网络设备等物联网产品升级和体系拓展，做优车联网、医疗物联网、家居物联网等产业，协同发展云服务与边缘计算服务，构建物联网全产业链。





黑龙江省（简称：黑）



《黑龙江省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，建设好一批质量高、拉动能力强的重大项目，其中包括万鑫石墨谷、第三代半导体材料碳化硅衬底材料及生产装备等项目。







湖北省（简称：鄂）



2019年湖北发布《关于推进全省十大重点产业高质量发展的意见》。湖北省将依托国家存储器基地，重点发展存储芯片、光通信芯片和卫星导航芯片，努力形成以芯片设计为引领、芯片制造为核心、封装测试与材料为配套的较为完整的集成电路产业链。



《湖北省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，集中力量和资源推进国家存储器基地建设，加快实现技术赶超和规模提升，建成全国先进存储“产业航母”。加快发展物联网芯片、北斗芯片等，补齐封装测试短板，完善产业创新体系和发展生态，打造全球知名的集成电路产业基地；打好关键核心技术攻坚战，探索形成社会主义市场经济条件下新型举国体制湖北路径。实施关键核心技术攻关工程，围绕三维存储芯片、硅光芯片、新型显示材料、高端医学影像设备等重点领域，加强产业链上下游协同，推动“临门一脚”关键技术产业化，实现率先突破；打造具有国际竞争力的产业集群，推进集成电路、新型显示器件、下一代信息网络、生物医药等国家战略性新兴产业集群建设，着力培育具有国际竞争力的万亿级光电子信息、大健康产业集群。构建“光芯屏端网”纵向链合、横向协同的发展机制，突出“光”特色，做强“芯”核心，做大“屏”规模，强化“端”带动，优化“网”生态，发挥重大项目支撑引领作用，推动建立以武汉为核心，沿江城市分工协作的产业布局。



2021年7月，湖北发布《中共湖北省委、湖北省人民政府关于新时代推动湖北高质量发展加快建成中部地区崛起重要战略支点的实施意见》。《实施意见》提出，坚持战略性新兴产业引领，实施战略性新兴产业倍增计划，着力打造以“光芯屏端网”为重点的新一代信息技术和；培育壮大集成电路、光通信及激光、新型显示、智能终端、信息网络、软件及信息服务、人工智能、电子信息材料、生物医药及医疗器械、数字创意等10个千亿级特色产业集群。



武汉市



2019年，武汉发布《武汉市人民政府关于推进重点产业高质量发展的意见》。《意见》提出，武汉将依托国家存储器基地，重点发展存储芯片、光通信芯片和卫星导航芯片，形成以芯片设计为引领、芯片制造为核心、封装测试为配套的较为完整的集成电路产业链。



《武汉市国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》提出，围绕国家战略性新兴产业发展领域和方向，集中力量发展集成电路、新型显示器件、下一代信息网络、生物医药四大国家级战略性新兴产业集群。发展“光芯屏端网”新一代信息技术。聚焦光电子、硅光及第三代化合物半导体芯片、5G通信与人机交互、虚拟现实、智能终端、信息网络等，打造“光芯屏端网”万亿产业集群。到2025年，“光芯屏端网”产值5000亿元。





湖南省（简称：湘）





2020年2月，湖南省发布的《湖南省数字经济发展规划（2020-2025年）》提出，形成以设计业为龙头、特色制造业为核心、装备及材料等配套产业为支撑的发展格局，成为全国功率器件中心、第三代半导体重要基地、集成电路设计和装备特色集聚区。

发展壮大电子信息制造业。抢抓信息技术应用创新发展重大机遇，放大特色优势，强化核心基础零部件（元器件）、先进基础工艺、关键基础材料和产业技术基础发展能力，加快打造成为享有盛誉的国家级产业集群。面向高端设计、特色工艺制造、先进封测、关键设备和材料等领域，推进集成电路产业发展。建设国家功率半导体制造业创新中心等创新平台，推动关键共性技术突破。

