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CN200610081294-一种碳化硅单晶生长后的热处理方法

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发表于 2016-7-13 17:10:08 | 显示全部楼层 |阅读模式
一种碳化硅单晶生长后的热处理
方法
申请号:200610081294.0
申请日:2006-05-29
申请(专利权)人中国科学院物理研究所
地址100080北京市海淀区中关村南三街8号
发明(设计)人朱丽娜陈小龙 倪代秦 杨慧 彭同华
主分类号C30B33/02(2006.01)I
分类号C30B33/02(2006.01)I C30B29/36(2006.01)I
公开(公告)号1884639
公开(公告)日2006-12-27
专利代理机构北京中创阳光知识产权代理有限责任公司
代理人尹振启

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