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联盟动态

SiC商用提速!科锐与意法半导体签署2.5亿美元供货协议
SiC商用提速!科锐与意法半导体签署2.5亿美元供货协议
来源:全球半导体观察近日Cree科锐宣布,其与意法半导体签署了一份多年供货协议,为意法半导体生产和供应其Wolfspeed碳化硅(SiC)晶圆。按照协议规定,在当前碳化硅功率器件市场需求显著增长期间,Cree将向意法半导 ...
2019-1-15 09:13
专家视点 | 陶绪堂:氧化镓单晶生长技术
专家视点 | 陶绪堂:氧化镓单晶生长技术
来源:半导体学报陶绪堂:氧化镓单晶生长技术在最新出版的《半导体学报》2019年第1期上,山东大学晶体材料国家重点实验室主任陶绪堂教授着重介绍了氧化镓晶体生长技术,指出导模法(EFG)由于可实现大的晶体尺寸、低 ...
2019-1-15 09:09
祝贺!刘永坦、钱七虎获2018年度国家最高科学技术奖
祝贺!刘永坦、钱七虎获2018年度国家最高科学技术奖
来源:人民日报1月8日上午,2018年度国家科学技术奖励大会隆重召开。哈尔滨工业大学刘永坦院士、中国人民解放军陆军工程大学钱七虎院士获2018年度国家最高科学技术奖。  此外,国家自然科学奖38项:一等奖1项,二 ...
2019-1-9 10:34
想做车用SiC元件?这点一定不能错过!
想做车用SiC元件?这点一定不能错过!
来源:「CTIMES」在未来几年投入使用SiC技术来应对汽车电子技术挑战是ECSEL JU的WInSiC4AP专案所要达成的目标之一。ECSEL JU和ESI携手为该专案提供资金支援,实现具有重大经济和社会影响的优势互补的研发活动。由DTS ...
2019-1-9 10:29
GaN功率半导体厂商梳理
GaN功率半导体厂商梳理
来源:「SIMIT战略研究室」,作者 叶树梅GaN材料原先被用为如蓝色LED等LED类产品的主要原料,但是由于GaN具有高硬度与高能隙的特性,并且GaN功率元件可以在硅基质上成长,在面积与整体成本考量上,也具有比碳化硅元 ...
2019-1-8 16:54
嫦娥四号实现了人类探测器首次月背软着陆!
嫦娥四号实现了人类探测器首次月背软着陆!
2018年12月8日2时23分,中国嫦娥四号探测器从西昌卫星发射中心成功起飞,开始踏上奔向月球的旅程!根据新华社消息,2019年1月3日10时26分,嫦娥四号探测器自主着陆在月球背面南极-艾特肯盆地内的冯•卡门撞击坑 ...
2019-1-4 09:49
中国是否会成为下一个芯片帝国?
中国是否会成为下一个芯片帝国?
来源:传感器技术芯片被推上了21世纪技术争夺的风口浪尖。《经济学人》最新的封面文章,题为《芯片大战》(Chip wars),认为21世纪对技术的争夺,包括从人工智能到网络设备等,主战场在半导体工业。计算机芯片是数字 ...
2019-1-4 09:38
SiC MOSFET进入主流市场,功率器件新局面正式开启
SiC MOSFET进入主流市场,功率器件新局面正式开启
来源:新电子碳化硅(SiC)MOSFET的优异技术功能必须搭配适合的成本定位、系统相容性功能、近似于硅的FIT率以及量产能力,才足以成为主流产品。电力系统制造商需在实际商业条件下符合所有上述多项要素,以开创功率转换 ...
2019-1-3 09:08
【联盟动态】中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟成功入选中关村国家自主创新示范区第 ...
【联盟动态】中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟成功入选中关村国家自主创新示范区第 ...
来源:创新处根据《关于申报第二批中关村国家自主创新示范区标准化试点示范单位的通知》(中科园发〔2018〕50号)要求,中关村科技园区管理委员会和北京市市场监督管理局组织开展了第二批标准化试点示范单位申报和审 ...
2019-1-3 09:03
科技部 发展改革委 财政部关于印发《进一步深化管理改革激发创新活力确保完成国家科技 ...
国科发重〔2018〕315号各重大专项牵头组织单位、各有关项目管理专业机构、各有关单位:  为全面贯彻落实习近平总书记在两院院士大会上的重要讲话精神和《国务院关于优化科研管理提升科研绩效若干措施的通知》(国 ...
2018-12-28 08:48
GaN|Yole预测:2017-2023年GaN在电源和充电器市场发力,智能手机的充电器是杀手级应用
GaN|Yole预测:2017-2023年GaN在电源和充电器市场发力,智能手机的充电器是杀手级应用
来源:大国重器在很长一段时间内,对基于GaN的解决方案的开发主要有由研发机构和实验室进行。今天这种情况发生了变化。在法国悠乐(Yole)公司发布的年度报告《电力GaN:外延、器件、应用和技术趋势》中,Yole表示, ...
2018-12-28 08:48
优化元胞设计和采用再氧化工艺的高性能4H-SiC MOSFETs
优化元胞设计和采用再氧化工艺的高性能4H-SiC MOSFETs
来源:三菱电机半导体优化元胞设计和采用再氧化工艺的高性能4H-SiC MOSFETsToshikazu Tanioka, Yuji Ebiike,Yasunori Oritsuki, Masayuki Imaizumi,Masayoshi Tarutani,三菱电机功率器件制作所本文介绍了三菱电机第 ...
2018-12-27 11:05
2018年全球十大国家半导体产业发展亮点分析
2018年全球十大国家半导体产业发展亮点分析
来源:OFweek电子工程网半导体已经发展成为全球经济增长的支柱性产业,随着技术的不断突破,越来越多的国家开始重视相关技术的发展。在全球半导体技术发展和应用里,北美、欧洲和亚太地区成为全球三大半导体产业的发 ...
2018-12-27 10:21
IGBT设计关键因素简析
IGBT设计关键因素简析
因为最近工作中比较多的涉及到IGBT,所以今天我们来聊一聊IGBT的设计的相关要点,当然只是从我们比较关心的几点出发,概括性地来说一说。而没有深入到物理参杂等方面,希望可以对你们有所帮助。IGBT基本结构和原理每 ...
2018-12-25 10:07
市场报告|由于信号处理应用的实施不断增加,到2023年宽禁带功率半导体器件市场将增长 ...
市场报告|由于信号处理应用的实施不断增加,到2023年宽禁带功率半导体器件市场将增长 ...
来源:大国重器美国第三方市场研究机构Technavio在其报告“全球宽禁带半导体功率器件市场”中预测,2019-2023年间,宽禁带功率半导体器件市场的复合年增长率(CAGR)将达到39%,到2023年达到21.9亿美元。一个关键驱 ...
2018-12-25 09:57

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