着力突破关键核心技术。围绕集成电路等行业，重点突破宽禁带半导体、CPU、GPU、DSP、SSD等技术，发展面向通用芯片、专用芯片等领域的高端定制设计、研发、生产服务能力。

集成电路产业成长工程：提升集成电路设计业，力争在CPU、GPU、DSP、SSD、4K/8K、5G等高端芯片产业化上实现突破。壮大集成电路关键设备，发展离子注入机等集成电路装备，研发光刻机、刻蚀机等关键设备技术，提升集成电路国产化装备和成套建设能力和水平。布局新一代半导体产业，推动IGBT、第三代半导体等重大项目，构建完善产品链，促进氮化镓和碳化硅器件制造技术开发，发展器件级、晶圆级封装和系统级测试技术，提升工艺技术水平，加快实现规模化生产能力。推进功率半导体器件创新中心等创新平台建设，探索行业共性关键技术联合攻关和产业化路径。



《湖南省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，推进半导体关键核心成套设备研发和产业化，加快6英寸碳化硅材料及芯片、中低压功率半导体等产业化发展，建成全国最大碳化硅全产业链生产基地，创建国家级半导体装备制造区域中心。



株洲市



《株洲市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，大力发展大功率半导体器件产业链。重点发展硅基IGBT为主要特征的第三代半导体，推动IGBT器件在风电、太阳能发电、工业传动、通用高压变频器、电力市场等领域的应用。

《规划纲要》提出，关键核心技术攻关清单，IGBT大功率器件领域：重点突破硅基IGBT技术瓶颈，重点发展8英寸汽车级 IGBT 变频控制技术，推进SiC、GaN等宽禁带为主要特征的第三代半导体的研发；发展芯片制造设备、检验监测设备等关键设备，发展低压IGBT芯片、新能源车用IGBT模块等，发展精细沟槽栅IGBT和宽禁带SiC半导体芯片和器件，重点发展8英寸汽车级IGBT电控系统基础器件；发展芯片单晶硅材料、基板材料等基础材料。





吉林省（简称：吉）





《吉林省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，建设集成光电子学国家重点实验室：主要研究高速及特殊应用光电子集成器件、硅基光子学及光子器件集成、光电器件物理及微纳集成新工艺、微纳光电子与光电集成芯片、光电集成新材料和新器件等领域。

《规划纲要》提出，前沿领域科技攻关项目：极紫外光刻光学关键技术研究项目（研究极小像差反射式光学设计协同设计、精密光机结构、深亚纳米光学加工与检测以及极紫外多层膜技术，开展六镜极紫外光刻物镜研发与验证项目中元件面形检测研究）和高功率高光束质量激光芯片创新研究项目（完善高功率半导体激光器的材料－器件－系统－应用的全技术研究链条，突破高功率偏振稳定VCSEL芯片和高功率、小体积、高光束质量中红外激光技术等技术）。





江苏省（简称：苏）



《江苏省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，全面增强芯片、关键材料、核心部件、工业软件等中间品创新能力，带动内循环加快升级。聚焦重点产业集群和标志性产业链，瞄准高端装备制造、集成电路、生物医药、人工智能、移动通信、航空航天、软件、新材料、新能源等重点领域，组织实施关键核心技术攻关工程，力争形成一批具有自主知识产权的原创性标志性技术成果，加快改变关键核心技术受制于人的被动局面。



南京市



2020年4月，南京市发布的《南京市数字经济发展三年行动计划（2020—2022年）》指出，重点攻关第三代半导体材料、功率半导体以及国产EDA工具，高水平建设国家集成电路设计服务产业创新中心，重点发展面向工业互联网、人工智能、5G、汽车电子、物联网等领域高端芯片设计、晶圆制造、专用前沿材料及设备。



