【热点资讯】2021年一季度第三代半导体前沿汇编

前言：

了解最新资讯，掌握市场行情，宽禁带联盟将以【热点资讯】专栏持续为大家呈现第三代半导体行业季度热点资讯，探索宽禁带半导体产业健康发展之路。

重大投资要闻

1、比亚迪、中车时代电气同时宣布上市

1月初，比亚迪公告称，公司董事会会议审议通过了《关于拟筹划控股子公司分拆上市的议案》，董事会同意公司控股子公司比亚迪半导体股份有限公司（以下简称“比亚迪半导体”）筹划分拆上市事项，并授权公司及比亚迪半导体管理层启动分拆比亚迪半导体上市的前期筹备工作。无独有偶，中车时代电气也在港交所发布公告称，该公司就建议发行A股向上交所提交包括A股招股说明书（申报稿）在内的申请材料，上交所已予以受理并依法进行审核。2021年功率半导体有望迎来高景气周期，产业链相关企业上市，无疑将会加速其分享功率半导体行业红利的进程。

2、20亿碳化硅项目落地新疆昌吉！年产8万片

2月20日，昌吉回族自治州举行招商引资项目“云签约”仪式，当日现场签约16个项目，涉及新材料、新能源、商贸物流、农副产品精深加工、文化旅游等多个领域，总投资达93.4亿元。其中江苏连云港亮晶新材料科技有限公司碳化硅单晶圆芯片项目总投资额20亿元，为当日最大的投资项目。

3、斯达半导募资35亿元，投建SiC芯片/功率半导体模块等项目

3月2日晚，斯达半导（603290.SH）发布定增预案，公告显示，公司拟非公开发行股票募资不超过35亿元，其中20亿元用于高压特色工艺功率芯片和SiC研发及产业化项目，预计达产后年产36万片功率半导体芯片；7亿元用于功率半导体模块生产线自动化改造项目，达产后，预计新增年产400万片的功率半导体模块。

4、同光晶体完成C轮融资 加快实现产能提升

2021年1季度，同光晶体先后完成C轮、C+轮融资，分别由CPE和银河源汇领投。新资金的注入将推动同光晶体核心技术的研发创新，加快市场拓展和新制造基地的建设，助力公司各项业务的快速发展。

企业与市场动态

1、「天科合达」荣获2020年度中国科学院科技促进发展奖

2021年1月15日，中国科学院2021年度工作会议在京召开，会议颁发了中国科学院2020年度各类科技奖项，北京天科合达公司和中国科学院物理研究所的“碳化硅晶体生长和加工技术研发及产业化团队”荣获2020年度中国科学院科技促进发展奖。

2、青铜剑第三代半导体产业基地举行奠基仪式

1月18日，青铜剑第三代半导体产业基地奠基仪式在深圳坪山隆重举行，总建筑面积近5万平方米，预计2022年底完工。该基地将作为青铜剑科技集团总部，同时建设第三代半导体研发中心、车规级碳化硅功率器件封装线和中欧创新中心孵化器等。

3、泰科天润：力争浏阳项目春节前投产，满产后年产值预计13亿至14亿元

浏阳泰科天润碳化硅芯片项目

泰科天润浏阳项目位于浏阳经开区（高新区）新能源标准厂区内，如今90%的生产设备已到位，大部分设备处于工艺调试阶段。项目建成满产后可实现6万片/年的6英寸碳化硅功率芯片生产及销售。这意味着，项目一旦投产，将打造一条极具市场竞争力的碳化硅功率器件生产线。

4、山东国宏中能年产11万片碳化硅衬底片项目启动试生产

1月15日，山东国宏中能科技发展有限公司投资建设的年产11万片碳化硅衬底片项目在山东河口经济开发区建成并启动试生产。总投资6.5亿元，总建筑面积3万平方米，本项目整体两期规划建设完毕并全部投产后，预计平均年营业收入约7亿元，企业年纳税总额约5000万元。
5、苏州纳维科技第三代半导体产业基地在苏州园区奠基

1月24日，苏州纳维科技有限公司举行总部大楼奠基仪式。项目占地面积超1.4万平方米，总建筑面积超3.4万平方米，建成后，年产氮化镓单晶衬底及外延片可达5万片。苏州纳维科技2007年由中科院苏州纳米所徐科研究员创立，致力于氮化镓（GaN）单晶衬底的研发与产业化。

6、比亚迪：启动碳中和规划研究，推出高性能碳化硅芯片

日前，为积极响应国家“2030年前碳达峰、2060年前碳中和”目标，推动应对气候变化《巴黎协定》全面有效实施，比亚迪宣布正式启动企业碳中和规划研究，探索新能源汽车行业碳足迹标准。比亚迪针对交通运输领域碳减排，提出给汽车尾气排放做三个“1/3”减法，助力零碳目标。比亚迪推出了高安全刀片电池、高性能碳化硅芯片、高效率DM-i超级混动系统，加速私家车电动化进程，满足公众对绿色出行的美好需求。

7、碳化硅全产业链渐入佳境，湖南第三代半导体产业“蓄势待发”

