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新技术发布！“万能离子刀”技术为8英寸SiC提供低成本方案: 工作简介近日，上海微系统所异质集成XOI课题组自主研发了基于“万能离子刀”的碳化硅（SiC）复合衬底制造技术，SiC晶圆尺寸最大达到8英寸，并初步通过外延验证。该技术将高质量SiC单晶薄膜与低成本SiC衬底集成在一起 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-16 11:27

SK siltron获美国7700万美元支持扩建SiC晶圆厂: 4月12日消息，近日，韩国SK集团旗下半导体晶圆制造商SK Siltron获得了美国政府的7700万美元补贴，用于扩建其位于密歇根州的碳化硅（SiC）晶圆工厂。这笔补贴包括投资补贴和税收优惠，将有助于SK Siltron加速其在美国 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-16 11:08

【邀请函】中电科风华邀您参加2024宽禁带半导体高峰论坛: 尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友：凝芯聚力，降本增效——2024宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛将于2024年6月5日—7日在北京格兰云天国际酒店隆重举行。此次会议旨在聚焦宽禁带半导体领域关键材料、智能 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-16 11:05

2024前沿技术大讲堂暨 “高精尖”宽禁带半导体产业技能高级研修班: 为探讨宽禁带半导体技术创新与应用的最新进展，深入剖析该领域的关键技术问题及解决方案，进一步推进国内宽禁带半导体产业蓬勃发展。由中华人民共和国科学技术部指导，京津冀国家技术创新中心等主办，中关村天合宽禁 ...; 分类: 公告通知 2024-4-16 11:01

4.8-4.12氮化镓（GaN）行业新闻: 一周新闻速览1HVPE法氮化镓单晶衬底2氮化镓在汽车市场的应用分析3垂直GaN的技术进展4GaN基蓝光激光器5基于超表面调控的氮化镓基发光器件研究01HVPE法氮化镓单晶衬底氮化镓具有高的电高度，禁带宽度达到3.4eV，其相比 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-15 11:01

碳化硅功率器件：从晶圆到封装的技术与成本概览: 随着新能源汽车市场的蓬勃发展，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的性能和效率，正逐渐成为电动汽车（EV）动力系统中的关键组件。本文将探讨SiC功率器件的市场现状、技术进展、以及成本考量，为读者提供一个全面的SiC ...; 分类: 新闻通知 2024-4-15 10:59

400V SiC MOS即将亮相！这家巨头看到了什么机会？: 众所周知，目前主流的SiC MOSFET器件电压等级主要在650V以上，而且正在向中高压发力，例如从1200V到1700V、2000V、3300V和6500V。但是，最近，英飞凌传出将推出400V低压SiC MOSFET。近日，据德媒elektroniknet.de报 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-15 10:56

快讯｜Coherent获得1500万美元的CHIPS法案资助，用于加速宽禁带和超宽禁带半导体的商 ...: 4 月 10 日消息，Coherent（原II-VI）公司今日宣布，公司已获得基于 CHIPS 法案提供的1500 万美元资金，将被用以加速公司宽带隙和超宽带隙半导体的商业化。2022 年《CHIPS 和科学法案》为美国国防部 (DoD) 提供了 20 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-12 09:36

首片国产8英寸蓝宝石衬底GaN HEMTs晶圆发布: 今天，国产氮化镓再次实现新的突破——西安电子科技大学联合广东致能科技首次展示了全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆器件，器件主要包含几个突出优势：● 调控外延工艺，外延片不均匀性控制在4%以内；● HEMTs器 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-12 09:33

6月北京 | 与您相约2024宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛: 过去的2023年，是国内外宽禁带半导体产业迅猛发展的一年。市场需求方面，国内龙头企业纷纷获得海外芯片巨头的认可，签下长期供货协议；技术提升方面，碳化硅、氮化镓等材料不断取得技术创新与突破，工艺不断精进，8 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-12 09:29

SiC晶圆磨法师 | 3M 8英寸碳化硅研磨方案闪亮登场！: 来源：3M半导体材料*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。; 分类: 新闻通知 2024-4-12 09:04

年复合增长率达32.6%！车载SiC和工业GaN前景畅旺，产业链进展?: 电子发烧友网报道（文/章鹰）近日，第三代半导体领域的国际领先厂商意法半导体公布了最新的财报，ST SiC领域2023年收入达到14亿美元，计划在2024年实现15亿美元的收入，到2025年有望达到20亿美元，预计到2030年达到5 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-11 09:32

镓仁半导体推出2英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底: 4月9日，杭州镓仁半导体有限公司（下文简称“镓仁半导体”）宣布正式推出2英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底，在(010)衬底的研发生产方面再创新高。source：镓仁半导体据介绍，氧化镓(β-Ga2O3) 具有禁带宽度大、击穿场 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-11 09:30

【成员风采】聚峰裸铜有压烧结银膏助车规SiC降本: 约一周前，小米汽车SU7正式上市引起了巨大反响，该车型搭载了SiC功率模块技术在内的多项硬核技术。在全球汽车电动化的浪潮下，碳化硅主驱有望成为了新能源汽车的标配。然而，要充分发挥碳化硅模块需要新的封装材料— ...; 分类: 新闻通知 2024-4-11 09:30

宽禁带科技论|中国科学院上海微系统所在高导热氧化镓异质集成晶圆热输运研究方面取得 ...: 近日，中国科学院上海微系统所徐文慧博士、欧欣研究员与哈尔滨工业大学孙华锐教授合作在Si/SiC基β-Ga2O3异质集成晶圆的热输运研究方面取得进展。该工作系统研究了异质集成β-Ga2O3薄膜的热导率、界面热阻和键合衬底 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-11 09:27

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