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61日,2017年中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(以下简称宽禁带联盟)团体标准评审会在北京市大兴区天荣街9号世农大厦3层会议室顺利召开。此次评审会包2017年收到的团体标准立项申请评审及2016年立项的团体标准草案讨论两部分内容。

    会议由宽禁带联盟秘书长陆敏主持,中国科学院物理研究所陈小龙教授、中国科学院半导体研究所刘忠立教授、中国科学院半导体研究所孙国胜教授、中国电子科技集团第四十八研究所首席专家林健、北京三平泰克科技有限责任公司常务副总郑红军、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司总经理冯淦、泰科天润半导体科技(北京)有限公司技术总监张峰、中国科学院微电子研究所副研究员许恒宇、北京华进创威电子有限公司课题组长何丽娟、北京天科合达半导体股份有限公司常务副总彭同华、北京天科合达半导体股份有限公司研发中心主任刘春俊等宽禁带联盟标准化委员会委员及团体标准参与单位代表参加了本次会议

参会人员合影

宽禁带联盟标准化委员会2017年共收到来自北京天科合达半导体股份有限公司东莞市天域半导体科技有限公司中国科学院电工研究所等单位项团体标准立项申请。61日上午,各立项申请单位代表对欲立项标准的背景、目的意义及主要内容等进行了详细介绍,与会专家对立项标准的必要性、可行性展开了充分而热烈的讨论,给予了各单位中肯的建议,最后经与会专家举手表决,一致同意以下4项团体标准的立项:

(1)碳化硅单晶抛光片位错密度测试方法牵头起草单位:北京天科合达半导体股份有限公司)

(2)6英寸碳化硅单晶抛光片牵头起草单位:北京天科合达半导体股份有限公司)

(3)4H碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法》牵头起草单位:东莞市天域半导体科技有限公司)

(4)碳化硅混合模块产品检测方法牵头起草单位:中国科学院电工研究所)

参会代表发言

截至2017524日,2016年立项的4项团体标准起草单位都已在规定时间内向宽禁带联盟标准化委员会提交了标准草案。61日下午,宽禁带联盟标准化委员会组织专家讨论了此4团体标准草案:《碳化硅单晶》《碳化硅外延片表面缺陷测试方法》《碳化硅外延层载流子浓度测定-汞探针电容-电压法》《电动汽车用功率半导体器件可靠性试验通用要求及试验方法》。与会专家对4标准草案的内容进行了逐条讨论,从标准的适用范围、术语定义到标准的结构、内容、格式等提出了许多科学合理、严谨专业的建议,各标准起草单位代表认真听取并采纳了专家的建议。针对本次讨论会的建议,各起草单位表示将进一步修改和完善标准内容,按照标准制定工作计划进度要求,有条不紊地推动标准工作,以制订出高质量的碳化硅产业团体标准,响应国家标准化改革方案,为推进团体标准事业做出应有的贡献

草案讨论会现场




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