2020年2月，湖南省工信厅印发了《湖南省数字经济发展规划（2020-2025年）》，湖南将推动IGBT、第三代半导体等重大项目，加快实现规模化生产能力。中车时代电气早在2010年左右开始构思SiC芯片，2017年8月，株洲中车时代电气第三代功率半导体器件生产线生产厂房交付使用。同年12月SiC芯片生产线便完成了工艺设备技术调试，2018年1月首批芯片试制成功。2020年，中车时代电气开发出地铁全SiC牵引变流器，同年11月，其 “基于SiC器件的牵引变流器”在第二十二届中国国际高新技术成果交易会上展出。

8、全球首发！中国中车正式交付首列全碳化硅永磁直驱列车

3月24日，苏州市轨道交通3号线工程车辆全碳化硅永磁直驱列车全球首发活动在苏州市轨道交通3号线浒墅关车辆段举行。此辆列车采用第三代全碳化硅半导体技术，走行风冷永磁直驱电机，完全自主知识产权永磁直驱转向架，标志着中车首列全碳化硅永磁直驱列车正式交付。

9、博世半导体新动作：300mm晶圆厂，SiC，基本半导体

博世投资约10亿欧元的德累斯顿晶圆厂在今年1月开始了首批晶圆的制备，并计划于6月正式投入运营。3月份开始，博世将开始基于新工厂的晶圆生产首批高度复杂的集成电路。3月9日，博世宣布，隶属于博世集团的罗伯特·博世创业投资公司（RBVC）已完成对基本半导体的投资。

政策信息

1、工信部：海思、中芯国际等90家单位申请筹建“全国集成电路标准化委员会”

1月28日，工信部官网消息，为统筹推进集成电路标准化工作，加强标准化队伍建设，有关单位提出了全国集成电路标准化技术委员会筹建申请，秘书处拟设在中国电子技术标准化研究院，公示期一个月。对外公开的委员单位包括深圳市海思半导体、大唐半导体、华大半导体、展锐通信等90家。

2、北京：加速第三代半导体等领域技术和产品的研发过程

2021年1月20日，国务院新闻办公室举行新闻发布会，介绍落实五中全会精神，加快推进北京国际科技创新中心建设的有关情况。会上，北京市副市长、秘书长靳伟表示，到2025年，北京国际科技创新中心基本形成。到2035年，北京国际科技创新中心创新力、竞争力、辐射力全球领先，形成国际人才的高地，切实支撑我国建设科技强国。未来五年，北京要进一步坚持“锻长板”与“补短板”并重，立足科技自立自强，坚持有所为、有所不为，围绕“四个面向”，开展重点领域关键核心技术研发工作，加速第三代半导体等领域技术和产品的研发过程。

3、“十四五”计划中的SiC和GaN项目

科技部发布“十四五”国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项2021年度项目申报指南（征求意见稿），其中涉及到碳化硅和氮化镓的有多个项目：

碳化硅相关

2.1面向新能源汽车应用的SiC功率电子材料与器件（共性关键技术）

2.7大尺寸SiC单晶衬底制备产业化技术(共性关键技术）

4.3中高压SiC超级结电荷平衡理论研究及器件研制

氮化镓相关

2.2 面向大数据中心应用的GaN基高效功率电子材料与器件（共性关键技术）

2.3 5G 移动通讯基站用GaN 基Sub-6 GHz 及毫米波材料与器件研发（共性关键技术）

2.4 InGaN 基长波段LED 关键材料与器件技术（共性关键技术）

4.4 GaN 基宽禁带半导体与Si 半导体的单片异质集成方法与技术

4.5 GaN 单晶新生长技术研究

4、苏州工业园区新添国家第三代半导体技术创新中心

近日，科技部批复支持苏州工业园区建设国家第三代半导体技术创新中心。创新中心由深圳市人民政府、江苏省人民政府联合支持建设，设置深圳平台和江苏平台，江苏平台以位于苏州工业园区的江苏第三代半导体研究院为建设实施单位。

行业及技术观察

1、英飞凌曹彦飞：2025年碳化硅会达到20%左右市场份额

英飞凌科技大中华区高级副总裁兼汽车电子事业部负责人曹彦飞发表观点

在2020年，全球半导体的市场规模达到了4330亿美元。在2019年由于全球贸易的波动和一些其他综合因素，有过短暂的下降，但是在刚刚过去的2020年，疫情以及宏观经济的双重挑战之下，半导体行业仍然有5%左右的增长， 未来看，年复合增长率在5.8%左右，其中汽车半导体增长是高于行业的平均增长率的，大概是7%左右。新能源是长期趋势，2025年之前传统燃油车依然还会占据相应的主导地位，当然中间伴随着新能源，包括BEV、PHEV强劲的发展，由此也带来了碳化硅的快速发展期，大概在2025、2026年左右，碳化硅就会达到大概20%左右的市场份额，典型的应用领域包括主逆变器、OBC和DC/DC。

