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标题: CN200310113522-一种SiC单晶生长压力自动控制装置 [打印本页]

作者: admin 时间: 2016-7-13 17:04
标题: CN200310113522-一种SiC单晶生长压力自动控制装置
一种SiC单晶生长压力自动控制装
置
申请号：200310113522.4
申请日：2003-11-14
申请(专利权)人中国科学院物理研究所
地址100080北京市海淀区中关村南三街8号
发明(设计)人陈小龙吴星李河清倪代秦胡伯清
主分类号C30B23/00
分类号C30B23/00 C30B29/36
公开(公告)号1544714
公开(公告)日2004-11-10
专利代理机构北京中创阳光知识产权代理有限责任公司
代理人尹振启

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