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法国市场分析公司悠乐(Yole)在其报告《2021氮化镓射频市场:应用、主要厂商、技术和衬底》中预测,氮化镓(GaN)射频器件市场正以18%的复合年增长率(CAGR)增长,从2020年的8.91亿美元到2026年的24亿美元以上。该市场将由国防和5G电信基础设施应用主导,到2026年分别占整个市场的49%和41%。特别是,基于氮化镓的宏/微蜂窝领域将在2026年占氮化镓电信基础设施市场的95%以上。

氮化镓射频器件市场2026年将达到24亿美元,复合年均增长率为18%

SiC基GaN

射频氮化镓产业始于SiC基GaN技术。20多年前推出的SiC基氮化镓现在是射频功率应用中硅LDMOS和砷化镓(GaAs)的一个重要对手。在SiC基氮化镓技术的主导下,在国防和5G电信应用中供应链的垂直整合都是首选。


电力和无线部门的复合半导体和新兴衬底活动团队首席分析师EzgiDogmus博士说:“鉴于新兴的GaN射频市场,近年来的显著投资一直在塑造未来的供需关系这一点很重要,需要密切关注。SiC基GaN是主要的技术平台。器件层面的市场领导者住友电气(SEDI)已与领先的SiC晶圆供应商Ⅱ-Ⅵ合作,进行垂直整合。”


在5G电信和国防领域的推动下,SiC基GaN技术在高功率密度和导热性方面仍然是首选。除了在军用雷达领域的深入应用外,SiC基GaN也是华为、诺基亚、三星等电信OEM厂商在5G大规模MIMO基础设施方面的选择。由于高带宽和高效率,SiC基GaN器件在5G市场上不断抢占LDMOS的份额,并开始受益于6英寸晶圆平台的过渡。在这种情况下,据估计,SiC基GaN器件市场正以17%的年复合增长率从2020年的3.42亿美元增长到2026年的22.2亿美元。


2020年,恩智浦在美国亚利桑那州开设了全球首个6英寸晶圆SiC基GaN工厂。SiC基GaN从4英寸到6英寸晶圆的过渡正在进行中,预计在未来几年会加速。在代工方面,像台湾的WIN半导体公司这样的大公司正在扩大其产能,以满足不断增长的市场需求。此外,在中国的生态系统中,例如山东天岳晶体材料(SICC)、中科芯(CETC)、海威华(HiWafer)和三安(Sanan),都有强烈的技术独立驱动力。特别是,中国的SICC已经在上海投资建立了一个新的6英寸工厂。

氮化镓射频器件市场2026年将达到24亿美元,复合年均增长率为18%

Si基GaN

专门研究化合物半导体和新兴基材的技术和市场分析师PoshunChiu指出:“作为一个关键的挑战者,Si基GaN也仍在游戏中,有望提供具有成本效益和可扩展的解决方案,尽管截至2021年第二季度的市场容量很小,但Si基GaN功率放大器由于其大带宽和小外形尺寸而吸引了智能手机OEM厂商,随着创新企业的重大技术进步,其在一些6GHz以下的5G手机型号中的可能很快采用。这无疑将标志着Si基GaN射频行业的一个里程碑。”


Si基氮化镓不断吸引着新来者。技术和市场分析师Selsabil Sejil博士指出:“随着MACOM-STM在6英寸平台上开发的持续,格芯(GF)和Raytheon最近宣布建立伙伴关系以满足5G无线、国防和其他领域应用需求,为了服务于不断增长的需求,新加入的公司一直在以新建的能力加入。"


Yole说,最近代工厂的加入以及与新兴电力电子Si基GaN产业的协同作用,也可以帮助Si基GaN射频在长期内获得发展势头。Yole认为,在手机以及国防和5G电信基础设施应用的推动下,Si基GaN设备市场正以86%的年复合增长率增长,从2020年的不到500万美元增长到2026年的1.73亿美元。


信息来源

http://www.semiconductor-today.com/news_items/2021/jun/yole-110621.shtml


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