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标题: CN200610081294-一种碳化硅单晶生长后的热处理方法 [打印本页]

作者: admin 时间: 2016-7-13 17:10
标题: CN200610081294-一种碳化硅单晶生长后的热处理方法
一种碳化硅单晶生长后的热处理
方法
申请号：200610081294.0
申请日：2006-05-29
申请(专利权)人中国科学院物理研究所
地址100080北京市海淀区中关村南三街8号
发明(设计)人朱丽娜陈小龙倪代秦杨慧彭同华
主分类号C30B33/02(2006.01)I
分类号C30B33/02(2006.01)I C30B29/36(2006.01)I
公开(公告)号1884639
公开(公告)日2006-12-27
专利代理机构北京中创阳光知识产权代理有限责任公司
代理人尹振启

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