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作者: admin 时间: 2016-7-13 17:47
标题: CN200910238111-一种用于生长高质量导电型碳化硅晶体的方法
一种用于生长高质量导电型碳化
硅晶体的方法
申请号：200910238111.5
申请日：2009-11-18
申请(专利权)人中国科学院物理研究所北京天科合达蓝光半导体有限公司
地址100190 北京市海淀区中关村南三街8号
发明(设计)人陈小龙鲍慧强彭同华王刚刘春俊王波李龙远
主分类号C30B29/36(2006.01)I
分类号C30B29/36(2006.01)I C30B23/00(2006.01)I
公开(公告)号101724906A
公开(公告)日2010-06-09
专利代理机构北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003
代理人尹振启

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