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绿能芯创CEO廖奇泊:第三代半导体芯片的历史、机遇与挑战
绿能芯创CEO廖奇泊:第三代半导体芯片的历史、机遇与挑战
绿能芯创CEO廖奇泊在“未名创星论坛第四期——中国芯,强国梦”活动中发表演讲,以下为演讲内容,已经作者确认,略有删减:绿能芯创CEO廖奇泊三代半导体的不同应用刚才有人问我说是不是碳化硅出来以后,硅基产品就没 ...
分类:    2019-4-10 09:11
半导体Si、SiC晶圆激光改质切割工艺技术方案
半导体Si、SiC晶圆激光改质切割工艺技术方案
来源:大族激光1、半导体材料简介半导体(semiconductor),指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。常用半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材 ...
分类:    2019-4-9 10:50
属于SiC器件的时代也许真的要到来了
属于SiC器件的时代也许真的要到来了
来源:半导体行业观察三月底,在祖国大陆的大部分地方还是乍暖还寒的时候,海南已经稍显闷热了,但这并不能阻挡赛车爱好者齐聚三亚。因为2018-2019赛季ABB国际汽车联电动方程式锦标赛将会在这里隆重上演。但与传统的 ...
分类:    2019-4-9 10:47
SEMI中国HB-LED标准技术委员会2019春季会议在上海顺利召开
SEMI中国HB-LED标准技术委员会2019春季会议在上海顺利召开
来源:SEMI China由SEMI中国主办的HB-LED标准技术委员会2019年度春季会议3月29日在SEMI中国办公室顺利举办。来自华灿光电、奥瑞德、晶能光电、中微半导体、兆驰半导体、皓天光电、协鑫、哈工大、博蓝特、德豪润达、 ...
分类:    2019-4-9 10:36
【联盟动态】APCSCRM2018会议特刊(Diamond and Related Materials/IF:2.56)在线发 ...
【联盟动态】APCSCRM2018会议特刊(Diamond and Related Materials/IF:2.56)在线发 ...
APCSCRM 2018会议特刊(Diamond and Related Materials)已成功在线发表! 2018年亚太碳化硅及相关材料(GaN, Ga2O3, AlN, 金刚石等)国际会议已于2018年7月10日-11日于北京成功召开。本届会议共吸引了十余个国家和 ...
分类:    2019-4-9 10:20
【联盟动态】中国半导体检测论坛(第二届)圆满举办成功
【联盟动态】中国半导体检测论坛(第二届)圆满举办成功
中国半导体检测论坛(第二届)于2019年3月29日在石家庄科林电气召开,来自46家科研机构、高校及企业,近100名专家及企业代表参加了会议,共同探讨IGBT及SiC半导体功率器件的检测技术及产业发展大计。大会由中关村天 ...
分类:    2019-4-9 10:13
Welcome to APCSCRM 2019!
论文格式:Template General.doc
分类:    2019-3-29 16:19
【联盟动态】宽禁带联盟顺利参展SEMICON China 2019
【联盟动态】宽禁带联盟顺利参展SEMICON China 2019
2019年3月22日,SEMICON China 国际半导体展在上海新国际博览中心圆满落幕。中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(以下简称“联盟”)作为围绕宽禁带半导体产业全产业链技术创新的社会团体法人单位参加了本次展会, ...
分类:    2019-3-28 09:14
你准备好迎接第三代半导体时代了吗
你准备好迎接第三代半导体时代了吗
来源:半导体行业观察因为拥有宽禁带、高击穿电场、高热导率、电子迁移率以及抗辐射特性,以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件自被提出以来,就受到了产业界的广泛关注,也有不少厂商在上面进行了深入的探索。经历了 ...
分类:    2019-3-26 10:29
宽禁带半导体技术创新联盟团体标准下载
宽禁带半导体技术创新联盟团体标准下载
截止至目前,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟已成功发布团体标准共7项,现有8项正在制订过程中。中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟作为国家标准化管理委员会第二批团体标准试点单位,同时也作为中关村国家自主 ...
分类:    2019-3-25 09:15
IGBT及SiC相关功率器件测试培训及研讨会(河北专场)即将开班,请火速报名!
IGBT及SiC相关功率器件测试培训及研讨会(河北专场)即将开班,请火速报名!
中国半导体检测技术论坛(第二届)IGBT及SiC相关功率器件测试培训及研讨会(河北专场)尊敬的领导、专家及各位同仁您好:很荣幸邀请您参加本次论坛,为进一步交流IGBT及SiC相关功率器件测试等问题,促成科研机构跨行 ...
分类:    2019-3-18 11:37
半导体材料发展
半导体材料发展
来源:ICisC 南京集成电路产业服务中心现代世界里,没有人可以说自己跟“半导体”没有关系。半导体听起来既生硬又冷冰冰,但它不仅是科学园区里那帮工程师的事,你每天滑的手机、用的电脑、看的电视、听的音响,里面 ...
分类:    2019-3-18 09:35
关于MOS管失效,说白了就这六大原因
关于MOS管失效,说白了就这六大原因
来源:可靠性技术交流MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成 ...
分类:    2019-3-18 09:31
碳化硅SiC功率器件在电动汽车中的研究与应用
碳化硅SiC功率器件在电动汽车中的研究与应用
来源:驱动世界电动汽车的电动机是有源负载,其转速范围很宽,且在行驶过程中需要频繁地加速和减速,工作条件比一般的调速系统要复杂,因此,其驱动系统是决定电动汽车性能的关键所在。随着电动汽车的发展,对电力电 ...
分类:    2019-3-15 10:08
【APCSCRM2018期刊论文六】应力诱导曲率对4H-SiC MOS平带电压和界面态密度的影响
【APCSCRM2018期刊论文六】应力诱导曲率对4H-SiC MOS平带电压和界面态密度的影响
点击下载原文:Influence on curvature induced stress to the flatband voltage and interface.pdf应力诱导曲率对4H-SiC MOS平带电压和界面态密度的影响碳化硅(SiC)上的栅氧化膜会严重影响SiC金属氧化物半导体场 ...
分类:    2019-3-14 15:29

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