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各有关单位

为追踪行业前沿,探讨宽禁带半导体检测技术的发展趋势和热点问题,促进行业内技术交流,由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟主办,米格实验室中国科学院物理研究所北京天科合达半导体股份有限公司联合办的宽禁带半导体检测技术研讨会暨宽禁带半导体检测加工共享平台发布会将于2017714日在北京召开。届时将邀请宽禁带半导体领域专家作有关检测技术的专题报告,并发布正式启动宽禁带半导体检测加工平台,旨在提升中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟为会员单位提供检测分析与制备加工等方面的服务能力。

具体内容安排如下:

一、时间地点

    会议时间:2017714日(周五)   13:30 ~ 17:30

    会议地点:中国科学院物理研究所D2层报告厅

(北京市海淀区中关村东路55号)

二、会议组织单位

    主办单位:中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

办单位:米格实验室中国科学院物理研究所北京天科合达半导体股份有限公司

支持单位:中国科学院半导体研究所KLA-Tencor Candela Product DivisionEAG上海实验室北京循礼微电子有限公司中国电子科技集团第13研究

三、会议内容

时间

主题内容

主讲人

13:30~13:35

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟领导讲话

陆敏  中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟  秘书长

13:35~13:40

宽禁带半导体检测加工共享平台发布及授牌

陈小龙  中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟  理事/中国科学院物理研究所  研究员 

13:40~14:10

宽禁带半导体检测加工共享平台的建设与工作进展

闫方亮  米格实验室  总经理

14:10~14:40

SiC外延生长与器件研究

张峰  中国科学院半导体研究所材料重点实验室  研究员  

14:40~15:10

SiC衬底材料的综合表征及检测标准的建立

刘振洲  北京天科合达半导体股份有限公司  主管

15:10~15:25        中间休息

15:25~15:55

SiC缺陷自动光学检测与分析

蔡晓林  KLA-Tencor Candela Product Division  高级工程师

15:55~16:25

SiC原材料到SiC器件的SIMS分析

刘红艳  EAG上海实验室 总经理

16:25~16:55

宽禁带半导体器件动态参数的分析与测试

梁闻 北京循礼微电子有限公司  总经理

16:55~17:25

宽禁带GaN材料与器件

敦少博  中国电子科技集团第13研究所专用集成电路重点实验室  博士 

17:25~17:30

合影留念

全体人员

四、费用

    本次会议不收取任何费用,会议期间食宿交通费用自理。

五、联系方式

联系人:中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟秘书处 陈海芹  

  话:010-59944178-637    

 机:15201452760

联系人:米格实验室   闫方亮  

 机:18518552906

六、会议报名

请各单位于2017710日前将参会人员回执发送至mishuchu@iawbs.com

 

    附件:参会回执.docx

 

 

                                                                                                                                                                           中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟秘书处

                                                                                                                                                                                                       2017628


鲜花

握手

雷人

路过

鸡蛋
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