2、我国在氮化镓界面态研究方面取得重要进展

近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与先导中心工艺平台合作，在GaN界面态研究领域取得了重要进展，在LPCVD-SiNx/GaN界面获得原子级平整界面和国际先进水平的界面态特性，提出了适用于较宽能量范围的界面态U型分布函数，实现了离散能级与界面态的分离。

原子级平整界面、先进水平界面态密度及U型分布函数

相关论文连接：

https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0169433220332888

3、深圳基本半导体：打造国际一流碳化硅IDM

基本半导体引进国内外该领域知名高校的高端人才及行业内有丰富经验和深厚技术能力的专家，原材料供应采用国内和国外两条完整产业链独立循环的模式，自建外延、晶圆和封装的自主生产基地，对标国际标准、吸收汽车行业的经验，产品以汽车等级的要求设计开发，生产基地完全按照车规标准来建设严格质量控制的车规线。另外，基本半导体还在总部建成了功能强大、符合CNAS标准要求的“碳化硅功率器件工程实验室”。

4、科锐推出新型Wolfspeed WolfPACK SiC功率模块

1月12日，科锐宣布推出 Wolfspeed WolfPACK™ 功率模块，扩展其解决方案范围，并为包括电动汽车快速充电、可再生能源和储能、工业电源应用在内的各种工业电源的性能开启新时代。

5、学术界碳化硅器件技术新进展

2021年名古屋工业大学研究小组提出一种无损测量碳化硅器件中载流子寿命的方法。使用激发激光器来创建载流子，并使用带有检测器的探针激光器来测量激发载流子的寿命。

名古屋工业大学提出的无创载流子寿命测量技术

另一项SiC进展来自弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(ISE)的研究人员，他们发现一种新型的SiC晶体管，由于其高阻断电压，可以直接连接到中压电网。这些新器件与大多数逆变器相反，它们向低压电网供电，但可以使用50赫兹变压器与中压电网耦合。

弗劳恩霍夫ISE团队创建的250-kVA的逆变器堆栈，其中包括3.3-kv-SiC-晶体管

6、联电首款6.6kW车载充配电单元批产采用SiC MOSFET

2 月 3 日，联合电子首款 6.6kW 车载充配电单元（CharCON）在上海厂顺利批产。其中车载充电机可以实现 6.6kW AC/DC 和 3.3kW DC/AC 的双向转换，高压直流转换器 DCDC 功率达 3kW。联合电子 6.6kW CharCON 采用无桥 PFC 拓扑，并使用 SiC MOSFET（碳化硅）器件，提升了产品效率，峰值效率达到 95.5%，满载效率典型值 >94%。

7、瀚天天成：联合攻关，碳化硅超结关键制造工艺取得历史性突破

3月初，瀚天天成电子科技(厦门)有限公司联合电子科技大学、中国科学院相关院所、重庆伟特森电子科技有限公司，突破了碳化硅超结深槽外延关键制造工艺，成功研发出具有优越填隙能力的碳化硅超结制造工艺，填充形貌如图1所示。

图1 碳化硅深槽刻蚀工艺填充形貌

8、英国推出8寸硅基GaN HEMT代工服务，年产能70万片

英国研究与创新（UKRI）局正在支持化合物半导体中心有限公司（CSC）和纽波特晶圆厂（NWF）在200mm晶圆平台上提供代工级650V硅基GaN HEMT工艺。HEMT制造工艺技术将建立在纽波特晶圆厂30年硅功率器件制造传统的基础上，该传统在汽车(IATF 16949)质量认证的量产环境下开发。该外延解决方案将利用CSC与其母公司IQE合作开发的知识产权，在其位于英国卡迪夫的工厂中的Aixtron G5 200mm大批量制造平台上进行。

9、2021年SiC/GaN功率器件营收预测：第三代半导体高速成长

根据TrendForce集邦咨询，2021年第三代半导体成长动能有望高速回升。预估其今年市场规模将达6,100万美元，年增率高达90.6%。疫情有所趋缓带动工业能源转换所需零组件如逆变器、变频器等，以及通讯基站需求回稳，随着特斯拉（Tesla）Model 3电动车逆变器逐渐改采SiC器件制程后，第三代半导体于车用市场逐渐备受重视，中国政府为提升半导体自主化，今年提出十四五计划投入巨额人民币扩大产能，上述都将成为推升2021年GaN及SiC等第三代半导体高速成长的动能。

10、丰田“零缺陷”6英寸碳化硅衬底将量产
3月1日，丰田通商对外发布利好消息：他们联合日本关西学院（Kwansei Gakuin University）采用一种表面纳米控制工艺技术——Dynamic AGE-ing，成功开发了“零缺陷”的第三代功率半导体材料——6英寸SiC衬底据介绍，Dynamic AGE-ing通过消除SiC衬底的缺陷，提高了SiC衬底的质量和产能。

简单来说，Dynamic AGE-ing是一种将热蚀刻和晶体生长集成在一起的非接触式纳米控制工艺技术，通过将SiC衬底置于1600℃至2100℃的超高温气相环境中，该技术就可以自动将原子排列在表面上，从而就能够彻底去除加工应变层，而零缺陷主要是通过阻止BPD来实现的（见图1）。