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下级分类:  公告通知|联盟动态
氮化镓功率器件的技术路线
氮化镓功率器件的技术路线
氮化镓(GaN)功率器件在几个关键性能指标上比硅(Si)具有优势。具有低固有载流子浓度的宽带隙具有更高的临界电场,能实现更薄的漂移层,同时在较高的击穿电压下可以降低导通电阻(Rds(on))。由于使用较低的Rds ...
分类:    2024-4-25 10:19
双沟槽SiC MOSFET重离子单粒子效应
双沟槽SiC MOSFET重离子单粒子效应
摘要:本文针对第四代双沟槽型碳化硅场效应晶体管开展了不同源漏偏置电压下208 MeV锗离子辐照实验, 分析了器件产生单粒子效应的物理机制。实验结果表明, 辐照过程中随着初始偏置电压的增大, 器件漏极电流增长更明显; ...
分类:    2024-4-25 10:09
【邀请函】广州粤升邀您参加2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛
【邀请函】广州粤升邀您参加2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛
尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友:凝芯聚力,降本增效——2024宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛将于2024年6月5日—7日在北京格兰云天国际酒店隆重举行。此次会议旨在聚焦宽禁带半导体领域关键材料、智能 ...
分类:    2024-4-25 09:58
衬底“突围”,碳化硅五巨头的产能博弈
衬底“突围”,碳化硅五巨头的产能博弈
4月22日,ROHM 和意法半导体宣布,双方将在意法半导体与罗姆集团旗下SiCrystal公司现有的150mm(6英寸)碳化硅(SiC)衬底晶圆多年长期供货协议基础上,继续扩大合作。根据新签署的长期供货协议,SiCrystal公司将对 ...
分类:    2024-4-24 11:26
罗姆集团旗下SiCrystal与意法半导体新签协议,扩大碳化硅衬底供应
罗姆集团旗下SiCrystal与意法半导体新签协议,扩大碳化硅衬底供应
罗姆(ROHM)和与服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics)今天(4月22日)宣布,双方将在意法半导体与罗姆集团旗下SiCrystal公司现有的150mm(6英寸)碳化硅(SiC)衬底多年 ...
分类:    2024-4-24 11:22
宽禁带科技论|高K场板的凹槽型阳极结构调控AlGaN/GaN SBD 电流输运及相关机制分析
宽禁带科技论|高K场板的凹槽型阳极结构调控AlGaN/GaN SBD 电流输运及相关机制分析
近期,河北工业大学、广东工业大学和南京大学联合开发了一种具有高k场板凹槽阳极结构的AlGaN/GaN肖特基势垒功率二极管(SBD)物理模型,旨在分析电荷耦合效应对肖特基结区域电场、漏电流和击穿电压的影响;研究人员 ...
分类:    2024-4-24 11:20
【邀请函】东映碳材邀您参加2024宽禁带半导体先进技术与应用发展高峰论坛
【邀请函】东映碳材邀您参加2024宽禁带半导体先进技术与应用发展高峰论坛
尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友:凝芯聚力,降本增效——2024宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛将于2024年6月5日—7日在北京格兰云天国际酒店隆重举行。此次会议旨在聚焦宽禁带半导体领域关键材料、智能 ...
分类:    2024-4-24 11:18
【邀请函】张家港安储邀您参加2024宽禁带半导体先进技术与应用发展高峰论坛
【邀请函】张家港安储邀您参加2024宽禁带半导体先进技术与应用发展高峰论坛
尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友:凝芯聚力,降本增效——2024宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛将于2024年6月5日—7日在北京格兰云天国际酒店隆重举行。此次会议旨在聚焦宽禁带半导体领域关键材料、智能 ...
分类:    2024-4-24 11:10
南京大学-大尺寸碳化硅激光切片设备与技术
南京大学-大尺寸碳化硅激光切片设备与技术
南京大学科技成果推介 第一百二十四篇大尺寸碳化硅激光切片设备与技术所属领域新材料(第三代半导体材料加工设备)项目介绍1. 痛点问题SiC不仅是关系国防安全的的重要技术,同时也是关于全球汽车产业和能源产业非常 ...
分类:    2024-4-22 13:49
世界首个!中国成功研制!氮化镓量子光源芯片
世界首个!中国成功研制!氮化镓量子光源芯片
量子光源芯片四川团队全球首用氮化镓    ●量子光源芯片,此前多使用氮化硅等材料进行研制  ●氮化镓量子光源芯片,在输出波长范围等关键指标上取得突破  ●该团队接连取得的研究进展,将为量子互联网建设提 ...
分类:    2024-4-22 13:47
今年将是第四代半导体氧化镓元年
今年将是第四代半导体氧化镓元年
越来越多的明确进展昭示了一个事实:氧化镓已经走到了产业化应用的节点。我愿称2024年为氧化镓元年。觉得有点不可思议?这个判断只需要我们共同梳理一下自上篇关于氧化镓文章至今近两年的进展即可得到共识。2021-202 ...
分类:    2024-4-22 13:46
【邀请函】杭州众硅电子邀您参加2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛
【邀请函】杭州众硅电子邀您参加2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛
尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友:凝芯聚力,降本增效——2024宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛将于2024年6月5日—7日在北京格兰云天国际酒店隆重举行。此次会议旨在聚焦宽禁带半导体领域关键材料、智能 ...
分类:    2024-4-22 13:38
新增7款SiC电驱:一汽/北汽/华域/汇川等
新增7款SiC电驱:一汽/北汽/华域/汇川等
近日,国内又有7款SiC电驱应用宣布量产/下线:联合电子:400V SiC电桥迎来批产,最高实现95.6%效率;一汽红旗:SiC 电驱量产下线,匹配多款主销车型;精进电动:800V SiC控制器通过欧洲客户的量产审核;华域麦格纳: ...
分类:    2024-4-19 09:21
市场|碳化硅模组封装,我们还能聊什么?
市场|碳化硅模组封装,我们还能聊什么?
拥抱碳化硅模组设计正向开发大趋势这两年,碳化硅模组封装工艺的技术路线之争从未停歇。IGBT时代,英飞凌以标准化的IGBT生产工艺,加标准化模组和器件封装横扫市场。但随着碳化硅应用节奏加快,功率模块的客制化需求 ...
分类:    2024-4-19 09:16
【邀请函】津裕丰邀您参加2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛
【邀请函】津裕丰邀您参加2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛
尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友:凝芯聚力,降本增效——2024宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛将于2024年6月5日—7日在北京格兰云天国际酒店隆重举行。此次会议旨在聚焦宽禁带半导体领域关键材料、智能 ...
分类:    2024-4-19 09:09

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