2019年发布的《南京市打造集成电路产业地标行动计划》提出，力争到2020年，南京全市拥有销售收入超100亿元的集成电路生产类龙头企业1-2家，产业人才整体规模达3万人以上，集成电路设计、制造、封测等关键环节核心技术达到国内领先水平，初步建成国内著名的千亿级集成电路产业基地。到2025年，集成电路产业综合销售收入力争达1500亿元，进入国内第一方阵，实现“全省第一、全国第三、全球有影响力”的产业地标。



南京江北新区



《南京江北新区“十四五”发展规划》提出，打造集成电路产业集群。

1、突破“卡脖子”关键核心技术。大力发展安全可控的高端芯片设计，支持创建国家集成电路设计服务产业创新中心和国家集成电路设计自动化技术创新中心，高水平建设中国EDA（电子设计自动化）创新中心，加速国产EDA工具和知识产权核商业化进程。深耕智能汽车芯片、物联网芯片、人工智能芯片、信息通讯芯片、光电芯片等重点领域，围绕先进晶圆制造及封测、前沿材料研制、高端设备制造等关键环节，加快突破三维堆叠封装、晶圆级封装、第三代半导体材料、功率半导体等核心技术。

2、构建具有根植性的产业生态网络。大力培育产业链“链主”企业，招引具有核心竞争力的骨干企业，打造具有地标特色的集成电路产业集群。强化集成电路设计、软件开发、系统集成、内容与服务协同创新，打造涵盖芯片、软件、整机、系统、信息服务的产业生态。突出“应用牵引”“芯机联动”，拓展集成电路创新产品市场化应用，构筑整机带动芯片技术进步、芯片支撑整机竞争力提升的生态闭环。放大产业带动效应，加大人工智能、新一代通信、汽车半导体、智能制造、卫星导航等领域专用集成电路开发力度，吸引带动上下游企业落户。

3、打造全链条式产业服务体系。深化南京集成电路产业服务中心建设，加快人才资源、开放创新、公共技术、产业促进等特色服务平台功能升级，完善EDA工具、测试与验证、多项目晶圆、材料和器件分析、知识产权核库等专业化公共服务平台体系，打造全国集成电路公共服务平台标杆。深化南京集成电路培训基地建设，完善产学融合、学学协同、学科交叉的集成电路产业人才培养机制。持续办好世界半导体大会、集成电路系列赛事等重大行业活动，推动重大活动品牌化、市场化、平台化发展。引导国内顶尖的专业咨询和研究机构在新区开展专业化服务。进一步完善集成电路产业支持政策体系。



江宁开发区



江宁开发区正加快打造以第三代半导体为发展特色、以高端设计为未来发展方向的集成电路产业。

第三代半导体领域以龙头企业中国电子科技集团第五十五研究所为引领，主要从事射频电子、功率电子两大板块产品的研发和生产；高端设计领域集聚了台积电设计服务中心、钜泉光电总部及MCU研发中心、航天龙梦总部及国产芯片研发中心等重点项目；在重点科研平台方面拥有毫米波及射频电子国家重点实验室、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室、砷化镓微波毫米波单片集成电路和多芯片模块国家级重点实验室等。



无锡市



2020年2月无锡发布《关于加快推进数字经济高质量发展的实施意见》指出要巩固数字经济关键优势产业。提升集成电路产业能级。推动物联网、智能网联汽车、5G通信、高端功率器件等领域的芯片研发，做大做强设计主业，支持晶圆制造的扩产与技术改造，支持封装测试业优势企业整合增效、技术升级。



《无锡市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，提升集成电路全产业链发展水平，优化无锡国家“芯火”双创基地等载体平台，推动一批产业链重大项目建设，形成以新吴区制造设计、滨湖区设计、江阴市封装测试、宜兴市材料、锡山区装备等集成电路产业链分工协作体系。高标准建设江苏集成电路应用技术创新中心，着重开展设计、加工、制造、封装、测试分析、新材料开发等关键共性技术联合攻关，打造微纳加工与测试表征实验室。重点突破高端通用芯片和专用芯片、基础软件和工业软件、控制系统、核心材料等领域的“卡脖子”问题，积极开展6G技术预研，前瞻性部署石墨烯、区块链、量子技术、深海极地、星际网络、北斗、氢能及氢能源汽车、化合物半导体等未来前沿技术研发，支持企事业单位先行示范应用。



