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4月1日,赛微电子发布公告称,公司与青州市人民政府签署《合作协议》,共同推进6-8英寸GaN芯片晶圆制造项目的建设,进一步完善GaN业务的全产业链IDM(垂直整合制造)布局。

赛微电子拟在青州投建6-8 英寸氮化镓功率器件半导体制造项目

赛微电子表示拟在青州经济开发区发起投资10亿元分期建设聚能国际6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目,总占地面积30亩,一期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆5,000片/月的生产能力,二期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆12,000片/月的生产能力,将为全球GaN产品客户的旺盛需求提供成熟的技术支持和产能保障。

赛微电子表示,该项目一期计划建设周期为 9 个月,将在租赁现成土地厂房的基础上进行适应性补充建设,且已经锁定成套热线设备,目标今年底前做好投产前准备,2022上半年可投入生产,一期产能投产达效后预计可新增年销售收入 5 亿元。

赛微电子称,这一与青州政府的合作项目有利于自身进一步完善 GaN 业务的全产业链 IDM(垂直整合制造)布局,在现有产业链合作基础上进一步加强产能保障,把握 GaN 业务发展的关键机遇窗口,逐步形成自主可控、全本土化、可持续拓展的 GaN 材料、设计、制造能力。

据悉,3月31日,赛微电子召开了董事会会议,审议通过《关于控股子公司对外投资设立参股子公司的议案》,即其控股子公司青岛聚能创芯微电子有限公司拟与山东嘉俊投资管理有限公司签订《投资协议》,共同投资设立青州聚能国际半导体制造有限公司,其注册资本为10亿元,其中聚能创芯出资2.5亿元,持有其25%的股权,山东嘉俊出资7.5亿元,持股75%。

来源:微电子制造



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