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下级分类:  公告通知|联盟动态
继碳化硅之后,意法半导体践行功率氮化镓产业
据麦姆斯咨询报道,在许多电力系统中,氮化镓(GaN)是替代硅材料的合适候选者。正如Yole在《功率GaN:外延、器件、应用及技术趋势-2018版》报告中所阐述,GaN与传统的硅基MOSFET相比具有惊人的技术优势。尽管与32.8 ...
分类:    2019-2-3 10:03
MOSFET-走向宽禁带器件之路
MOSFET-走向宽禁带器件之路
来源:电力电子技术杂谈半导体器件需要解决的核心问题在于降低损耗,实现更高效率的电气转换。传统的Si器件在走过了半个多世纪的时间之后似乎已经山穷水尽,但人们在探索更高效率更高功率密度的路上并未停止脚步,人 ...
分类:    2019-2-3 09:53
氮化镓USB PD充电器大起底,市售GaN充电器盘点
氮化镓USB PD充电器大起底,市售GaN充电器盘点
来源:充电头网“GaN”中文名“氮化镓”,是一种新型半导体材料,它具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性,在早期广泛运用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一 ...
分类:    2019-2-1 08:57
Akash授权FCC批准开发GaN-on-diamond功率放大器用于卫星发射
Akash授权FCC批准开发GaN-on-diamond功率放大器用于卫星发射
美国Akash Systems公司专注于开发和供应小型卫星(CubeSat)以及RF功率放大器。目前已获得美国联邦通信委员会(FCC)颁发的实验特别临时管理局(STA)许可证,准许其开发金刚石基氮化镓发射器技术,它将集成到Ka波段 ...
分类:    2019-2-1 08:52
射频通信半导体硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术讲解
射频通信半导体硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术讲解
来源:一牛网在线多年以来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。与LDMOS相比 ...
分类:    2019-1-31 10:00
金刚石热控制提高InAlGaN晶体管输出功率
金刚石热控制提高InAlGaN晶体管输出功率
日本富士通研究所近期报道了在金刚石热控制的基础上,适用于碳化硅(SiC)上~3GHz InAlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。其中热管理是实现更高功率密度的关键步骤。 金刚石是一种具有非常高导热性的材料。该团队称: ...
分类:    2019-1-31 09:58
GaN在RF领域应用的优势、挑战及应对之策
GaN在RF领域应用的优势、挑战及应对之策
来源:半导体行业观察目前,氮化镓(GaN)技术已经不再局限于功率应用,其优势也在向射频/微波行业应用的各个角落渗透,而且对射频/微波行业的影响越来越大,不容小觑。因为它可以实现从太空、军用雷达到蜂窝通信的 ...
分类:    2019-1-30 09:11
硅上的多通道三栅极III-氮化物高电子迁移率晶体管
硅上的多通道三栅极III-氮化物高电子迁移率晶体管
目前瑞士和中国的研究人员共同制造出具有五个III族氮化物半导体沟道能级的三栅极金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管,从而提高了静电控制和驱动电流。瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)和中国的Enkris半导体公司所制造 ...
分类:    2019-1-30 09:09
37页PPT,全面解读5G产业链及未来趋势!
37页PPT,全面解读5G产业链及未来趋势!
来源:国信证券经济研究所对于接下来的一年,5G无疑是全球关注的焦点。5G开始商用化,除了进一步促进移动互联网的发展,更重要的是会促进移动互联网和物联网的整合,进而全面落地大数据、云计算和人工智能等相关技术 ...
分类:    2019-1-29 09:29
MACOM推出具有安装灵活性,10W宽带,多级GaN-on-Si功率放大器模块
MACOM推出具有安装灵活性,10W宽带,多级GaN-on-Si功率放大器模块
高性能模拟射频、微波、毫米波和光波半导体产品的领先供应商MACOM Technology Solutions Inc.(“MACOM”)推出了MAMG-100227-010宽带功率放大器模块,扩展了硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率放大器产品组合。该模块可以优 ...
分类:    2019-1-29 09:25
为何要用 GaN 技术来实现 5G 通信?这些特性是关键!
为何要用 GaN 技术来实现 5G 通信?这些特性是关键!
来源:Qorvo半导体在射频和功率应用中,氮化镓(GaN)技术正日益盛行已成为行业共识。GaN器件分为射频器件和电力电子器件,射频器件产品包括PA、 LNA、开关器、 MMIC等,面向基站卫星、雷达等市场;电力电子器件产品 ...
分类:    2019-1-28 09:09
三菱为移动基站开发超宽带数字控制GaN功率放大器
三菱为移动基站开发超宽带数字控制GaN功率放大器
总部位于东京的三菱电机公司开发出首款超宽带数字控制的氮化镓(GaN)功率放大器,该款放大器将会兼容一系列专注于第五代(5G)移动通信系统的6GHz以下频段。新型超宽带数字控制GaN功率放大器采用先进的负载调制电路 ...
分类:    2019-1-28 09:02
“天罡”面世!华为发布业界首款5G基站核心芯片
来源:腾讯科技作者:卜祥华为常务董事、运营商BG总裁丁耘表示,目前超25000个5G基站发货。视频:华为发布业界首款5G基站芯片:天罡芯片,时长约55秒2019年1月24日,华为在北京举办5G发布会暨2019世界移动大会预沟通 ...
分类:    2019-1-25 09:55
Power Electronics 2020+项目将在GaN上生长晶格匹配的ScAlN
Power Electronics 2020+项目将在GaN上生长晶格匹配的ScAlN
随着对电力电子系统日益紧凑和高效的需求不断增长,同时由于硅电子器件在应用中已不能够完全满足当前的工业需求,因此弗莱堡大学、德国佛莱堡永续中心以及弗劳恩霍夫应用研究促进协会准备联手探索更适合未来电力电子 ...
分类:    2019-1-25 09:53
氧化镓在高压和大功率电子产品上面的应用前景
氧化镓在高压和大功率电子产品上面的应用前景
近日,佛罗里达大学、美国海军研究实验室(NRL)与韩国大学对氧化镓(Ga2O3)在电子器件应用的现状和潜在发展完成一篇全面的综述。尽管Ga2O3半导体材料具有良好的射频性能以及高功率等许多优势(如图1所示),但同时 ...
分类:    2019-1-24 08:57

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