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氧化镓|佛罗里达大学,美国海军研究实验室和韩国大学评估氧化镓作为超宽带隙半导体的 ...
来源:大国重器美国佛罗里达大学、美国海军研究实验室和韩国大学的研究人员在AIP出版的《应用物理学》上发表了研究有关,展现最具前景的超宽带化合物——氧化镓(Ga2O3)的特性、能力、电流限制和未来发展前景。氧化 ...
分类:    2018-12-21 08:50
【联盟动态】中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟顺利通过2018年度新区产业创新联盟发 ...
【联盟动态】中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟顺利通过2018年度新区产业创新联盟发 ...
来源:北京经济技术开发区官网根据《北京经济技术开发区产业创新联盟促进与发展评估项目实施方案》, 开发区知识产权局于2018年11月20日组织召开2018年度新区产业创新联盟发展评估专家评审会。专家组经过对申报单位基 ...
分类:    2018-12-21 08:49
IGBT开通过程分析
IGBT开通过程分析
来源:功率半导体那些事儿IGBT开通过程的分析IGBT作为具有开关速度快,导通损耗低的电压控制型开关器件被广泛应用于高压大容量变频器和直流输电等领域。现在IGBT的使用比较关注的是较低的导通压降以及低的开关损耗。 ...
分类:    2018-12-19 10:17
突破!中国刻蚀机进入台积电5nm生产线!
突破!中国刻蚀机进入台积电5nm生产线!
来源:上观新闻5纳米,相当于头发丝直径的二万分之一,将成为集成电路芯片上的最小线宽。台积电计划明年进行5纳米制程试产,预计2020年量产。最近,中微半导体公司收到一个好消息:其自主研制的5纳米等离子体刻蚀机 ...
分类:    2018-12-19 10:11
突破!中国刻蚀机进入台积电5nm生产线!
突破!中国刻蚀机进入台积电5nm生产线!
来源:上观新闻5纳米,相当于头发丝直径的二万分之一,将成为集成电路芯片上的最小线宽。台积电计划明年进行5纳米制程试产,预计2020年量产。最近,中微半导体公司收到一个好消息:其自主研制的5纳米等离子体刻蚀机 ...
分类:    2018-12-19 10:10
一组图看懂5G发展进程
一组图看懂5G发展进程
来源:腾讯科技、数可视 作者:马炯慧姜柳 冯笑语张兴宇5G到底是什么?为什么引得一众通讯巨头相继抢占先机?在这里,将用一组图带您梳理一下5G的发展史。在视频、游戏霸屏移动端的今天,4G已不能满足庞大的流量需求 ...
分类:    2018-12-18 09:29
重磅!英特尔发布全新芯片架构,六大技术战略,震动芯片届
重磅!英特尔发布全新芯片架构,六大技术战略,震动芯片届
来源:智东西英特尔火了!英特尔真的火了!北京时间12月12日对英特尔来说大事连连,在北京,正举办20岁生日的英特尔中国研究院的隔壁楼房着了大火,而远在大洋彼岸,英特尔在加州Los Altos举办的“架构日”上连发大 ...
分类:    2018-12-17 09:59
SEMI预测:全球半导体设备销售额2018年创纪录、2019年重整、2020年再创新高
SEMI预测:全球半导体设备销售额2018年创纪录、2019年重整、2020年再创新高
2018年12月12日 – SEMI在SEMICON Japan 2018展览会上发布年终总设备预测报告,2018年新的半导体制造设备的全球销售额预计将增加9.7%达到621亿美元,超过去年创下的566亿美元的历史新高。预计2019年设备市场将收缩4. ...
分类:    2018-12-17 09:30
电力电子技术概述
电力电子技术概述
来源:功率半导体那些事儿1、什么是电力电子技术电力电子技术可以认为就是应用于电力领域的电子技术。电子技术包括信息电子技术和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术都属于信息电子技术。 ...
分类:    2018-12-14 09:52
“三高”SiC,新能源汽车应用将现高增长
“三高”SiC,新能源汽车应用将现高增长
来源:罗姆半导体集团在2018年11月6至8日于上海举办中国汽车工程学会年会暨展览会(SAECCE)上,全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)携多款新产品亮相。在同期举办的“新能源汽车及混合动力技术分论坛”上 ...
分类:    2018-12-14 09:48
比亚迪发布IGBT“中国芯”,电动车核心技术告别“卡脖子”时代
比亚迪发布IGBT“中国芯”,电动车核心技术告别“卡脖子”时代
来源:比亚迪人12月10日,比亚迪在宁波发布了在车规级领域具有标杆性意义的IGBT4.0技术,再一次展示出其在电动车领域的领先地位。这一晚,比亚迪将IGBT这个长期游离于人们视野、但又堪称电动车CPU的核心技术带到了“ ...
分类:    2018-12-12 10:52
氧化镓沟槽肖特基势垒二极管具有超低泄漏
氧化镓沟槽肖特基势垒二极管具有超低泄漏
。美国康奈尔大学和日本的新型晶体技术公司近期声称单斜形β-多晶型氧化镓(β-Ga2O3)肖特基势垒二极管(SBD)具有最低的泄漏电流。在相对较高的击穿电压1232V下,显示出低的泄漏电流密度小于1μA·cm-2。该器件采 ...
分类:    2018-12-12 09:44
宽禁带半导体器件的春天要来了吗?
宽禁带半导体器件的春天要来了吗?
来源:电子工程专辑从智能手机和互联网,到家电、工厂和汽车,电力电子产品已经成为了我们生活的一部分。随着云计算、工业4.0,以及电动汽车和自动驾驶等领域的发展,电力电子产品的设计和开发的革命正在全面展开, ...
分类:    2018-12-11 10:18
氮化镓垂直沟道结场效应晶体管
氮化镓垂直沟道结场效应晶体管
。德国亚琛工业大学在氮化镓(GaN)外延结构中首次实现了垂直沟道结型场效应晶体管(vc-JFET)。垂直器件对于高功率密度应用是很有应用价值的,因为通过该结构将峰值电场从表面推入散装材料,从而避免了对表面钝化或 ...
分类:    2018-12-11 10:16
关于氮化镓器件的未来,英飞凌是这样看的
关于氮化镓器件的未来,英飞凌是这样看的
来源:半导体行业观察经过了多年的探索和研究之后,氮化镓(GaN)等宽禁带材料终于进入了大爆发前的最后冲刺阶段。面对这个十亿美元级别的市场,国内外厂商正在摩拳擦掌,纷纷推出新品,以求在这个市场与竞争对手一 ...
分类:    2018-12-10 09:36

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