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作者: admin 时间: 2016-7-13 17:35
标题: CN200910238110-一种制备高纯半绝缘碳化硅晶体的方法
一种制备高纯半绝缘碳化硅晶体
的方法
申请号：200910238110.0
申请日：2009-11-18
申请(专利权)人中国科学院物理研究所北京天科合达蓝光半导体有限公司
地址100190 北京市海淀区中关村南三街8号
发明(设计)人陈小龙刘春俊王波彭同华鲍慧强王文军王皖燕王刚
李龙远
主分类号C30B23/00(2006.01)I
分类号C30B23/00(2006.01)I C30B29/36(2006.01)I
公开(公告)号101724893A
公开(公告)日2010-06-09
专利代理机构北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003
代理人尹振启

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