无锡高新区



《无锡高新区（新吴区）现代产业“十四五”发展规划》指出，集成电路产业，无锡高新区将着眼提升集成电路全产业链发展水平，重点发展高端芯片设计、集成电路核心设备及关键零部件，支持发展芯片制造和封测业，高水平推进国家集成电路特色工艺及封装测试创新中心、无锡国家“芯火”双创基地等重大平台建设，加快打造世界级集成电路产业集群。

《发展规划》指出，第三代半导体产业，无锡高新区将以市场应用为牵引，面向以氮化镓、碳化硅等为代表的第三代半导体材料应用领域，贯穿产业研究、标准检测、新产品开发、晶圆生产、封装应用、衬底材料技术、装备制造等全产业链，促进技术研发应用，2025年产业规模突破50亿元。



江阴市



《江阴市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，攻关集成电路产业集群。依托江阴集成电路设计创新中心，持续深化与中科院微电子研究所合作，强化集成电路设计、软件开发、封装测试、系统集成的协同创新，加快核心芯片的设计、开发和产业化。依托长电科技、长电先进、星科金朋等龙头企业，打造全球领先的高端封装测试基地。聚焦先进材料和终端产品，纵深挖掘市场前景好、应用范围广的光刻胶、感光油墨等特色细分领域，全面融入长三角集成电路产业链条。



宜兴市



《江阴市省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，大力发展集成电路产业。推进锡宜集成电路产业协同，聚焦集成电路材料和装备，主攻集成电路硅片、电子气体、光刻胶及配套试剂、先进封装材料等领域，引进上下游配套企业，打造无锡集成电路产业重要基地。



2018年宜兴市发布《集成电路材料产业规划》，预计到2025年，宜兴市集成电路材料产业将形成300亿规模相关产业。



宜兴市集成电路材料产业发展将以集成电路硅片、化学机械抛光配套材料、高纯化学试剂、电子气体、光刻胶及配套试剂、掩膜版、化合物半导体材料及器件、先进封装材料为主。



苏州市



《苏州市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，打造半导体和集成电路产业链。发展集成电路设计、特色集成电路制造，高端集成电路封测，关键设备和材料。

《规划纲要》提出，发展车用芯片、安全芯片、网络芯片、高端数模芯片、硅光芯片等集成电路设计、化合物半导体、MEMS智能传感。



2021年1月，苏州发布的《苏州市推进数字经济和数字化发展三年行动计划（2021—2023年）》提出，集成电路产业要聚焦集成电路制造业，着力布局 GaN、GaAs、MEMS 等特色工艺制造产线，稳固封测领域领先优势，加快芯片设计和产业化，做优集成电路配套，补齐产业发展短板。针对5G产业，要围绕芯片、射频器件、光器件和光通信设备等优势产业发力，培育龙头企业，基本建立各细分领域相对完整的产业链集群。



昆山市



2017年发布的《昆山市集成电路产业发展规划(2017-2021)》提出昆山要打造国内封装测试产业重镇、面向应用的集成电路设计产业新高地、长三角地区半导体设备研发中心，并建立二手半导体设备交易集散地，



目前昆山已初步形成了“设计-制造-封装测试-材料及配套设备”的完整半导体产业链。



徐州市



《徐州市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，做特集成电路与ICT产业集群。主攻集成电路材料装备、第三代半导

体材料器件、先进封测等领域，形成“材料-装备-设计-制造-封测”产业链，建设徐州经

路过
雷人
握手
鲜花
鸡蛋
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